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1. 发明专利

TWI688723B 配管組件及用於製造該配管組件的方法有权
简体标题：配管组件及用于制造该配管组件的方法
公开(公告)号：TWI688723B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW105109635
申请日：2016-03-28
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：里瑟卡爾 F , LEESER, KARL F.
IPC分类号： F16L53/00 , H01L21/02

2. 发明专利

TW201833371A 用於半導體處理之晶圓定位底座中的墊升高機構审中-公开
简体标题：用于半导体处理之晶圆定位底座中的垫升高机构
公开(公告)号：TW201833371A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106134847
申请日：2017-10-12
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：孔科拉保羅 , KONKOLA, PAUL , 李瑟卡爾 F , LEESER, KARL F. , 斯尼華森伊斯華 , SRINIVASAN, EASWAR
IPC分类号： C23C16/44
摘要：本發明提供在處理腔室中用於在晶圓上沉積膜的組件。底座組件包含可移動地安裝至主框架的底座。升降墊置放在底座上且與底座組件一起運動。升高機構將升降墊與底座分開且包含固定至主框架的硬式停止件、附接至底座組件的輥、可移動地附接至底座組件的滑動件、互連至滑動件和互連至自升降墊延伸之墊軸的升降墊托架、及可旋轉地附接至升降墊托架的槓桿。當槓桿不與上硬式停止件接合時，槓桿置放在該輥上。當底座組件向上運動時，該槓桿在與上硬式停止件及輥接合時繞銷旋轉，並使得升降墊與底座分開一製程旋轉位移。
简体摘要：本发明提供在处理腔室中用于在晶圆上沉积膜的组件。底座组件包含可移动地安装至主框架的底座。升降垫置放在底座上且与底座组件一起运动。升高机构将升降垫与底座分开且包含固定至主框架的硬式停止件、附接至底座组件的辊、可移动地附接至底座组件的滑动件、互连至滑动件和互连至自升降垫延伸之垫轴的升降垫托架、及可旋转地附接至升降垫托架的杠杆。当杠杆不与上硬式停止件接合时，杠杆置放在该辊上。当底座组件向上运动时，该杠杆在与上硬式停止件及辊接合时绕销旋转，并使得升降垫与底座分开一制程旋转位移。

3. 发明专利

TWI668778B 具有射頻平衡之多站電漿反應器有权
简体标题：具有射频平衡之多站等离子反应器
公开(公告)号：TWI668778B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104117263
申请日：2015-05-28
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡普爾蘇尼爾 , KAPOOR, SUNIL , 里瑟卡爾F , LEESER, KARL F. , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 瑞基內尼亞什萬特 , RANGINENI, YASWANTH
IPC分类号： H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01L21/02 , C23C16/455

4. 发明专利

TW201825704A 半導體處理用晶圓定位底座审中-公开
简体标题：半导体处理用晶圆定位底座
公开(公告)号：TW201825704A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106133249
申请日：2017-09-28
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：孔科拉保羅 , KONKOLA, PAUL , 李瑟卡爾 F , LEESER, KARL F. , 斯尼華森伊斯華 , SRINIVASAN, EASWAR
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50 , H01L21/68 , H01L21/687
摘要：本發明提供在處理腔室中用於在晶圓上沉積膜的組件，且該組件包含自中心軸線延伸的底座。致動器係配置成用於控制該底座的運動。中心軸延伸於致動器和底座之間，該中心軸係配置成沿該中心軸線移動該底座。升降墊係配置成置放該底座且具有墊頂部表面，該墊頂部表面係配置成支撐配置在其上的晶圓。墊軸延伸於致動器與升降墊之間且控制升降墊的運動。該墊軸係定位在該中心軸內，且當該底座係在向上位置時，該墊軸係配置成將升降墊與底座頂部表面分開一製程旋轉距離。該墊軸係配置成相對於該底座頂部表面旋轉於第一及第二角定向之間。
简体摘要：本发明提供在处理腔室中用于在晶圆上沉积膜的组件，且该组件包含自中心轴线延伸的底座。致动器系配置成用于控制该底座的运动。中心轴延伸于致动器和底座之间，该中心轴系配置成沿该中心轴线移动该底座。升降垫系配置成置放该底座且具有垫顶部表面，该垫顶部表面系配置成支撑配置在其上的晶圆。垫轴延伸于致动器与升降垫之间且控制升降垫的运动。该垫轴系定位在该中心轴内，且当该底座系在向上位置时，该垫轴系配置成将升降垫与底座顶部表面分开一制程旋转距离。该垫轴系配置成相对于该底座顶部表面旋转于第一及第二角定向之间。

