专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI649448B 鍍敷處理方法及記憶媒體有权
简体标题：镀敷处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI649448B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW105111088
申请日：2016-04-08
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：水谷信崇 , MIZUTANI, NOBUTAKA , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI , 田中崇 , TANAKA, TAKASHI
IPC分类号： C23C18/18 , C23C18/42 , H01L21/3205 , H01L21/768

2. 发明专利

TW201833383A 鍍敷處理方法、鍍敷處理裝置及記憶媒體审中-公开
简体标题：镀敷处理方法、镀敷处理设备及记忆媒体
公开(公告)号：TW201833383A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106134867
申请日：2017-10-12
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：稲富裕一郎 , INATOMI, YUICHIRO , 田中崇 , TANAKA, TAKASHI , 岩井和俊 , IWAI, KAZUTOSHI
IPC分类号： C23C18/18 , C23C18/31
摘要：本發明係一種鍍敷處理方法，鍍敷處理裝置及記憶媒體，其課題為提供：可防止對於不可鍍敷材料部分產生有瑕疵(缺陷)情況之鍍敷處理方法，鍍敷處理裝置及記憶媒體。　　{0＞[解決手段]表面にめっき不可材料部分31とめっき可能材料部分32とが形成された基板Wを準備し、基板Wに対して触媒付与処理を行うことにより、めっき可能材料部分32に対して選択的に触媒を付与する。＜}100{＞解決手段為準備加以形成有不可鍍敷材料部分(31)與可鍍敷材料部分(32)於表面之基板(W)，經由對於基板(W)而言進行觸媒賦予處理之時，對於可鍍敷材料部分32而言，選擇性地賦予觸媒。＜0}{0＞次に、基板Wに対してめっき液M1を供給することにより、めっき可能材料部分32に対して選択的にめっき層35を形成する。＜}84{＞接著，經由對於基板(W)而言供給鍍敷液(M1)之時，對於可鍍敷材料部分(32)而言，選擇性地形成鍍敷層(35)。＜0}{0＞めっき液M1は、めっき不可材料部分31にめっき層35が析出することを抑制する抑制剤を含有する。＜}73{＞鍍敷液(M1)係含有抑制鍍敷層(35)析出於不可鍍敷材料部分(31)情況之抑制劑。
简体摘要：本发明系一种镀敷处理方法，镀敷处理设备及记忆媒体，其课题为提供：可防止对于不可镀敷材料部分产生有瑕疵(缺陷)情况之镀敷处理方法，镀敷处理设备及记忆媒体。　　{0＞[解决手段]表面にめっき不可材料部分31とめっき可能材料部分32とが形成された基板Wを准备し、基板Wに対して触媒付与处理を行うことにより、めっき可能材料部分32に対して选択的に触媒を付与する。＜}100{＞解决手段为准备加以形成有不可镀敷材料部分(31)与可镀敷材料部分(32)于表面之基板(W)，经由对于基板(W)而言进行触媒赋予处理之时，对于可镀敷材料部分32而言，选择性地赋予触媒。＜0}{0＞次に、基板Wに対してめっき液M1を供给することにより、めっき可能材料部分32に対して选択的にめっき层35を形成する。＜}84{＞接着，经由对于基板(W)而言供给镀敷液(M1)之时，对于可镀敷材料部分(32)而言，选择性地形成镀敷层(35)。＜0}{0＞めっき液M1は、めっき不可材料部分31にめっき层35が析出することを抑制する抑制剤を含有する。＜}73{＞镀敷液(M1)系含有抑制镀敷层(35)析出于不可镀敷材料部分(31)情况之抑制剂。

3. 发明专利

TWI630285B 鍍敷處理方法、鍍敷處理裝置及記憶媒體有权
简体标题：镀敷处理方法、镀敷处理设备及记忆媒体
公开(公告)号：TWI630285B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW104126257
申请日：2015-08-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：稲富裕一郎 , INATOMI, YUICHIRO , 田中崇 , TANAKA, TAKASHI
IPC分类号： C23C28/02 , H01L21/3205 , H01L23/52 , C23C18/31

