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1. 实用新型

TW576587U 電磁式微發電機之結構改良失效
简体标题：电磁式微发电机之结构改良
公开(公告)号：TW576587U
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：TW091208980
申请日：2002-06-17
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：潘正堂 , 劉祥麒 , 沈聖智 , 吳東權
IPC分类号： H02K
摘要：一種電磁式微發電機之結構改良，包括有：一誘電裝置、一振動裝置及一支撐裝置所構成，在振動裝置受外界因素產生慣性運動由周遭刺激誘電裝置之產生電能輸出，同時再藉精確控制結構之共振頻率，得以產生高效率電能量輸出，形成攜帶型微機電系統，提供微感測器、微光收發模組、微致動器及VLSI等所需之微電源供應。
简体摘要：一种电磁式微发电机之结构改良，包括有：一诱电设备、一振动设备及一支撑设备所构成，在振动设备受外界因素产生惯性运动由周遭刺激诱电设备之产生电能输出，同时再藉精确控制结构之共振频率，得以产生高效率电能量输出，形成便携式微机电系统，提供微传感器、微光收发模块、微致动器及VLSI等所需之微电源供应。

2. 发明专利

TW519578B 積體化微球透鏡光纖切換裝置之製造方法有权
简体标题：积体化微球透镜光纤切换设备之制造方法
公开(公告)号：TW519578B
公开(公告)日：2003-02-01
申请号：TW090107342
申请日：2001-03-28
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林育生 , 趙佑錫 , 潘正堂 , 林坤龍
IPC分类号： G02B
摘要：本發明為提供一種積體化微球透鏡光纖切換裝置之製造方法，係首先利用一半導體微影製程與微機電一體微加工技術之濕式蝕刻製程，製備完成一光纖陣列基板，使該基板表面形成若干Ｖ型槽與突塊，供架設光纖陣列與置放微球透鏡陣列；其後再利用微影、蝕刻與雙層高分子熱處理製程，將該微球透鏡陣列直接積體化於該突塊上；藉此可構成一種積體化微球透鏡之光纖切換裝置。
简体摘要：本发明为提供一种积体化微球透镜光纤切换设备之制造方法，系首先利用一半导体微影制程与微机电一体微加工技术之湿式蚀刻制程，制备完成一光纤数组基板，使该基板表面形成若干Ｖ型槽与突块，供架设光纤数组与置放微球透镜数组；其后再利用微影、蚀刻与双层高分子热处理制程，将该微球透镜数组直接积体化于该突块上；借此可构成一种积体化微球透镜之光纤切换设备。

3. 发明专利

TW507345B 局部晶片接合方法有权
简体标题：局部芯片接合方法
公开(公告)号：TW507345B
公开(公告)日：2002-10-21
申请号：TW090122173
申请日：2001-09-07
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：潘正堂 , 周敏傑 , 沈聖智 , 周懷樸
IPC分类号： H01L
摘要：一種局部晶片接合方法，其較佳實施步驟係為：提供一具有複數個微細元件的第一基板及一第二基板，於該第一基板及該第二基板以旋塗法(spin coating)或貼附乾膜方式覆蓋光阻層，圖案化該第一基板及該第二基板之光阻層，以定義出接合處(bonding pad)，並對應該第一基板及該第二基板上的接合處，於溫度200℃以下、施予100N以下之壓力，以完成一接合動作。
简体摘要：一种局部芯片接合方法，其较佳实施步骤系为：提供一具有复数个微细组件的第一基板及一第二基板，于该第一基板及该第二基板以旋涂法(spin coating)或贴附干膜方式覆盖光阻层，图案化该第一基板及该第二基板之光阻层，以定义出接合处(bonding pad)，并对应该第一基板及该第二基板上的接合处，于温度200℃以下、施予100N以下之压力，以完成一接合动作。

