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1. 发明专利

TW201808057A 用以調整多電漿處理站範圍之阻抗或功率的結合及分配器审中-公开
简体标题：用以调整多等离子处理站范围之阻抗或功率的结合及分配器
公开(公告)号：TW201808057A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106119411
申请日：2017-06-12
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡普爾蘇尼爾 , KAPOOR, SUNIL , 湯瑪士喬治 , THOMAS, GEORGE , 瑞基內尼亞什萬特 , RANGINENI, YASWANTH , 奧古斯丁尼亞克愛德華 , AUGUSTYNIAK, EDWARD
IPC分类号： H05H7/02
CPC分类号： C23C16/458 , C23C16/505 , C23C16/52 , H03H7/40
摘要：本發明敘述用以調整多電漿處理站範圍之阻抗、或功率、或其組合的系統及方法。該等系統其中一者包含：第一射頻(RF)產生器，其產生具有第一頻率的第一RF訊號；第二RF產生器，其產生具有第二頻率的第二RF訊號；及第一匹配網路，其耦接至第一RF產生器，以接收第一RF訊號。當接收該第一RF訊號時，第一阻抗匹配網路輸出第一調整RF訊號。系統更包含耦接至第二RF產生器的第二匹配網路，以接收第二RF訊號。當接收該第二RF訊號時，第二匹配網路輸出第二調整RF訊號。系統更包含耦接至第一匹配網路之輸出部及第二匹配網路之輸出部的結合及分配器。
简体摘要：本发明叙述用以调整多等离子处理站范围之阻抗、或功率、或其组合的系统及方法。该等系统其中一者包含：第一射频(RF)产生器，其产生具有第一频率的第一RF信号；第二RF产生器，其产生具有第二频率的第二RF信号；及第一匹配网络，其耦接至第一RF产生器，以接收第一RF信号。当接收该第一RF信号时，第一阻抗匹配网络输出第一调整RF信号。系统更包含耦接至第二RF产生器的第二匹配网络，以接收第二RF信号。当接收该第二RF信号时，第二匹配网络输出第二调整RF信号。系统更包含耦接至第一匹配网络之输出部及第二匹配网络之输出部的结合及分配器。

2. 发明专利

TW201833379A 用以提供電漿反應器中寄生元件之分流取消的系統及方法审中-公开
简体标题：用以提供等离子反应器中寄生组件之分流取消的系统及方法
公开(公告)号：TW201833379A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106143453
申请日：2017-12-12
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑞基內尼亞什萬特 , RANGINENI, YASWANTH , 卡普爾蘇尼爾 , KAPOOR, SUNIL , 奧古斯丁尼亞克愛德華 , AUGUSTYNIAK, EDWARD , 崎山幸紀 , SAKIYAMA, YUKINORI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/505 , H01J37/32 , H03H7/38
摘要：本文敘述使關聯於寄生電容之阻抗反向的系統及方法。該系統其中之一包含電漿腔室外殼。外殼包含基座、位於基座上方而面向基座的噴淋頭、及位於噴淋頭上方的頂板。系統更包含耦接至電漿腔室的射頻(RF)傳輸線，以將經改變的RF信號傳輸至噴淋頭。系統包含耦接於自頂板起預定距離內的分流電路。分流電路係耦接至RF傳輸線，以使關聯於外殼內寄生電容的阻抗反向。
简体摘要：本文叙述使关联于寄生电容之阻抗反向的系统及方法。该系统其中之一包含等离子腔室外壳。外壳包含基座、位于基座上方而面向基座的喷淋头、及位于喷淋头上方的顶板。系统更包含耦接至等离子腔室的射频(RF)传输线，以将经改变的RF信号传输至喷淋头。系统包含耦接于自顶板起预定距离内的分流电路。分流电路系耦接至RF传输线，以使关联于外壳内寄生电容的阻抗反向。

