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1. 发明专利

TW201624634A 晶片結構审中-公开
简体标题：芯片结构
公开(公告)号：TW201624634A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103146109
申请日：2014-12-29
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：黃萌祺 , HUANG, MENG CHI , 周敏傑 , CHOU, MIN CHIEH , 張文鏵 , ZHANG, WEN HUA , 賴子暉 , LAI, TZI HUEI , 高端環 , KAO, TUNE HUNE
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/58
摘要：一種晶片結構，包含一晶片以及一第一固晶層。第一固晶層設置於晶片之一表面。第一固晶層包含一第一金屬層以及一第二金屬層。第一金屬層之材料係為選自於金以及銀所組成之群組中至少一元素。第二金屬層設置於第一金屬層之上，亦即第一金屬層位於晶片以及第二金屬層之間。第二金屬層之材料係為選自於銦、錫、金以及銀所組成之群組中至少一元素。第二金屬層中金或銀的重量百分比介於5wt%至15wt%之間，金或銀的重量百分比係以第二金屬層之總重為基準。
简体摘要：一种芯片结构，包含一芯片以及一第一固晶层。第一固晶层设置于芯片之一表面。第一固晶层包含一第一金属层以及一第二金属层。第一金属层之材料系为选自于金以及银所组成之群组中至少一元素。第二金属层设置于第一金属层之上，亦即第一金属层位于芯片以及第二金属层之间。第二金属层之材料系为选自于铟、锡、金以及银所组成之群组中至少一元素。第二金属层中金或银的重量百分比介于5wt%至15wt%之间，金或银的重量百分比系以第二金属层之总重为基准。

2. 发明专利

TWI468650B 光學檢測系統及其光學檢測裝置有权
简体标题：光学检测系统及其光学检测设备
公开(公告)号：TWI468650B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW101133839
申请日：2012-09-14
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：鄭陳嶔 , CHENG, CHEN CHIN , 林建憲 , LIN, JIAN SHIAN , 周敏傑 , CHOUJ, MIN CHIEH , 陳于堂 , CHEN, YU TANG
IPC分类号： G01J1/04
CPC分类号： G01J1/0204 , G01J1/0271 , G01J1/0422 , G01J2001/0481 , G01J2001/4252

3. 发明专利

TW201411101A 光學檢測系統及其光學檢測裝置审中-公开
简体标题：光学检测系统及其光学检测设备
公开(公告)号：TW201411101A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW101133839
申请日：2012-09-14
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：鄭陳嶔 , CHENG, CHEN CHIN , 林建憲 , LIN, JIAN SHIAN , 周敏傑 , CHOUJ, MIN CHIEH , 陳于堂 , CHEN, YU TANG
IPC分类号： G01J1/04
CPC分类号： G01J1/0204 , G01J1/0271 , G01J1/0422 , G01J2001/0481 , G01J2001/4252
摘要：一種光學檢測裝置，包含一殼體、一反射層及一集光透鏡組。殼體內部具有一檢測腔室以及連通檢測腔室的一通道，殼體上具有一開口連通此通道。反射層佈設於檢測腔室的一內壁面。集光透鏡組設置於通道內，光學檢測裝置用以供一光束由開口進入通道內，光束穿過集光透鏡組而射入檢測腔室。
简体摘要：一种光学检测设备，包含一壳体、一反射层及一集光透镜组。壳体内部具有一检测腔室以及连通检测腔室的一信道，壳体上具有一开口连通此信道。反射层布设于检测腔室的一内壁面。集光透镜组设置于信道内，光学检测设备用以供一光束由开口进入信道内，光束穿过集光透镜组而射入检测腔室。

4. 发明专利

TWI541950B 晶片結構有权
简体标题：芯片结构
公开(公告)号：TWI541950B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW103146109
申请日：2014-12-29
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：黃萌祺 , HUANG, MENG CHI , 周敏傑 , CHOU, MIN CHIEH , 張文鏵 , ZHANG, WEN HUA , 賴子暉 , LAI, TZI HUEI , 高端環 , KAO, TUNE HUNE
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/58

