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1. 发明专利

TW201903016A 洗淨方法、洗淨裝置、記憶介質及洗淨組成物审中-公开
简体标题：洗净方法、洗净设备、记忆介质及洗净组成物
公开(公告)号：TW201903016A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107106511
申请日：2018-02-27
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. , 日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：平野勳 , HIRANO, ISAO , 寺田正一 , TERADA, SHOICHI , 中村淳司 , NAKAMURA, JUNJI , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI
IPC分类号： C08J11/14 , C09K13/00 , C11D7/08 , C11D7/26 , C11D7/34 , C11D7/32 , C11D11/00 , B08B3/08 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L21/67
摘要：本發明提供一種藉由在比以往還高溫下使被處理層分解或變性而可有效地去除被處理層之洗淨方法、洗淨裝置、記憶介質及洗淨組成物。　　在將具備被處理層的基板加熱的狀態下，對於基板供給可將被處理層分解的成分(A)的蒸氣，接下來將與成分(A)反應的被處理層由基板去除。作為成分(A)係以硝酸、或磺酸為佳。作為磺酸係以氟化烷基磺酸為佳。
简体摘要：本发明提供一种借由在比以往还高温下使被处理层分解或变性而可有效地去除被处理层之洗净方法、洗净设备、记忆介质及洗净组成物。　　在将具备被处理层的基板加热的状态下，对于基板供给可将被处理层分解的成分(A)的蒸气，接下来将与成分(A)反应的被处理层由基板去除。作为成分(A)系以硝酸、或磺酸为佳。作为磺酸系以氟化烷基磺酸为佳。

2. 发明专利

TW201816869A 基板處理裝置、基板處理方法及記錄有實行基板處理方法之程式的記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及记录有实行基板处理方法之进程的记忆媒体
公开(公告)号：TW201816869A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106124719
申请日：2017-07-24
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI , 寺田正一 , TERADA, SHOICHI , 中村淳司 , NAKAMURA, JUNJI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/027
摘要： [課題] 係以提供可以從基板有效果地除去該基板上之附著物之基板處理裝置及基板處理方法為目的。　　[解決手段] 藉由處理液供給部，對基板供給含有附著物之除去劑，和具有較除去劑之沸點低之沸點的溶媒之處理液，接著藉由基板加熱部，以處理液中之溶媒之沸點以上並且除去劑之沸點未滿之特定溫度加熱基板，接著，藉由沖洗液供給部，對基板供給沖洗液，依此從基板除去附著物。
简体摘要： [课题] 系以提供可以从基板有效果地除去该基板上之附着物之基板处理设备及基板处理方法为目的。　　[解决手段] 借由处理液供给部，对基板供给含有附着物之除去剂，和具有较除去剂之沸点低之沸点的溶媒之处理液，接着借由基板加热部，以处理液中之溶媒之沸点以上并且除去剂之沸点未满之特定温度加热基板，接着，借由冲洗液供给部，对基板供给冲洗液，依此从基板除去附着物。

3. 发明专利

TWI549169B 半導體基板用超臨界乾燥方法及裝置有权
简体标题：半导体基板用超临界干燥方法及设备
公开(公告)号：TWI549169B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW101105149
申请日：2012-02-16
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤洋平 , SATO, YOHEI , 大口壽史 , OKUCHI, HISASHI , 富田寬 , TOMITA, HIROSHI , 林秀和 , HAYASHI, HIDEKAZU , 北島由貴子 , KITAJIMA, YUKIKO , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI , 光岡一行 , MITSUOKA, KAZUYUKI , 楊元 , YOU, GEN , 大野廣基 , OHNO, HIROKI , 折居武彥 , ORII, TAKEHIKO
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/67
CPC分类号： F26B3/02

4. 发明专利

TW201312639A 基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及记忆媒体
公开(公告)号：TW201312639A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101119114
申请日：2012-05-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：光岡一行 , MITSUOKA, KAZUYUKI , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI , 折居武彥 , ORII, TAKEHIKO , 楊元 , YOU, GEN , 大野廣基 , OHNO, HIROKI , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/02057 , H01L21/02101
摘要：〔課題〕提供能夠以比較短之時間除去進入至基板之圖案內之乾燥防止用之液體的基板處理方法等。〔解決手段〕在表面形成凹凸圖案，將附著以進入至其凹部內之方式覆蓋上述圖案之乾燥防止用之液體的基板(W)搬入至處理容器(31)內，接著加熱基板(W)，並且將加壓用之氣體或高壓狀態之流體供給至處理容器(31)內，且於乾燥防止用之液體氣化至引起圖案崩塌之程度之前，在該處理容器(31)內形成高壓氛圍，而在使進入至上述圖案之凹部內之狀態下使乾燥防止用之液體成為高壓狀態之後，以高壓狀態或氣體之狀態排出處理容器(31)內之流體。
简体摘要：〔课题〕提供能够以比较短之时间除去进入至基板之图案内之干燥防止用之液体的基板处理方法等。〔解决手段〕在表面形成凹凸图案，将附着以进入至其凹部内之方式覆盖上述图案之干燥防止用之液体的基板(W)搬入至处理容器(31)内，接着加热基板(W)，并且将加压用之气体或高压状态之流体供给至处理容器(31)内，且于干燥防止用之液体气化至引起图案崩塌之程度之前，在该处理容器(31)内形成高压氛围，而在使进入至上述图案之凹部内之状态下使干燥防止用之液体成为高压状态之后，以高压状态或气体之状态排出处理容器(31)内之流体。