3. 发明专利

TWI668778B 具有射頻平衡之多站電漿反應器有权
简体标题：具有射频平衡之多站等离子反应器
公开(公告)号：TWI668778B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104117263
申请日：2015-05-28
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡普爾蘇尼爾 , KAPOOR, SUNIL , 里瑟卡爾F , LEESER, KARL F. , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 瑞基內尼亞什萬特 , RANGINENI, YASWANTH
IPC分类号： H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01L21/02 , C23C16/455

4. 发明专利

TW201729244A 用以控制電漿不穩定性之射頻電源的調頻用系統及方法审中-公开
简体标题：用以控制等离子不稳定性之射频电源的调频用系统及方法
公开(公告)号：TW201729244A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105137173
申请日：2016-11-15
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：可里伊許特克 , KARIM, ISHTAK , 崎山幸紀 , SAKIYAMA, YUKINORI , 瑞基內尼亞什萬特 , RANGINENI, YASWANTH , 奧古斯丁尼亞克愛德華 , AUGUSTYNIAK, EDWARD , 凱爾道格拉斯 , KEIL, DOUGLAS , 謙德拉瑟哈蘭拉密許 , CHANDRASEKHARAN, RAMESH , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 里瑟卡爾 , LEESER, KARL
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01J37/32
CPC分类号： H01L22/20 , C23C16/45565 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/50 , C23C16/509 , C23C16/52 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J2237/334 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/263 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/67201 , H01L21/683 , H01L22/12
摘要：將一晶圓置於一晶圓支撐設備上，該晶圓支撐設備係設置於一電極下方，使得該晶圓與該電極之間存在一電漿產生區域。供應一第一信號頻率之射頻信號至該電漿產生區域以於該電漿產生區域中產生一電漿。基於該第一信號頻率之射頻信號的供應而偵測該電漿中的一電漿不穩定性之形成。於偵測到該電漿不穩定性之形成之後，替代該第一信號頻率之射頻信號而供應一第二信號頻率之射頻信號至該電漿產生區域以產生該電漿。該第二信號頻率高於該第一信號頻率，且係設置以導致該電漿內的離子能量之降低、及離子與該晶圓相互作用所導致的來自該晶圓之次級電子放射之對應減少。
简体摘要：将一晶圆置于一晶圆支撑设备上，该晶圆支撑设备系设置于一电极下方，使得该晶圆与该电极之间存在一等离子产生区域。供应一第一信号频率之射频信号至该等离子产生区域以于该等离子产生区域中产生一等离子。基于该第一信号频率之射频信号的供应而侦测该等离子中的一等离子不稳定性之形成。于侦测到该等离子不稳定性之形成之后，替代该第一信号频率之射频信号而供应一第二信号频率之射频信号至该等离子产生区域以产生该等离子。该第二信号频率高于该第一信号频率，且系设置以导致该等离子内的离子能量之降低、及离子与该晶圆相互作用所导致的来自该晶圆之次级电子放射之对应减少。

5. 发明专利

TW201725855A 互感濾波器审中-公开
简体标题：互感滤波器
公开(公告)号：TW201725855A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105132953
申请日：2016-10-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡普爾蘇尼爾 , KAPOOR, SUNIL , 洛根亞倫 , LOGAN, AARON , 金賢重 , KIM, HYUNGJOON , 瑞基內尼亞什萬特 , RANGINENI, YASWANTH , 里瑟卡爾 , LEESER, KARL
IPC分类号： H03H7/01 , H03H7/09
CPC分类号： H03H1/0007 , H02M1/44
摘要：描述用以將射頻(RF)功率從供應至負載的訊號中濾波的互感濾波器。互感濾波器包含第一部分，連接至負載的第一負載元件，用以將RF功率從訊號中供應至第一負載元件的其中一訊號中濾波。負載與電漿腔室的支座相關。互感濾波器包含第二部分，連接至負載的第二負載元件，用以將RF功率從訊號中供應至第二負載元件的其中另一訊號中濾波。第一與第二部分彼此纏繞以彼此互耦合，進而促進與第一部分相關的共振頻率至第二部分的耦合。
简体摘要：描述用以将射频(RF)功率从供应至负载的信号中滤波的互感滤波器。互感滤波器包含第一部分，连接至负载的第一负载组件，用以将RF功率从信号中供应至第一负载组件的其中一信号中滤波。负载与等离子腔室的支座相关。互感滤波器包含第二部分，连接至负载的第二负载组件，用以将RF功率从信号中供应至第二负载组件的其中另一信号中滤波。第一与第二部分彼此缠绕以彼此互耦合，进而促进与第一部分相关的共振频率至第二部分的耦合。