4. 发明专利

TWI243963B 可重複使用的遮罩之玻璃蝕刻方法有权
简体标题：可重复使用的遮罩之玻璃蚀刻方法
公开(公告)号：TWI243963B
公开(公告)日：2005-11-21
申请号：TW092122049
申请日：2003-08-12
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：潘正堂 , 沈聖智 SHEN, SHENG CHIH , 陳鴻隆 , 王郁仁 WANG, YU RAN , 蔡明杰 , 陳明豐
IPC分类号： G03F
摘要：一種利用可重複使用的遮罩之玻璃蝕刻方法，包括以下步驟：首先，提供一玻璃、一基材、一雷射機構、一夾持具及一蝕刻液，並以雷射機構發射雷射光，利用雷射拖拉法將基材穿孔，製作出所需要的孔洞圖案。接著，利用陽極接合法將玻璃與基材接合，並置入一緊密配合的夾持具內，再放入一蝕刻液中，使蝕刻液無法從接觸邊緣滲入，只能循基材上之孔洞圖案而接觸腐蝕玻璃。最後再利用雷射機構發射雷射光使接合處之玻璃與基材分離，而完成玻璃圖案的蝕刻。之後，再將下一塊需要進行蝕刻的玻璃與基材接合，並進行相同的蝕刻過程。
简体摘要：一种利用可重复使用的遮罩之玻璃蚀刻方法，包括以下步骤：首先，提供一玻璃、一基材、一激光机构、一夹持具及一蚀刻液，并以激光机构发射激光光，利用激光拖拉法将基材穿孔，制作出所需要的孔洞图案。接着，利用阳极接合法将玻璃与基材接合，并置入一紧密配合的夹持具内，再放入一蚀刻液中，使蚀刻液无法从接触边缘渗入，只能循基材上之孔洞图案而接触腐蚀玻璃。最后再利用激光机构发射激光光使接合处之玻璃与基材分离，而完成玻璃图案的蚀刻。之后，再将下一块需要进行蚀刻的玻璃与基材接合，并进行相同的蚀刻过程。

5. 发明专利

TW585837B 無間隙3-D微結構陣列模仁之製程有权
简体标题：无间隙3-D微结构数组模仁之制程
公开(公告)号：TW585837B
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW091109968
申请日：2002-05-10
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：林坤龍 LIN, KUN LUNG , 周敏傑 CHOU, MIN CHIEH , 潘正堂
IPC分类号： B81B
摘要：一種無間隙3－D微結構陣列模仁之製程，其主要係於一基板上塗佈高分子緩衝層，以增加對基板的附著力，再於高分子緩衝層上塗佈光阻組成物層，隨之以黃光微影法(lithography)將圖樣(pattern)成形於光阻組成物層，接著加熱至光阻組成物至玻璃轉換溫度(Tg)，使光阻組成物形成具有間隙之微結構陣列，再於微結構表面鍍覆金屬薄膜的導電層，最後以電鑄(Electro forming)的方式填補間隙，即可獲得無間隙的陣列模仁；藉此，利用該模仁即可翻製出金屬模具，而以微射出成型或微熱壓成型，製作出無間隙微結構陣列，進而可以簡便製程有效降低生產成本。
简体摘要：一种无间隙3－D微结构数组模仁之制程，其主要系于一基板上涂布高分子缓冲层，以增加对基板的附着力，再于高分子缓冲层上涂布光阻组成物层，随之以黄光微影法(lithography)将图样(pattern)成形于光阻组成物层，接着加热至光阻组成物至玻璃转换温度(Tg)，使光阻组成物形成具有间隙之微结构数组，再于微结构表面镀覆金属薄膜的导电层，最后以电铸(Electro forming)的方式填补间隙，即可获得无间隙的数组模仁；借此，利用该模仁即可翻制出金属模具，而以微射出成型或微热压成型，制作出无间隙微结构数组，进而可以简便制程有效降低生产成本。