5. 发明专利

TW201634737A 膜均勻性改良用硬體及程序审中-公开
简体标题：膜均匀性改良用硬件及进程
公开(公告)号：TW201634737A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104142386
申请日：2015-12-17
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：庫瑪普魯夏坦 , KUMAR, PURUSHOTTAM , 康虎 , KANG, HU , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 邱奕崇 , CHIU, YI CHUNG , 帕斯果法蘭克 L , PASQUALE, FRANK L. , 錢駿 , QIAN, JUN , 巴爾達塞羅尼克洛伊 , BALDASSERONI, CHLOE , 史旺明內森珊卡 , SWAMINATHAN, SHANKAR , 里瑟卡爾 F , LEESER, KARL F. , 史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 賴維志 , LAI, WEI CHIH
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/45519 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45561
摘要：本案發明人已構想用於基板處理設備的多步驟處理氣體輸送系統。在某些實施例中，首先可將第一處理氣體輸送到基板處理腔室中的基板。在隨後的時間點，可將第二處理氣體輸送到該基板以幫助該基板的平整配量。第一處理氣體與第二處理氣體的輸送可在相同時間點停止，或在個別的時間點停止。
简体摘要：本案发明人已构想用于基板处理设备的多步骤处理气体输送系统。在某些实施例中，首先可将第一处理气体输送到基板处理腔室中的基板。在随后的时间点，可将第二处理气体输送到该基板以帮助该基板的平整配量。第一处理气体与第二处理气体的输送可在相同时间点停止，或在个别的时间点停止。

6. 发明专利

TW201619429A 藉由噴淋頭主動加熱及/或底座冷卻而進行低溫原子層沉積系統中之穩定沉積速率控制用方法及設備审中-公开
简体标题：借由喷淋头主动加热及/或底座冷却而进行低温原子层沉积系统中之稳定沉积速率控制用方法及设备
公开(公告)号：TW201619429A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104127256
申请日：2015-08-21
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：巴爾達塞羅尼克洛伊 , BALDASSERONI, CHLOE , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 康虎 , KANG, HU , 錢駿 , QIAN, JUN , 庫瑪普魯夏坦 , KUMAR, PURUSHOTTAM , 杜瓦爾安祖 , DUVALL, ANDREW , 巴奈特科迪 , BARNETT, CODY , 撒布里莫漢姆德 , SABRI, MOHAMED , 謙德拉瑟哈蘭拉密許 , CHANDRASEKHARAN, RAMESH , 里瑟卡爾 F , LEESER, KARL F. , 史密斯大衛 C , SMITH, DAVID C. , 凡拉德拉真瑟沙撒依 , VARADARAJAN, SESHASAYEE , 明歇爾愛德蒙 B , MINSHALL, EDMUND B.
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/46 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/45527 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/52 , H01L21/02274
摘要：揭露在半導體基板上沉積材料膜的方法。該方法可包含：使一膜先質經由實質維持於第一溫度的一噴淋頭流入一處理腔室；及使該膜先質吸附至被固定在一基板固持器上的一基板之上，使得該先質形成一吸附限制層，同時將該基板固持器實質維持於一第二溫度。該第一溫度可高於該第二溫度至少約10℃，或該第一溫度可等於或低於該第二溫度。該方法可更包含：從圍繞所吸附之膜先質的體積移除至少一些未吸附的膜先質；及之後使吸附之膜先質起反應，以形成一膜層。在此處亦揭露具有一處理腔室、一基板固持器、一噴淋頭、及一個以上控制器的設備，用於操作該設備以使用前述膜沉積技術。
简体摘要：揭露在半导体基板上沉积材料膜的方法。该方法可包含：使一膜先质经由实质维持于第一温度的一喷淋头流入一处理腔室；及使该膜先质吸附至被固定在一基板固持器上的一基板之上，使得该先质形成一吸附限制层，同时将该基板固持器实质维持于一第二温度。该第一温度可高于该第二温度至少约10℃，或该第一温度可等于或低于该第二温度。该方法可更包含：从围绕所吸附之膜先质的体积移除至少一些未吸附的膜先质；及之后使吸附之膜先质起反应，以形成一膜层。在此处亦揭露具有一处理腔室、一基板固持器、一喷淋头、及一个以上控制器的设备，用于操作该设备以使用前述膜沉积技术。

7. 发明专利

TWI614363B 在原子層沉積多站／批式反應器中之序列型先驅物用劑有权
简体标题：在原子层沉积多站／批式反应器中之串行型先驱物用剂
公开(公告)号：TWI614363B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW103124005
申请日：2014-07-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：謙德拉瑟哈蘭拉密許 , CHANDRASEKHARAN, RAMESH , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 斯列文戴米恩 , SLEVIN, DAMIEN , 里瑟卡爾F , LEESER, KARL F.
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/458 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02208 , H01L21/02274 , H01L21/67207