4. 发明专利

TW201702428A 包含有遮光體之光學裝置之製造方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：包含有遮光体之光学设备之制造方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201702428A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105104613
申请日：2016-02-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中崇 , TANAKA, TAKASHI , 齋藤祐介 , SAITO, YUSUKE , 岩井和俊 , IWAI, KAZUTOSHI , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI
IPC分类号： C23C18/32 , G02B5/20 , H01L21/288 , H01L27/14
CPC分类号： C23C18/32 , G02B5/20 , H01L21/288 , H01L27/14
摘要：低成本且精度良好地製作光學裝置之遮光體。包含有遮光體之光學裝置之製造方法，係具備有對基板(2)上施予無電解鍍敷而形成Co或Co合金之鍍敷層(23)的工程，從而製作由鍍敷層(23)所構成的遮光體(23A)。
简体摘要：低成本且精度良好地制作光学设备之遮光体。包含有遮光体之光学设备之制造方法，系具备有对基板(2)上施予无电解镀敷而形成Co或Co合金之镀敷层(23)的工程，从而制作由镀敷层(23)所构成的遮光体(23A)。

5. 发明专利

TWI505321B 液處理裝置，液處理方法有权
简体标题：液处理设备，液处理方法
公开(公告)号：TWI505321B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW100137134
申请日：2011-10-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中崇 , TANAKA, TAKASHI , 齋藤祐介 , SAITO, YUSUKE , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/288
CPC分类号： H01L21/6723 , C23C18/1619 , C23C18/1653 , C23C18/1675 , C23C18/1676 , C23C18/168 , C23C18/50 , H01L21/288

6. 发明专利

TW201532682A 鍍層之前處理方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：镀层之前处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201532682A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103140060
申请日：2014-11-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中崇 , TANAKA, TAKASHI , 稲富裕一郎 , INATOMI, YUICHIRO , 岩井和俊 , IWAI, KAZUTOSHI , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI
IPC分类号： B05D1/36 , C23C28/00
CPC分类号： C23C28/34 , C23C18/02 , C23C18/04 , C23C18/06 , C23C18/1275 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1851 , C23C18/1865 , C23C18/1868 , C23C18/1893 , C23C18/32 , C23C18/38 , C23C28/00 , C23C28/021 , C23C28/321 , H01L21/288 , H01L21/76874 , H01L21/76898
摘要：本發明之課題在於提供一種可以在高深寬比的凹部內側表面及凹部外側的基板表面形成具有足夠緊貼性的、均一的鍍層之前處理方法。本發明之解決手段之一種鍍層之前處理方法，係具備：使用第1耦合劑在基板的至少凹部內側的表面形成第1結合層(21a)之第1結合層形成步驟；在第1結合層形成步驟之後，使用第2耦合劑在基板的至少凹部外側的表面形成第2結合層(21b)之第2結合層形成步驟。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种可以在高深宽比的凹部内侧表面及凹部外侧的基板表面形成具有足够紧贴性的、均一的镀层之前处理方法。本发明之解决手段之一种镀层之前处理方法，系具备：使用第1耦合剂在基板的至少凹部内侧的表面形成第1结合层(21a)之第1结合层形成步骤；在第1结合层形成步骤之后，使用第2耦合剂在基板的至少凹部外侧的表面形成第2结合层(21b)之第2结合层形成步骤。

7. 发明专利

TWI479054B 電鍍處理裝置及電鍍處理方法以及記錄電鍍處理程式的記錄媒體有权
简体标题：电镀处理设备及电镀处理方法以及记录电镀处理进程的记录媒体
公开(公告)号：TWI479054B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW100138892
申请日：2011-10-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中崇 , TANAKA, TAKASHI , 齋藤祐介 , SAITO, YUSUKE , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI
IPC分类号： C25D7/12 , C25D21/12 , C25D19/00
CPC分类号： B05D7/50 , B05B12/04 , B05B12/14 , B05D1/02 , C23C18/1632 , C23C18/1651 , C23C18/31 , C23C18/54 , C25D17/001

8. 发明专利

TWI427726B 半導體製造裝置及半導體製造方法有权
简体标题：半导体制造设备及半导体制造方法
公开(公告)号：TWI427726B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW098108771
申请日：2009-03-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中崇 , TANAKA, TAKASHI , 齋藤祐介 , SAITO, YUSUKE , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3205 , B05B1/00
CPC分类号： C25D17/001 , H01L21/288 , H01L21/76849