6. 发明专利

TW509804B 光取光補耦合結構失效
简体标题：光取光补耦合结构
公开(公告)号：TW509804B
公开(公告)日：2002-11-11
申请号：TW090125747
申请日：2001-10-18
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：潘正堂 , 莊為群 , 楊錫杭 , 趙佑錫
IPC分类号： G02B
摘要：一種光取光補耦合結構，包含有一基板，一第一波導設於該基板之上，包含有一輸入端用來輸入一主光束與一輸出端用來輸出該主光束，一第二波導設於該基板之上，包含有複數個光柵以一預定週期之方式排列設置於該第二波導之上，以及一第三波導設於該基板之上，包含有一輸入端用來輸入該主光束與一輸出端用來輸出該主光束。第二波導係位於該第一波導與該第三波導之間，且該第一波導之一平均折射率與該第三波導之一平均折射率係彼此近似(substantially equal)。第一波導、第二波導與第三波導均為一反脊狀結構。
简体摘要：一种光取光补耦合结构，包含有一基板，一第一波导设于该基板之上，包含有一输入端用来输入一主光束与一输出端用来输出该主光束，一第二波导设于该基板之上，包含有复数个光栅以一预定周期之方式排列设置于该第二波导之上，以及一第三波导设于该基板之上，包含有一输入端用来输入该主光束与一输出端用来输出该主光束。第二波导系位于该第一波导与该第三波导之间，且该第一波导之一平均折射率与该第三波导之一平均折射率系彼此近似(substantially equal)。第一波导、第二波导与第三波导均为一反嵴状结构。

7. 发明专利

TW499631B 準分子雷射對微球面與非球面高分子結構陣列製程有权
简体标题：准分子激光对微球面与非球面高分子结构数组制程
公开(公告)号：TW499631B
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：TW089114486
申请日：2000-07-20
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：蔡宏營 , 潘正堂 , 周敏傑 , 陳世洲 , 林育生
IPC分类号： G03F
摘要：一種準分子雷射對微球面與非球面高分子結構陣列製程，藉由在以一光罩上設有預定之曲線圖案，該曲線圖案於沿一直線方向上的寬度並不是定值。當準分子雷射光源透過光罩上之曲線圖案照射並衝擊一基板上所塗佈之高分子材而使其剝離蝕刻。並且當進行照射時，同時將基板沿著垂直於該直線方向移動，使高分子材於沿著該直線方向上的不同位置處係受到不同時間長度的照射，造成不同蝕刻深度，因而可將高分子材蝕刻成預定形狀之立體圖案。並且，藉由兩次不同方向或是不同光罩圖案的照射蝕刻，可得到類球面或非球面的微陣列結構。
简体摘要：一种准分子激光对微球面与非球面高分子结构数组制程，借由在以一光罩上设有预定之曲线图案，该曲线图案于沿一直线方向上的宽度并不是定值。当准分子激光光源透过光罩上之曲线图案照射并冲击一基板上所涂布之高分子材而使其剥离蚀刻。并且当进行照射时，同时将基板沿着垂直于该直线方向移动，使高分子材于沿着该直线方向上的不同位置处系受到不同时间长度的照射，造成不同蚀刻深度，因而可将高分子材蚀刻成预定形状之三維图案。并且，借由两次不同方向或是不同光罩图案的照射蚀刻，可得到类球面或非球面的微数组结构。

8. 发明专利

TW560028B 微機電元件密封封裝方法及其金屬封蓋製法失效
简体标题：微机电组件密封封装方法及其金属封盖制法
公开(公告)号：TW560028B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091122932
申请日：2002-10-04
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：潘正堂 , 林坤龍
IPC分类号： H01L , B81C
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
摘要：一種微機電元件密封封裝方法及其金屬封蓋製法，係利用微光刻電鑄模造(LIGA)製程技術及結合積體電路封裝技術來進行密封封裝，其方法為提供第一基板，且第一基板上形成有凹部，並在第一基板上沉積種子層，且於種子層上另製作鈍化層，以製作金屬蓋體層在鈍化層上，作為金屬封蓋，並將金屬封蓋蓋合連接於設有微機電元件之第二基板上，且移除第一基板，以密封封裝微機電元件。伍、(一)、本案代表圖為：第___六___圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：第一基板10，金屬封蓋30，第二基板40，電路層41，絕緣層42，多層金屬薄膜43，凸塊44
简体摘要：一种微机电组件密封封装方法及其金属封盖制法，系利用微光刻电铸模造(LIGA)制程技术及结合集成电路封装技术来进行密封封装，其方法为提供第一基板，且第一基板上形成有凹部，并在第一基板上沉积种子层，且于种子层上另制作钝化层，以制作金属盖体层在钝化层上，作为金属封盖，并将金属封盖盖合连接于设有微机电组件之第二基板上，且移除第一基板，以密封封装微机电组件。伍、(一)、本案代表图为：第___六___图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明：第一基板10，金属封盖30，第二基板40，电路层41，绝缘层42，多层金属薄膜43，凸块44