6. 发明专利

TW201611153A 具有射頻平衡之多站電漿反應器审中-公开
简体标题：具有射频平衡之多站等离子反应器
公开(公告)号：TW201611153A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104117263
申请日：2015-05-28
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡普爾蘇尼爾 , KAPOOR, SUNIL , 里瑟卡爾F , LEESER, KARL F. , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 瑞基內尼亞什萬特 , RANGINENI, YASWANTH
IPC分类号： H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01L21/02 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45538 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/32082 , H01J37/32155 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01J37/32935 , H01J2237/3321 , H01L21/0262
摘要：本發明係揭露以調諧RF功率之頻率而用於多站的半導體沉積操作之方法與設備。RF功率的頻率可根據在半導體沉積操作期間測得之電漿阻抗來調諧。在該方法與設備的某些實施中，可在沉積操作期間或之前，調節RF功率的參數。半導體沉積操作的另一些實施中，包括多個不同的沉積處理，而該等處理具有相對應的不同配方。就每一個別的配方而言，該等配方可包括不同的RF功率的參數。在各沉積操作之前，該等個別的配方可調節RF功率的參數。可在各沉積操作期間，利用RF功率的頻率調諧。
简体摘要：本发明系揭露以调谐RF功率之频率而用于多站的半导体沉积操作之方法与设备。RF功率的频率可根据在半导体沉积操作期间测得之等离子阻抗来调谐。在该方法与设备的某些实施中，可在沉积操作期间或之前，调节RF功率的参数。半导体沉积操作的另一些实施中，包括多个不同的沉积处理，而该等处理具有相对应的不同配方。就每一个别的配方而言，该等配方可包括不同的RF功率的参数。在各沉积操作之前，该等个别的配方可调节RF功率的参数。可在各沉积操作期间，利用RF功率的频率调谐。

7. 发明专利

TW201805471A 在半導體製造中使用電性不對稱效應以控制電漿處理空間之系統及方法审中-公开
简体标题：在半导体制造中使用电性不对称效应以控制等离子处理空间之系统及方法
公开(公告)号：TW201805471A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106115220
申请日：2017-05-09
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：凱爾道格拉斯 , KEIL, DOUGLAS , 可里伊許特克 , KARIM, ISHTAK , 瑞基內尼亞什萬特 , RANGINENI, YASWANTH , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 崎山幸紀 , SAKIYAMA, YUKINORI , 奧古斯丁尼亞克愛德華 , AUGUSTYNIAK, EDWARD , 里瑟卡爾 , LEESER, KARL , 季春海 , JI, CHUNHAI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/45525 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/5096 , H01J37/32128 , H01J37/32137 , H01J37/32165 , H01J37/32183 , H01J37/32449 , H01J37/32532 , H01J2237/3321 , H01L21/02164 , H01L21/0228
摘要：揭示使用電漿在晶圓上沉積膜的系統及方法，其中電漿係使用多個頻率的射頻訊號加以產生，並其中相位角關係係在該多個頻率的射頻訊號之間加以控制。在該系統中，基座係加以設置以支撐晶圓。電漿產生區域係在該基座上方加以形成。電極係在該電漿產生區域附近加以設置，以將射頻訊號傳輸至該電漿產生區域中。射頻電源將不同頻率的多個射頻訊號提供至該電極。該等不同頻率中的最低者係基本頻率，且大於該基本頻率之該等不同頻率的每一者係該基本頻率的偶數諧波。該射頻電源提供在該多個射頻訊號之每一者之間之相位角關係的可變控制。
简体摘要：揭示使用等离子在晶圆上沉积膜的系统及方法，其中等离子系使用多个频率的射频信号加以产生，并其中相位角关系系在该多个频率的射频信号之间加以控制。在该系统中，基座系加以设置以支撑晶圆。等离子产生区域系在该基座上方加以形成。电极系在该等离子产生区域附近加以设置，以将射频信号传输至该等离子产生区域中。射频电源将不同频率的多个射频信号提供至该电极。该等不同频率中的最低者系基本频率，且大于该基本频率之该等不同频率的每一者系该基本频率的偶数谐波。该射频电源提供在该多个射频信号之每一者之间之相位角关系的可变控制。