5. 发明专利

TW201622235A 波束天線审中-公开
简体标题：波束天线
公开(公告)号：TW201622235A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104136638
申请日：2015-11-06
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：李偉宇 , LI, WEI YU , 高端環 , KAO, TUNE HUNE , 黃萌祺 , HUANG, MENG CHI , 鍾蔿 , CHUNG, WEI , 周敏傑 , CHOU, MIN CHIEH
IPC分类号： H01Q1/00 , H01Q3/00
摘要：本發明提出一種波束天線，包括第一介質層、第二介質層、至少一第一輻射導體單元以及能量傳輸導體結構。第一介質層具有訊號源以及第一導體層。第二介質層具有至少一第一薄膜層，第一薄膜層附著於第二介質層之表面上。第一薄膜層並包含絕緣膠體以及複數個觸發粒子。第一輻射導體單元附著於第一薄膜層之表面上，第一薄膜層位於第一輻射導體單元以及第二介質層之間。能量傳輸導體結構位於第一以及第二介質層之間，具有第一端點以及第二端點，第一端點電氣耦接或電氣連接於訊號源，第二端點電氣耦接或電氣連接於第一輻射導體單元。
简体摘要：本发明提出一种波束天线，包括第一介质层、第二介质层、至少一第一辐射导体单元以及能量传输导体结构。第一介质层具有信号源以及第一导体层。第二介质层具有至少一第一薄膜层，第一薄膜层附着于第二介质层之表面上。第一薄膜层并包含绝缘胶体以及复数个触发粒子。第一辐射导体单元附着于第一薄膜层之表面上，第一薄膜层位于第一辐射导体单元以及第二介质层之间。能量传输导体结构位于第一以及第二介质层之间，具有第一端点以及第二端点，第一端点电气耦接或电气连接于信号源，第二端点电气耦接或电气连接于第一辐射导体单元。

6. 发明专利

TWI377624B 導電膜結構及其製法與導電膜式積體電路針測裝置 CONDUCTING FILM STRUCTURE, FABRICATION METHOD THEREOF, AND CONDUCTING FILM TYPE PROBE DEVICE FOR IC 有权
简体标题：导电膜结构及其制法与导电膜式集成电路针测设备 CONDUCTING FILM STRUCTURE, FABRICATION METHOD THEREOF, AND CONDUCTING FILM TYPE PROBE DEVICE FOR IC
公开(公告)号：TWI377624B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：TW097117542
申请日：2008-05-13
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：周敏傑 , 吳東權 , 蔡禎輝 , 林宏彝
IPC分类号： H01L , G01R
CPC分类号： G01R1/06755 , G01R1/06733 , G01R3/00 , H05K1/028 , H05K1/118 , H05K3/46 , H05K2201/0397 , H05K2201/051 , H05K2201/055 , Y10T29/49124 , Y10T29/49155
摘要：本發明提供一種導電膜結構的製作方法，包括提供可撓式絕緣基板，形成導電膜於可撓式絕緣基板上，將導電膜圖案化以於可撓式絕緣基板上形成複數個微導線，其中微導線之長軸方向大抵彼此平行，形成絕緣層於可撓式絕緣基板與微導線上，以及大抵以微導線之長軸方向為軸心而捲繞或摺疊可撓式絕緣基板而形成導電塊。
简体摘要：本发明提供一种导电膜结构的制作方法，包括提供可挠式绝缘基板，形成导电膜于可挠式绝缘基板上，将导电膜图案化以于可挠式绝缘基板上形成复数个微导线，其中微导线之长轴方向大抵彼此平行，形成绝缘层于可挠式绝缘基板与微导在线，以及大抵以微导线之长轴方向为轴心而卷绕或折叠可挠式绝缘基板而形成导电块。

7. 发明专利

TWI331945B 以光束調變式超快雷射製作模具的方法與架構 METHOD AND SYSTEM PF CONTROLLED OPTICAL BEAM FOR MOLD FABRICATION BY ULTRA-FAST LASER TECHNIQUE 有权
简体标题：以光束调制式超快激光制作模具的方法与架构 METHOD AND SYSTEM PF CONTROLLED OPTICAL BEAM FOR MOLD FABRICATION BY ULTRA-FAST LASER TECHNIQUE
公开(公告)号：TWI331945B
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：TW096148166
申请日：2007-12-17
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：張天立 , 林宏彝 , 周敏傑
IPC分类号： B23K
CPC分类号： B82Y40/00 , B23K26/0084 , B23K26/032 , B23K26/0624 , B23K26/40 , B23K2201/20 , B23K2203/02 , B23K2203/05 , B23K2203/08 , B23K2203/12 , B23K2203/26 , B23K2203/50 , B23K2203/54 , B82Y10/00 , G03F7/0002
摘要：本發明係一種以光束調變式超快雷射製作模具的方法與架構，其係為一種利用光束調變加工微/奈米結構的方法，本案是採用雷射光束能量整形概念，以調控不同光束形狀來製作模具。有鑑於可撓性顯示器、軟性電子等次世代產業發展所需，各種微/奈米結構金屬滾筒模具已成為相關產品是否能順利商品化量產的重要關鍵，突破傳統超精密機械加工和光學微影製程，在次微米以下加工結構之形狀、面積尺寸、熱影響和精度技術瓶頸，將能大幅提高產品的設計及功能，利用控制調變超快雷射光脈衝形狀，以平均分配能量在於製造加工之模具，藉由其超快脈衝與冷加工特性，直接在金屬圓柱曲面進行加工，同時依產品需求可加工之微/奈結構為三維之複雜形狀，在線寬條件為小於10 μm結構之光學顯示元件模具，進一步結合微/奈米滾筒模具轉印技術以達到低成本與高附加價值等趨勢與需求。
简体摘要：本发明系一种以光束调制式超快激光制作模具的方法与架构，其系为一种利用光束调制加工微/奈米结构的方法，本案是采用激光光束能量整形概念，以调控不同光束形状来制作模具。有鉴于可挠性显示器、软性电子等次世代产业发展所需，各种微/奈米结构金属滚筒模具已成为相关产品是否能顺利商品化量产的重要关键，突破传统超精密机械加工和光学微影制程，在次微米以下加工结构之形状、面积尺寸、热影响和精度技术瓶颈，将能大幅提高产品的设计及功能，利用控制调制超快激光光脉冲形状，以平均分配能量在于制造加工之模具，借由其超快脉冲与冷加工特性，直接在金属圆柱曲面进行加工，同时依产品需求可加工之微/奈结构为三维之复杂形状，在线宽条件为小于10 μm结构之光学显示组件模具，进一步结合微/奈米滚筒模具转印技术以达到低成本与高附加价值等趋势与需求。

