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1. 发明专利

TW201903016A 洗淨方法、洗淨裝置、記憶介質及洗淨組成物审中-公开
简体标题：洗净方法、洗净设备、记忆介质及洗净组成物
公开(公告)号：TW201903016A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107106511
申请日：2018-02-27
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. , 日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：平野勳 , HIRANO, ISAO , 寺田正一 , TERADA, SHOICHI , 中村淳司 , NAKAMURA, JUNJI , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI
IPC分类号： C08J11/14 , C09K13/00 , C11D7/08 , C11D7/26 , C11D7/34 , C11D7/32 , C11D11/00 , B08B3/08 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L21/67
摘要：本發明提供一種藉由在比以往還高溫下使被處理層分解或變性而可有效地去除被處理層之洗淨方法、洗淨裝置、記憶介質及洗淨組成物。　　在將具備被處理層的基板加熱的狀態下，對於基板供給可將被處理層分解的成分(A)的蒸氣，接下來將與成分(A)反應的被處理層由基板去除。作為成分(A)係以硝酸、或磺酸為佳。作為磺酸係以氟化烷基磺酸為佳。
简体摘要：本发明提供一种借由在比以往还高温下使被处理层分解或变性而可有效地去除被处理层之洗净方法、洗净设备、记忆介质及洗净组成物。　　在将具备被处理层的基板加热的状态下，对于基板供给可将被处理层分解的成分(A)的蒸气，接下来将与成分(A)反应的被处理层由基板去除。作为成分(A)系以硝酸、或磺酸为佳。作为磺酸系以氟化烷基磺酸为佳。

2. 发明专利

TW201827584A 洗淨組成物、洗淨方法及半導體之製造方法审中-公开
简体标题：洗净组成物、洗净方法及半导体之制造方法
公开(公告)号：TW201827584A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106133044
申请日：2017-09-27
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. , 日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：平野勳 , HIRANO, ISAO , 脇屋和正 , WAKIYA, KAZUMASA , 寺田正一 , TERADA, SHOICHI , 中村淳司 , NAKAMURA, JUNJI , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI
IPC分类号： C11D7/04 , C11D7/18 , C11D7/22 , H01L21/304
摘要：提供一種洗淨組成物，其係使用半導體製造裝置中所搭載的塗佈機或烘烤爐(硬化爐)、洗淨腔室等非特別之裝置，可抑制基板或層間絕緣膜等的被處理層以外的其他層之損傷或形狀變化之同時，可良好地除去被處理層，以及提供使用該洗淨組成物的洗淨方法、與使用該洗淨方法的半導體之製造方法。　　使用含有可分解被處理層的成分(A)、及膜形成性聚合物(B)而成的洗淨組成物，來洗淨形成於基板上的被處理層。作為被處理層，可舉例硬遮罩膜。作為成分(A)，可舉例選自鹼性化合物(A1)、及酸性化合物(A2)之至少1種。
简体摘要：提供一种洗净组成物，其系使用半导体制造设备中所搭载的涂布机或烘烤炉(硬化炉)、洗净腔室等非特别之设备，可抑制基板或层间绝缘膜等的被处理层以外的其他层之损伤或形状变化之同时，可良好地除去被处理层，以及提供使用该洗净组成物的洗净方法、与使用该洗净方法的半导体之制造方法。　　使用含有可分解被处理层的成分(A)、及膜形成性聚合物(B)而成的洗净组成物，来洗净形成于基板上的被处理层。作为被处理层，可举例硬遮罩膜。作为成分(A)，可举例选自碱性化合物(A1)、及酸性化合物(A2)之至少1种。