8. 发明专利

TW201705329A 使用噴淋頭電壓變動進行故障偵測审中-公开
简体标题：使用喷淋头电压变动进行故障侦测
公开(公告)号：TW201705329A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105109952
申请日：2016-03-30
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡普爾蘇尼爾 , KAPOOR, SUNIL , 瑞基內尼亞什萬特 , RANGINENI, YASWANTH , 賓漢亞倫 , BINGHAM, AARON , 阮湍 , NGUYEN, TUAN
IPC分类号： H01L21/66 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/67253 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01L21/02274 , H01L21/3065
摘要：提供用於偵測電漿處理系統之處理條件的方法及系統。一種方法包含從一射頻（RF）電源供應器提供RF功率至該電漿處理系統的一噴淋頭，且在一基板上執行一製程操作，該基板在該電漿處理系統中加以配置。該方法進一步包含使用一電壓探針感測該噴淋頭的電壓，該電壓探針係在該RF電源供應器及該噴淋頭之間直插式連接。該電壓的感測產生在執行該製程操作期間的電壓數值。該方法包含將該等電壓數值與一電壓檢查帶相比較，該電壓檢查帶針對被執行的該製程操作係預先定義的。該比較結果係用以偵測當該等電壓數值係在該電壓檢查帶的外部時之情況。該方法亦包含當該比較結果偵測到該等電壓數值係在該電壓檢查帶的外部時產生一警報。該警報進一步用以基於針對該製程操作預先定義的該電壓檢查帶識別一種故障類型。
简体摘要：提供用于侦测等离子处理系统之处理条件的方法及系统。一种方法包含从一射频（RF）电源供应器提供RF功率至该等离子处理系统的一喷淋头，且在一基板上运行一制程操作，该基板在该等离子处理系统中加以配置。该方法进一步包含使用一电压探针传感该喷淋头的电压，该电压探针系在该RF电源供应器及该喷淋头之间直插式连接。该电压的传感产生在运行该制程操作期间的电压数值。该方法包含将该等电压数值与一电压检查带相比较，该电压检查带针对被运行的该制程操作系预先定义的。该比较结果系用以侦测当该等电压数值系在该电压检查带的外部时之情况。该方法亦包含当该比较结果侦测到该等电压数值系在该电压检查带的外部时产生一警报。该警报进一步用以基于针对该制程操作预先定义的该电压检查带识别一种故障类型。