8. 发明专利

TW507345B 局部晶片接合方法有权
简体标题：局部芯片接合方法
公开(公告)号：TW507345B
公开(公告)日：2002-10-21
申请号：TW090122173
申请日：2001-09-07
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：潘正堂 , 周敏傑 , 沈聖智 , 周懷樸
IPC分类号： H01L
摘要：一種局部晶片接合方法，其較佳實施步驟係為：提供一具有複數個微細元件的第一基板及一第二基板，於該第一基板及該第二基板以旋塗法(spin coating)或貼附乾膜方式覆蓋光阻層，圖案化該第一基板及該第二基板之光阻層，以定義出接合處(bonding pad)，並對應該第一基板及該第二基板上的接合處，於溫度200℃以下、施予100N以下之壓力，以完成一接合動作。
简体摘要：一种局部芯片接合方法，其较佳实施步骤系为：提供一具有复数个微细组件的第一基板及一第二基板，于该第一基板及该第二基板以旋涂法(spin coating)或贴附干膜方式覆盖光阻层，图案化该第一基板及该第二基板之光阻层，以定义出接合处(bonding pad)，并对应该第一基板及该第二基板上的接合处，于温度200℃以下、施予100N以下之压力，以完成一接合动作。

9. 发明专利

TW333660B 微平面線圈製程技術失效
简体标题：微平面线圈制程技术
公开(公告)号：TW333660B
公开(公告)日：1998-06-11
申请号：TW086101256
申请日：1997-02-04
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：周敏傑 , 林育生 , 陳世洲
IPC分类号： H01L
摘要：一種製作微平面線圈的製程技術，係結合剝離(life- off)、曝光顯影、活性離子電漿蝕刻或準分子雷射(excimer laser)加工與電鍍等技術，在矽晶圓上製造出微平面線圈，可以應用於微馬達，電磁式致動器，微幫浦等等。微平面線圈的緻密度與纏繞圈數決定加電流後所產生的磁場大小，而此製程技術可以增加每一線圈之高度與纏繞圈數，剝離技術可以克服銅線不易蝕刻的困難，而微影技術有整批製作(batch process)的優點，可以降低成本，增加產能，高深寬比的絕緣層可以利用活性離子電漿蝕刻(RIE)，或者以準分子雷射將絕緣層直接加工出，最後以電鍍技術準確的將厚度高且寬度與間隙小的微平面線圈製作完成。
简体摘要：一种制作微平面线圈的制程技术，系结合剥离(life- off)、曝光显影、活性离子等离子蚀刻或准分子激光(excimer laser)加工与电镀等技术，在硅晶圆上制造出微平面线圈，可以应用于微马达，电磁式致动器，微帮浦等等。微平面线圈的致密度与缠绕圈数决定加电流后所产生的磁场大小，而此制程技术可以增加每一线圈之高度与缠绕圈数，剥离技术可以克服铜线不易蚀刻的困难，而微影技术有整批制作(batch process)的优点，可以降低成本，增加产能，高深宽比的绝缘层可以利用活性离子等离子蚀刻(RIE)，或者以准分子激光将绝缘层直接加工出，最后以电镀技术准确的将厚度高且宽度与间隙小的微平面线圈制作完成。

10. 发明专利

TWI671509B 觸覺感測器有权
简体标题：触觉传感器
公开(公告)号：TWI671509B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW107100430
申请日：2018-01-05
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：周敏傑 , CHOU, MIN-CHIEH
IPC分类号： G01L1/14 , H01L21/28

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