3. 发明专利

TW201816869A 基板處理裝置、基板處理方法及記錄有實行基板處理方法之程式的記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及记录有实行基板处理方法之进程的记忆媒体
公开(公告)号：TW201816869A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106124719
申请日：2017-07-24
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI , 寺田正一 , TERADA, SHOICHI , 中村淳司 , NAKAMURA, JUNJI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/027
摘要： [課題] 係以提供可以從基板有效果地除去該基板上之附著物之基板處理裝置及基板處理方法為目的。　　[解決手段] 藉由處理液供給部，對基板供給含有附著物之除去劑，和具有較除去劑之沸點低之沸點的溶媒之處理液，接著藉由基板加熱部，以處理液中之溶媒之沸點以上並且除去劑之沸點未滿之特定溫度加熱基板，接著，藉由沖洗液供給部，對基板供給沖洗液，依此從基板除去附著物。
简体摘要： [课题] 系以提供可以从基板有效果地除去该基板上之附着物之基板处理设备及基板处理方法为目的。　　[解决手段] 借由处理液供给部，对基板供给含有附着物之除去剂，和具有较除去剂之沸点低之沸点的溶媒之处理液，接着借由基板加热部，以处理液中之溶媒之沸点以上并且除去剂之沸点未满之特定温度加热基板，接着，借由冲洗液供给部，对基板供给冲洗液，依此从基板除去附着物。

4. 发明专利

TWI549169B 半導體基板用超臨界乾燥方法及裝置有权
简体标题：半导体基板用超临界干燥方法及设备
公开(公告)号：TWI549169B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW101105149
申请日：2012-02-16
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤洋平 , SATO, YOHEI , 大口壽史 , OKUCHI, HISASHI , 富田寬 , TOMITA, HIROSHI , 林秀和 , HAYASHI, HIDEKAZU , 北島由貴子 , KITAJIMA, YUKIKO , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI , 光岡一行 , MITSUOKA, KAZUYUKI , 楊元 , YOU, GEN , 大野廣基 , OHNO, HIROKI , 折居武彥 , ORII, TAKEHIKO
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/67
CPC分类号： F26B3/02

5. 发明专利

TW201312639A 基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及记忆媒体
公开(公告)号：TW201312639A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101119114
申请日：2012-05-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：光岡一行 , MITSUOKA, KAZUYUKI , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI , 折居武彥 , ORII, TAKEHIKO , 楊元 , YOU, GEN , 大野廣基 , OHNO, HIROKI , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/02057 , H01L21/02101
摘要：〔課題〕提供能夠以比較短之時間除去進入至基板之圖案內之乾燥防止用之液體的基板處理方法等。〔解決手段〕在表面形成凹凸圖案，將附著以進入至其凹部內之方式覆蓋上述圖案之乾燥防止用之液體的基板(W)搬入至處理容器(31)內，接著加熱基板(W)，並且將加壓用之氣體或高壓狀態之流體供給至處理容器(31)內，且於乾燥防止用之液體氣化至引起圖案崩塌之程度之前，在該處理容器(31)內形成高壓氛圍，而在使進入至上述圖案之凹部內之狀態下使乾燥防止用之液體成為高壓狀態之後，以高壓狀態或氣體之狀態排出處理容器(31)內之流體。
简体摘要：〔课题〕提供能够以比较短之时间除去进入至基板之图案内之干燥防止用之液体的基板处理方法等。〔解决手段〕在表面形成凹凸图案，将附着以进入至其凹部内之方式覆盖上述图案之干燥防止用之液体的基板(W)搬入至处理容器(31)内，接着加热基板(W)，并且将加压用之气体或高压状态之流体供给至处理容器(31)内，且于干燥防止用之液体气化至引起图案崩塌之程度之前，在该处理容器(31)内形成高压氛围，而在使进入至上述图案之凹部内之状态下使干燥防止用之液体成为高压状态之后，以高压状态或气体之状态排出处理容器(31)内之流体。

6. 发明专利

TWI638688B 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體有权
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TWI638688B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW104134293
申请日：2015-10-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大野廣基 , OHNO, HIROKI , 田內啟士 , TANOUCHI, KEIJI , 光岡一行 , MITSUOKA, KAZUYUKI , 折居武彥 , ORII, TAKEHIKO , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI
IPC分类号： B08B3/08 , H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/67