9. 发明专利

TW201729243A 藉由電測量以偵測電漿不穩定性之系統及方法审中-公开
简体标题：借由电测量以侦测等离子不稳定性之系统及方法
公开(公告)号：TW201729243A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105137169
申请日：2016-11-15
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：崎山幸紀 , SAKIYAMA, YUKINORI , 可里伊許特克 , KARIM, ISHTAK , 瑞基內尼亞什萬特 , RANGINENI, YASWANTH , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 謙德拉瑟哈蘭拉密許 , CHANDRASEKHARAN, RAMESH , 奧古斯丁尼亞克愛德華 , AUGUSTYNIAK, EDWARD , 凱爾道格拉斯 , KEIL, DOUGLAS
IPC分类号： H01L21/02 , H01J37/32
CPC分类号： H01L22/20 , C23C16/45565 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/50 , C23C16/509 , C23C16/52 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J2237/334 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/263 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/67201 , H01L21/683 , H01L22/12
摘要：將一晶圓置於在一電極下方的一晶圓支撐設備上，使得於該晶圓與該電極之間存在一電漿產生區域。供應射頻功率至該電極，以於一電漿處理操作的多個連續電漿處理循環期間於該電漿產生區域中產生一電漿。連接至該電極的至少一電感測器測量於該多個連續電漿處理循環其中每一者期間在該電極上的一射頻參數。為該多個連續電漿處理循環其中每一者判定該電極上所測量之該射頻參數的一值。做出一判定，該判定係關於在該多個連續電漿處理循環內於該電極上所測量之該射頻參數的該等值中是否存在任何指示性趨勢或變化，其中該指示性趨勢或變化指示該電漿處理操作期間的一電漿不穩定性之形成。
简体摘要：将一晶圆置于在一电极下方的一晶圆支撑设备上，使得于该晶圆与该电极之间存在一等离子产生区域。供应射频功率至该电极，以于一等离子处理操作的多个连续等离子处理循环期间于该等离子产生区域中产生一等离子。连接至该电极的至少一电传感器测量于该多个连续等离子处理循环其中每一者期间在该电极上的一射频参数。为该多个连续等离子处理循环其中每一者判定该电极上所测量之该射频参数的一值。做出一判定，该判定系关于在该多个连续等离子处理循环内于该电极上所测量之该射频参数的该等值中是否存在任何指示性趋势或变化，其中该指示性趋势或变化指示该等离子处理操作期间的一等离子不稳定性之形成。

10. 发明专利

TW201720237A 用以偵測晶圓空腔中之電漿的計量方法及使用該計量以進行站對站與工具對工具之匹配审中-公开
简体标题：用以侦测晶圆空腔中之等离子的计量方法及使用该计量以进行站对站与工具对工具之匹配
公开(公告)号：TW201720237A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105127360
申请日：2016-08-26
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：崎山幸紀 , SAKIYAMA, YUKINORI , 瑞基內尼亞什萬特 , RANGINENI, YASWANTH , 塔克傑里米 , TUCKER, JEREMY , 凱爾道格拉斯 , KEIL, DOUGLAS , 奧古斯丁尼亞克愛德華 , AUGUSTYNIAK, EDWARD , 卡普爾蘇尼爾 , KAPOOR, SUNIL
IPC分类号： H05H1/46 , G01R11/067
CPC分类号： H01J37/32935 , C23C16/45544 , C23C16/50 , C23C16/5096 , C23C16/52 , H01J37/32183 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/67253
摘要：用以在半導體晶圓處理期間偵測電漿之形成的處理腔室包含上電極，用以供應氣體化學品到處理腔室中。上電極透過匹配網路連接到射頻(RF)功率來源，以提供RF功率至晶圓空腔中而產生電漿。處理腔室亦包含下電極，用以在沉積處理期間接收並支持半導體晶圓。下電極設置在處理腔室中，進而在上電極的表面與下電極的頂部表面之間界定晶圓空腔。下電極電氣接地。線圈感測器設置在下電極延伸到處理腔室之外側的基部。線圈感測器實質上圍繞下電極的基部。線圈感測器配置以量測傳導通過晶圓空腔之RF電流的特性。由線圈感測器所量測的RF電流被用來確認晶圓空腔中之電漿存在。
简体摘要：用以在半导体晶圆处理期间侦测等离子之形成的处理腔室包含上电极，用以供应气体化学品到处理腔室中。上电极透过匹配网络连接到射频(RF)功率来源，以提供RF功率至晶圆空腔中而产生等离子。处理腔室亦包含下电极，用以在沉积处理期间接收并支持半导体晶圆。下电极设置在处理腔室中，进而在上电极的表面与下电极的顶部表面之间界定晶圆空腔。下电极电气接地。线圈传感器设置在下电极延伸到处理腔室之外侧的基部。线圈传感器实质上围绕下电极的基部。线圈传感器配置以量测传导通过晶圆空腔之RF电流的特性。由线圈传感器所量测的RF电流被用来确认晶圆空腔中之等离子存在。

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