9. 实用新型

TW491094U 微工件之選料裝置失效
简体标题：微工件之选料设备
公开(公告)号：TW491094U
公开(公告)日：2002-06-11
申请号：TW090216594
申请日：2001-09-28
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：潘正堂 , 吳東權
IPC分类号： B07B
CPC分类号： H05K13/028
摘要：本創作係為一種微工件之選料裝置，其包括有；微工件給料單元、微工件整列單元以及微工件分離單元，且微工件整列單元係與微工件給料單元和微工件分離單元相連接，而微工件係先經由微工件給料單元供給予微工件整列單元，接著由微工件整列單元選擇符合特定方向的微工件予微工件分離單元，且微工件分離單元再將微工件分離以供微工件進行後續之加工，因此可在微工件進行加工前，提供微工件之給料、整列和分離的連續性作業。
简体摘要：本创作系为一种微工件之选料设备，其包括有；微工件给料单元、微工件整列单元以及微工件分离单元，且微工件整列单元系与微工件给料单元和微工件分离单元相连接，而微工件系先经由微工件给料单元供给予微工件整列单元，接着由微工件整列单元选择符合特定方向的微工件予微工件分离单元，且微工件分离单元再将微工件分离以供微工件进行后续之加工，因此可在微工件进行加工前，提供微工件之给料、整列和分离的连续性作业。

10. 发明专利

TW463217B 步進式曝光製作微透鏡結構陣列方法有权
简体标题：步进式曝光制作微透镜结构数组方法
公开(公告)号：TW463217B
公开(公告)日：2001-11-11
申请号：TW089120710
申请日：2000-10-05
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：楊詔中 , 黃珩春 , 潘正堂 , 周敏傑 , 陳世洲 , 林育生
IPC分类号： H01L
摘要：一種步進式曝光製作微透鏡結構陣列方法，係一表面塗佈有高分子材之基板，置放於一X-Y定位平台上，控制一光源透過透鏡，使得該基板之高分子材位於該透鏡投影位置之一中透鏡光場上，控制該光源透過透鏡對該基板第一位置上之高分子材進行照射，使高分子材被蝕刻而形成一微透鏡結構，停止該光源之照射，控制該X-Y定位平台使基板移動至第二位置，控制該光源透過透鏡對該基板第二位置上之高分子材進行照射，使第二位置處之高分子材被蝕刻而形成微透鏡結構，控制光源及X-Y定位平台進行步進式曝光，使得微透鏡結構在高分子材之位置與密度被控制，以完成微透鏡陣列結構。
简体摘要：一种步进式曝光制作微透镜结构数组方法，系一表面涂布有高分子材之基板，置放于一X-Y定位平台上，控制一光源透过透镜，使得该基板之高分子材位于该透镜投影位置之一中透镜光场上，控制该光源透过透镜对该基板第一位置上之高分子材进行照射，使高分子材被蚀刻而形成一微透镜结构，停止该光源之照射，控制该X-Y定位平台使基板移动至第二位置，控制该光源透过透镜对该基板第二位置上之高分子材进行照射，使第二位置处之高分子材被蚀刻而形成微透镜结构，控制光源及X-Y定位平台进行步进式曝光，使得微透镜结构在高分子材之位置与密度被控制，以完成微透镜数组结构。

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