9. 发明专利

TW201311943A 電鍍處理方法、電鍍處理裝置及記憶媒體审中-公开
简体标题：电镀处理方法、电镀处理设备及记忆媒体
公开(公告)号：TW201311943A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101123283
申请日：2012-06-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：水谷信崇 , MIZUTANI, NOBUTAKA , 田中崇 , TANAKA, TAKASHI , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI
IPC分类号： C25D5/00 , C25D7/12
CPC分类号： C23C18/1689 , C23C18/1619 , C23C18/1669 , C23C18/1675 , C23C18/1676
摘要： [課題]提供一種電鍍處理方法及電鍍處理裝置，藉由提高電鍍液的反應速度，可短縮每1枚基板的電鍍處理時間。[技術內容]在前處理液殘留在基板(2)的表面的狀態下，將基板(2)由第1旋轉數旋轉，藉由朝基板(2)供給電鍍液進行液置換(液置換過程S305)。接著，在朝基板(2)持續供給電鍍液的狀態下，將基板(2)停止或是由第2旋轉數旋轉，在基板(2)進行初期成膜(培養過程S306)。其後，在朝基板(2)持續供給電鍍液的狀態下，使基板(2)由第3旋轉數旋轉，使電鍍膜成長(電鍍膜成長過程S307)。第1旋轉數，是旋轉數比第3旋轉數高，第3旋轉數，是旋轉數比第2旋轉數高。
简体摘要： [课题]提供一种电镀处理方法及电镀处理设备，借由提高电镀液的反应速度，可短缩每1枚基板的电镀处理时间。[技术内容]在前处理液残留在基板(2)的表面的状态下，将基板(2)由第1旋转数旋转，借由朝基板(2)供给电镀液进行液置换(液置换过程S305)。接着，在朝基板(2)持续供给电镀液的状态下，将基板(2)停止或是由第2旋转数旋转，在基板(2)进行初期成膜(培养过程S306)。其后，在朝基板(2)持续供给电镀液的状态下，使基板(2)由第3旋转数旋转，使电镀膜成长(电镀膜成长过程S307)。第1旋转数，是旋转数比第3旋转数高，第3旋转数，是旋转数比第2旋转数高。

10. 发明专利

TW201245506A 電鍍處理裝置、電鍍處理方法及記錄媒體 PLATING PROCESSING APPARATUS AND PLATING PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM 审中-公开
简体标题：电镀处理设备、电镀处理方法及记录媒体 PLATING PROCESSING APPARATUS AND PLATING PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM
公开(公告)号：TW201245506A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101102049
申请日：2012-01-18
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：田中崇 , 齋藤祐介 , 岩下光秋 , 戶島孝之
IPC分类号： C25D
CPC分类号： H01L21/67028 , C23C18/1619 , H01L21/288 , H01L21/67051 , H01L21/6723 , H01L21/76849
摘要：本發明的課題是在於提供一種可容易從電鍍膜除去缺陷的電鍍處理裝置。電鍍處理裝置(20)係具備：旋轉保持基板(2)的基板旋轉保持機構(110)、及對被保持於基板旋轉保持機構(110)的基板(2)供給電鍍液(35)的電鍍液供給機構(30)。並且，設有對被保持於基板旋轉保持機構(110)的基板(2)施加物理力來洗淨基板(2)的物理洗淨機構(70)。物理洗淨機構(70)是藉由在比基板(2)被乾燥更之前對於基板(2)施加物理力來從基板(2)上的電鍍膜除去缺陷(defect)。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可容易从电镀膜除去缺陷的电镀处理设备。电镀处理设备(20)系具备：旋转保持基板(2)的基板旋转保持机构(110)、及对被保持于基板旋转保持机构(110)的基板(2)供给电镀液(35)的电镀液供给机构(30)。并且，设有对被保持于基板旋转保持机构(110)的基板(2)施加物理力来洗净基板(2)的物理洗净机构(70)。物理洗净机构(70)是借由在比基板(2)被干燥更之前对于基板(2)施加物理力来从基板(2)上的电镀膜除去缺陷(defect)。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式