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    • 4. 发明专利
    • 氣體供應裝置及氣體供應方法
    • 气体供应设备及气体供应方法
    • TW201816173A
    • 2018-05-01
    • TW106125832
    • 2017-08-01
    • 日商東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 大倉成幸OKURA, SHIGEYUKI布重裕NUNOSHIGE, YU
    • C23C16/455C23C16/34H01L21/285
    • 本發明之課題為防止成膜所需之原料氣體的流量變大,並使將處理容器內的氛圍加以置換之置換氣體的流量變大。 其解決手段為構成一種氣體供應裝置,具備有:用以將原料氣體、反應氣體分別供應至處理容器內之原料氣體流道、反應氣體流道;分別連接於原料氣體流道及反應氣體流道之第1載置氣體流道及第2載置氣體流道;透過與第1載置氣體流道及第2載置氣體流道所設置之載置氣體的供應控制機器為另外的供應控制機器來將置換氣體供應至處理容器內之置換氣體流道;設置於置換氣體流道來儲存置換氣體之氣體儲存部;在置換氣體流道中設置於氣體儲存部的下游側之閥體;以及控制閥體的開閉之控制部。
    • 本发明之课题为防止成膜所需之原料气体的流量变大,并使将处理容器内的氛围加以置换之置换气体的流量变大。 其解决手段为构成一种气体供应设备,具备有:用以将原料气体、反应气体分别供应至处理容器内之原料气体流道、反应气体流道;分别连接于原料气体流道及反应气体流道之第1载置气体流道及第2载置气体流道;透过与第1载置气体流道及第2载置气体流道所设置之载置气体的供应控制机器为另外的供应控制机器来将置换气体供应至处理容器内之置换气体流道;设置于置换气体流道来存储置换气体之气体存储部;在置换气体流道中设置于气体存储部的下游侧之阀体;以及控制阀体的开闭之控制部。
    • 5. 发明专利
    • 氣體供給裝置及閥裝置
    • 气体供给设备及阀设备
    • TW201623679A
    • 2016-07-01
    • TW104122933
    • 2015-07-15
    • 東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 大倉成幸OKURA, SHIGEYUKI
    • C23C16/455H01L21/31
    • C23C16/45544C23C16/34C23C16/4408C23C16/45527C23C16/45561C23C16/45587F16K11/22F16K27/003
    • 對基板複數次交互供給TiCl4氣體及NH3氣體而進行成膜時,提供可一面抑制閥裝置(1)之冷卻一面增大N2氣體之流量,可助於提升處理量的技術。 在對晶圓(W)複數次交互供給TiCl4氣體和NH3氣體而進行成膜之時,事前加熱在供給一方之處理氣體和供給另一方之處理氣體之間被供給至處理容器(10)內的氛圍置換用之N2氣體。因此,因可以一面抑制處理容器(10)之內壁或晶圓(W)等之氣體接觸部位之冷卻,一面增大N2氣體之流量,故可以縮短氛圍置換所需之時間,並可以有助於提升處理量,並且抑制由於閥裝置(1)之冷卻導致反應物之附著等的不良情形產生。
    • 对基板复数次交互供给TiCl4气体及NH3气体而进行成膜时,提供可一面抑制阀设备(1)之冷却一面增大N2气体之流量,可助于提升处理量的技术。 在对晶圆(W)复数次交互供给TiCl4气体和NH3气体而进行成膜之时,事前加热在供给一方之处理气体和供给另一方之处理气体之间被供给至处理容器(10)内的氛围置换用之N2气体。因此,因可以一面抑制处理容器(10)之内壁或晶圆(W)等之气体接触部位之冷却,一面增大N2气体之流量,故可以缩短氛围置换所需之时间,并可以有助于提升处理量,并且抑制由于阀设备(1)之冷却导致反应物之附着等的不良情形产生。
    • 6. 发明专利
    • 氣化裝置、氣體供給裝置及成膜裝置
    • 气化设备、气体供给设备及成膜设备
    • TW201303971A
    • 2013-01-16
    • TW101110567
    • 2012-03-27
    • 東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 大倉成幸OKURA, SHIGEYUKI武井純一TAKEI, JUNICHI
    • H01L21/205C23C16/18
    • B05B7/066B05B7/0869B05B15/55C23C16/4481
    • 氣化裝置,係具備有:氣化容器,係於內部被形成有氣化室;和噴射噴嘴部,係被設置於前述氣化容器處,並於中央具備有噴射液體原料之第1噴嘴,且具備有被以同心狀而配置在該第1噴嘴之外周並噴射載體氣體之第2噴嘴,而將前述液體原料藉由前述載體氣體來氣化並形成原料氣體;和氣體擴散抑制塊,係形成氣體擴散抑制區域,該氣體擴散抑制區域,係從前述噴射噴嘴部之前端部起朝向前述液體原料之噴射方向而使其之開角以銳角而逐漸擴廣並朝向前述氣化室而作了開放;和原料氣體出口,係使前述原料氣體流出至前述氣化容器之外側。
    • 气化设备,系具备有:气化容器,系于内部被形成有气化室;和喷射喷嘴部,系被设置于前述气化容器处,并于中央具备有喷射液体原料之第1喷嘴,且具备有被以同心状而配置在该第1喷嘴之外周并喷射载体气体之第2喷嘴,而将前述液体原料借由前述载体气体来气化并形成原料气体;和气体扩散抑制块,系形成气体扩散抑制区域,该气体扩散抑制区域,系从前述喷射喷嘴部之前端部起朝向前述液体原料之喷射方向而使其之开角以锐角而逐渐扩广并朝向前述气化室而作了开放;和原料气体出口,系使前述原料气体流出至前述气化容器之外侧。