5. 发明专利

TW201245490A 電鍍處理裝置，電鍍處理方法及記錄媒體 PLATING PROCESSING APPARATUS AND PLATING PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM 审中-公开
简体标题：电镀处理设备，电镀处理方法及记录媒体 PLATING PROCESSING APPARATUS AND PLATING PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM
公开(公告)号：TW201245490A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101102050
申请日：2012-01-18
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：田中崇 , 齋藤祐介 , 岩下光秋 , 戶島孝之
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C18/1619
摘要：本發明的課題是在於提供一種電鍍液中的溶氧及溶氫被有效率地除去的電鍍處理裝置。電鍍處理裝置(20)係具備：旋轉保持基板(2)的基板旋轉保持機構(110)、及對基板(2)供給電鍍液(35)的電鍍液供給機構(30)。其中電鍍液供給機構(30)係具有：儲存被供給至基板(2)的電鍍液(35)的供給槽(31)、及將電鍍液(35)吐出至基板(2)的吐出噴嘴(32)、及將供給槽(31)的電鍍液(35)供給至吐出噴嘴(32)的電鍍液供給管(33)。並且，在供給槽(31)設有供給槽用脫氣手段(34)，其係被連接至供給槽(31)，除去被儲存於供給槽(31)的電鍍液(35)中的溶氧及溶氫。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种电镀液中的溶氧及溶氢被有效率地除去的电镀处理设备。电镀处理设备(20)系具备：旋转保持基板(2)的基板旋转保持机构(110)、及对基板(2)供给电镀液(35)的电镀液供给机构(30)。其中电镀液供给机构(30)系具有：存储被供给至基板(2)的电镀液(35)的供给槽(31)、及将电镀液(35)吐出至基板(2)的吐出喷嘴(32)、及将供给槽(31)的电镀液(35)供给至吐出喷嘴(32)的电镀液供给管(33)。并且，在供给槽(31)设有供给槽用脱气手段(34)，其系被连接至供给槽(31)，除去被存储于供给槽(31)的电镀液(35)中的溶氧及溶氢。

6. 发明专利

TWI362068B 液處理裝置有权
简体标题：液处理设备
公开(公告)号：TWI362068B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：TW096113508
申请日：2007-04-17
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：金子聰 , 松本和久 , 伊藤規宏 , 飽本正巳 , 戶島孝之 , 難波宏光
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6715 , H01L21/68728 , Y10S134/902
摘要：本發明之液處理裝置的特徵係具備：基板保持部，其係將基板保持於水平，且可與基板一起旋轉；旋轉杯，其係圍繞被保持於上述基板保持部的基板，且可與基板一起旋轉；旋轉機構，其係使上述旋轉杯及上述基板保持部一體旋轉；液供給機構，其係至少對基板的表面供給處理液；排氣．排液部，其係從上述旋轉杯排氣及排液至外部；及引導構件，其係以表面能夠和基板表面大致連續的方式來設置於基板的外側，與上述基板保持部及上述旋轉杯一起旋轉，使供給至基板表面而從基板甩掉的處理液經由其表面來從上述旋轉杯引導至上述排氣．排液部。
简体摘要：本发明之液处理设备的特征系具备：基板保持部，其系将基板保持于水平，且可与基板一起旋转；旋转杯，其系围绕被保持于上述基板保持部的基板，且可与基板一起旋转；旋转机构，其系使上述旋转杯及上述基板保持部一体旋转；液供给机构，其系至少对基板的表面供给处理液；排气．排液部，其系从上述旋转杯排气及排液至外部；及引导构件，其系以表面能够和基板表面大致连续的方式来设置于基板的外侧，与上述基板保持部及上述旋转杯一起旋转，使供给至基板表面而从基板甩掉的处理液经由其表面来从上述旋转杯引导至上述排气．排液部。