7. 发明专利

TW201545801A 分離再生裝置及基板處理裝置审中-公开
简体标题：分离再生设备及基板处理设备
公开(公告)号：TW201545801A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104107840
申请日：2015-03-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：光岡一行 , MITSUOKA, KAZUYUKI , 大野廣基 , OHNO, HIROKI , 折居武彥 , ORII, TAKEHIKO , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI
IPC分类号： B01D3/14 , B01D3/32 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/02057 , H01L21/02101
摘要：本發明提供一種分離再生裝置及基板處理裝置，可將晶圓W上的液體確實地去除，並追求運轉成本的降低。分離再生裝置30，具備：混合排液槽31（混合液產生部），產生含有未溶解於含氟有機溶劑且比重輕之液體、具備第1沸點之第1含氟有機溶劑、及具備較第1沸點更高的第2沸點之第2含氟有機溶劑的混合液體；蒸餾槽34，將混合液中的第1含氟有機溶劑與第2含氟有機溶劑加熱至第1沸點與第2沸點之間的溫度，使其分離為氣體狀的第1含氟有機溶劑與液體狀的第2含氟有機溶劑；第1槽35，將來自蒸餾槽34的第1含氟有機溶劑液化而儲存；以及第2槽36，儲存來自蒸餾槽34的第2含氟有機溶劑。於第1槽35及第2槽36，設置使超壓返回混合排液槽31側之超壓回流管線51、53。
简体摘要：本发明提供一种分离再生设备及基板处理设备，可将晶圆W上的液体确实地去除，并追求运转成本的降低。分离再生设备30，具备：混合排液槽31（混合液产生部），产生含有未溶解于含氟有机溶剂且比重轻之液体、具备第1沸点之第1含氟有机溶剂、及具备较第1沸点更高的第2沸点之第2含氟有机溶剂的混合液体；蒸馏槽34，将混合液中的第1含氟有机溶剂与第2含氟有机溶剂加热至第1沸点与第2沸点之间的温度，使其分离为气体状的第1含氟有机溶剂与液体状的第2含氟有机溶剂；第1槽35，将来自蒸馏槽34的第1含氟有机溶剂液化而存储；以及第2槽36，存储来自蒸馏槽34的第2含氟有机溶剂。于第1槽35及第2槽36，设置使超压返回混合排液槽31侧之超压回流管线51、53。

8. 发明专利

TWI504781B 電鍍處理裝置，電鍍處理方法及記錄媒體有权
简体标题：电镀处理设备，电镀处理方法及记录媒体
公开(公告)号：TWI504781B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW101102050
申请日：2012-01-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中崇 , TANAKA, TAKASHI , 齋藤祐介 , SAITO, YUSUKE , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI
IPC分类号： C23C18/31 , C23C18/32
CPC分类号： C23C18/1619

9. 发明专利

TWI429012B 基板運送裝置及基板處理系統有权
简体标题：基板运送设备及基板处理系统
公开(公告)号：TWI429012B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW099103191
申请日：2010-02-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI , 寺田和雄 , TERADA, KAZUO
IPC分类号： H01L21/677 , B65G49/07
CPC分类号： H01L21/67057 , H01L21/67034 , H01L21/67346 , H01L21/67748 , H01L21/68742

10. 发明专利

TWI416608B 半導體基板之液體處理方法、半導體基板之液體處理裝置、及記憶媒體有权
简体标题：半导体基板之液体处理方法、半导体基板之液体处理设备、及记忆媒体
公开(公告)号：TWI416608B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW098131547
申请日：2009-09-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中森光則 , NAKAMORI, MITSUNORI , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI , 新藤尚樹 , SHINDO, NAOKI , 關口賢治 , SEKIGUCHI, KENJI , 大森傳 , OMORI, TSUTAE
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/67

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