8. 发明专利

TW201516174A 在原子層沉積多站／批式反應器中之序列型先驅物用劑审中-公开
简体标题：在原子层沉积多站／批式反应器中之串行型先驱物用剂
公开(公告)号：TW201516174A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103124005
申请日：2014-07-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：謙德拉瑟哈蘭拉密許 , CHANDRASEKHARAN, RAMESH , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 斯列文戴米恩 , SLEVIN, DAMIEN , 里瑟卡爾F , LEESER, KARL F.
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/458 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02208 , H01L21/02274 , H01L21/67207
摘要：本文所揭露的是材料層的沉積方法，用以在一個以上的處理腔室中於多個處理站在多個半導體基板上沉積材料層。該方法可包含：將自共同來源流出的膜先驅物施用至在第一處理站的第一基板及在第二處理站的第二基板，其中將該膜先驅物的用劑步驟時序交錯，使得在實質上並無對第二基板用劑的第一用劑階段期間對第一基板用劑，及在實質上並無對第一基板用劑的第二用劑階段期間對第二基板用劑。本文亦揭露一種設備，其具有容納於一個以上的反應腔室的複數個處理站，及具有用於將第一及第二處理站之第一及第二基板用劑步驟加以交錯的機器可讀指令的控制器。
简体摘要：本文所揭露的是材料层的沉积方法，用以在一个以上的处理腔室中于多个处理站在多个半导体基板上沉积材料层。该方法可包含：将自共同来源流出的膜先驱物施用至在第一处理站的第一基板及在第二处理站的第二基板，其中将该膜先驱物的用剂步骤时序交错，使得在实质上并无对第二基板用剂的第一用剂阶段期间对第一基板用剂，及在实质上并无对第一基板用剂的第二用剂阶段期间对第二基板用剂。本文亦揭露一种设备，其具有容纳于一个以上的反应腔室的复数个处理站，及具有用于将第一及第二处理站之第一及第二基板用剂步骤加以交错的机器可读指令的控制器。

9. 发明专利

TW201629253A 含矽膜之原子層沉積中的選擇性抑制审中-公开
简体标题：含硅膜之原子层沉积中的选择性抑制
公开(公告)号：TW201629253A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104137641
申请日：2015-11-16
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：亨利強 , HENRI, JON , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M. , 凡史貴凡迪巴頓 J , VAN SCHRAVENDIJK, BART J. , 唐沙恩 , TANG, SHANE , 里瑟卡爾 F , LEESER, KARL F.
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/30 , C23C16/52 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/04 , C23C16/045 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/02312 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/0262
摘要：提供選擇性抑制藉由原子層沉積所沉積之含矽膜之沉積作用的方法。選擇性抑制涉及將含矽前驅物之吸附層暴露到含氫抑制劑，且於若干例子中，在將吸附層暴露到第二反應劑之前進行選擇性抑制。暴露到含氫抑制劑可在有電漿存在之情況下執行，且方法適用於含矽膜之熱或電漿增強原子層沉積中的選擇性抑制。
简体摘要：提供选择性抑制借由原子层沉积所沉积之含硅膜之沉积作用的方法。选择性抑制涉及将含硅前驱物之吸附层暴露到含氢抑制剂，且于若干例子中，在将吸附层暴露到第二反应剂之前进行选择性抑制。暴露到含氢抑制剂可在有等离子存在之情况下运行，且方法适用于含硅膜之热或等离子增强原子层沉积中的选择性抑制。

10. 发明专利

TW201704671A 配管組件之熱控制用設備及關聯方法审中-公开
简体标题：配管组件之热控制用设备及关联方法
公开(公告)号：TW201704671A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105109635
申请日：2016-03-28
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：里瑟卡爾 F , LEESER, KARL F.
IPC分类号： F16L53/00 , H01L21/02
CPC分类号： F24H3/081 , F16L53/38 , H01J37/3244
摘要：一種配管組件包含複數個配管結構，以提供一個以上流徑的配置彼此連接，該一個以上流徑從流體入口通過該複數個配管結構而至該複數個配管結構的流體出口。一電阻加熱絲導線係圍繞該複數個配管結構以無間斷的方式從該流體入口至該流體出口加以捲繞。該電阻加熱絲導線具有位在靠近該複數個配管結構之該流體入口的一第一電引線部，及位在靠近該複數個配管結構之該流體出口的一第二電引線部。一熱絕緣材料的封裝層係配置在該複數個配管結構的整體上，且將圍繞該複數個配管結構捲繞的該電阻加熱絲導線加以覆蓋，並露出該第一及第二電引線部。
简体摘要：一种配管组件包含复数个配管结构，以提供一个以上流径的配置彼此连接，该一个以上流径从流体入口通过该复数个配管结构而至该复数个配管结构的流体出口。一电阻加热丝导线系围绕该复数个配管结构以无间断的方式从该流体入口至该流体出口加以卷绕。该电阻加热丝导线具有位在靠近该复数个配管结构之该流体入口的一第一电引线部，及位在靠近该复数个配管结构之该流体出口的一第二电引线部。一热绝缘材料的封装层系配置在该复数个配管结构的整体上，且将围绕该复数个配管结构卷绕的该电阻加热丝导线加以覆盖，并露出该第一及第二电引线部。

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