7. 发明专利

TW201012965A 帽蓋金屬形成方法 METAL CAP FORMING METHOD 审中-公开
简体标题：帽盖金属形成方法 METAL CAP FORMING METHOD
公开(公告)号：TW201012965A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098109153
申请日：2009-03-20
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：戶島孝之 , 岩下光秋 , 田中崇 , 齋藤祐介
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/288 , C23C18/1628 , C23C18/1669 , H01L21/6715 , H01L21/76849
摘要：本發明之課題為：實現在基板面內形成均一的膜厚。為解決上述課題，本帽蓋金屬形成方法係在形成於基板之待處理面之銅配線上形成帽蓋金屬的方法，包含：將基板以可旋轉方式固持的步驟；使所固持之基板以沿基板之待處理面的方向旋轉的步驟；在基板之周緣部的待處理面上以一定間隔相對而配置攪拌構件之端部的步驟；對待處理面供給電鍍處理液的步驟；停止供給電鍍處理液，並移動攪拌構件，以使該攪拌構件之端部從基板之待處理面分離的步驟。
简体摘要：本发明之课题为：实现在基板面内形成均一的膜厚。为解决上述课题，本帽盖金属形成方法系在形成于基板之待处理面之铜配在线形成帽盖金属的方法，包含：将基板以可旋转方式固持的步骤；使所固持之基板以沿基板之待处理面的方向旋转的步骤；在基板之周缘部的待处理面上以一定间隔相对而配置搅拌构件之端部的步骤；对待处理面供给电镀处理液的步骤；停止供给电镀处理液，并移动搅拌构件，以使该搅拌构件之端部从基板之待处理面分离的步骤。

8. 发明专利

TW201545223A 分離再生裝置及基板處理裝置审中-公开
简体标题：分离再生设备及基板处理设备
公开(公告)号：TW201545223A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104107842
申请日：2015-03-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：光岡一行 , MITSUOKA, KAZUYUKI , 大野廣基 , OHNO, HIROKI , 折居武彥 , ORII, TAKEHIKO , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/304 , B08B3/08
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/02057 , H01L21/02101
摘要：本發明提供一種可將晶圓W上的液體確實地去除，並追求運轉成本的降低，去除F離子。本發明之分離再生裝置，具備：超臨界處理單元3，產生含有具備第1沸點之第1含氟有機溶劑、及具備較第1沸點更低的第2沸點之第2含氟有機溶劑的混合氣體；以及蒸餾槽34，收納具有第1沸點與第2沸點之間的溫度之溫水34W，並將混合氣體投入此溫水34W中，使其分離為液體狀的第1含氟有機溶劑與氣體狀的第2含氟有機溶劑。設置有將來自超臨界處理單元3的混合氣體引導往蒸餾槽34之導入管線50，將此導入管線50之前端50a配置於溫水34W中。
简体摘要：本发明提供一种可将晶圆W上的液体确实地去除，并追求运转成本的降低，去除F离子。本发明之分离再生设备，具备：超临界处理单元3，产生含有具备第1沸点之第1含氟有机溶剂、及具备较第1沸点更低的第2沸点之第2含氟有机溶剂的混合气体；以及蒸馏槽34，收纳具有第1沸点与第2沸点之间的温度之温水34W，并将混合气体投入此温水34W中，使其分离为液体状的第1含氟有机溶剂与气体状的第2含氟有机溶剂。设置有将来自超临界处理单元3的混合气体引导往蒸馏槽34之导入管线50，将此导入管线50之前端50a配置于温水34W中。

9. 发明专利

TWI479054B 電鍍處理裝置及電鍍處理方法以及記錄電鍍處理程式的記錄媒體有权
简体标题：电镀处理设备及电镀处理方法以及记录电镀处理进程的记录媒体
公开(公告)号：TWI479054B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW100138892
申请日：2011-10-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中崇 , TANAKA, TAKASHI , 齋藤祐介 , SAITO, YUSUKE , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI
IPC分类号： C25D7/12 , C25D21/12 , C25D19/00
CPC分类号： B05D7/50 , B05B12/04 , B05B12/14 , B05D1/02 , C23C18/1632 , C23C18/1651 , C23C18/31 , C23C18/54 , C25D17/001

10. 发明专利

TWI467646B 超臨界處理裝置及超臨界處理方法有权
简体标题：超临界处理设备及超临界处理方法
公开(公告)号：TWI467646B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW100105256
申请日：2011-02-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI , 光岡一行 , MITSUOKA, KAZUYUKI , 岡本秀一 , OKAMOTO, SHUICHI , 生津英夫 , NAMATSU, HIDEO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027
CPC分类号： B08B5/00 , B08B13/00

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