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1. 发明专利

TWI691368B 基板洗淨處理系統、基板洗淨方法及記憶媒體有权
简体标题：基板洗净处理系统、基板洗净方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI691368B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW104124750
申请日：2015-07-30
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：相原明徳 , AIBARA, MEITOKU , 吉田祐希 , YOSHIDA, YUKI , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 山下剛秀 , YAMASHITA, MASAMI , 菅野至 , KANNO, ITARU , 望田憲嗣 , MOCHIDA, KENJI , 島基之 , SHIMA, MOTOYUKI
IPC分类号： B08B3/08 , H01L21/02

2. 发明专利

TWI643241B 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體有权
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TWI643241B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW105121053
申请日：2016-07-04
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：光岡一行 , MITSUOKA, KAZUYUKI , 大野廣基 , OHNO, HIROKI , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 河野央 , KAWANO, HISASHI
IPC分类号： H01L21/02

3. 发明专利

TW201840372A 基板清洗方法、基板清洗系統及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板清洗方法、基板清洗系统及记录媒体
公开(公告)号：TW201840372A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107100119
申请日：2018-01-03
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：相原明德 , AIBARA, MEITOKU , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 伊藤規宏 , ITO, NORIHIRO , 緒方信博 , OGATA, NOBUHIRO
IPC分类号： B08B3/08 , B08B11/00 , H01L21/02
摘要：本發明之課題為促進處理膜從基板剝離。依本發明實施形態之基板清洗方法，包含成膜處理液供給步驟、剝離處理液供給步驟及溶解處理液供給步驟。在成膜處理液供給步驟，對基板供給用以在基板上形成膜的含有揮發成分之成膜處理液。在剝離處理液供給步驟，對成膜處理液因為揮發成分之揮發而在基板上固化或硬化成的處理膜，供給純水作為使處理膜從基板剝離之剝離處理液。溶解處理液供給步驟，係在剝離處理液供給步驟之後，對處理膜供給使處理膜溶解的溶解處理液。又，在剝離處理液供給步驟中，對於處理膜，先供給將表面張力比純水小之液體與純水兩者混合而得的混合液之後，再供給作為剝離處理液的純水。
简体摘要：本发明之课题为促进处理膜从基板剥离。依本发明实施形态之基板清洗方法，包含成膜处理液供给步骤、剥离处理液供给步骤及溶解处理液供给步骤。在成膜处理液供给步骤，对基板供给用以在基板上形成膜的含有挥发成分之成膜处理液。在剥离处理液供给步骤，对成膜处理液因为挥发成分之挥发而在基板上固化或硬化成的处理膜，供给纯水作为使处理膜从基板剥离之剥离处理液。溶解处理液供给步骤，系在剥离处理液供给步骤之后，对处理膜供给使处理膜溶解的溶解处理液。又，在剥离处理液供给步骤中，对于处理膜，先供给将表面张力比纯水小之液体与纯水两者混合而得的混合液之后，再供给作为剥离处理液的纯水。

4. 发明专利

TWI697945B 基板處理方法及基板處理系統有权
简体标题：基板处理方法及基板处理系统
公开(公告)号：TWI697945B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW105141621
申请日：2016-12-15
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：丸本洋 , MARUMOTO, HIROSHI , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 清瀬浩巳 , KIYOSE, HIROMI , 中森光則 , NAKAMORI, MITSUNORI , 光岡一行 , MITSUOKA, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/67

5. 发明专利

TWI671139B 基板洗淨方法及記憶媒體有权
简体标题：基板洗净方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI671139B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104124751
申请日：2015-07-30
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：相原明徳 , AIBARA, MEITOKU , 吉田祐希 , YOSHIDA, YUKI , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 山下剛秀 , YAMASHITA, MASAMI , 菅野至 , KANNO, ITARU , 望田憲嗣 , MOCHIDA, KENJI , 島基之 , SHIMA, MOTOYUKI
IPC分类号： B08B3/08 , H01L21/02

6. 发明专利

TWI584366B 基板處理裝置及基板處理方法和記錄基板處理程式之電腦可讀取之記錄媒體有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法和记录基板处理进程之电脑可读取之记录媒体
公开(公告)号：TWI584366B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW103119351
申请日：2014-06-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 田中暁 , TANAKA, SATORU , 鈴木啓之 , SUZUKI, HIROYUKI , 大石幸太郎 , OOISHI, KOTARO , 篠原和義 , SHINOHARA, KAZUYOSHI , 吉田祐希 , YOSHIDA, YUKI
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/6715

7. 发明专利

TWI596690B 化學流體處理設備及化學流體處理方法有权
简体标题：化学流体处理设备及化学流体处理方法
公开(公告)号：TWI596690B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW103125513
申请日：2014-07-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：巴賽特德瑞克W , BASSETT, DEREK W. , 普林茲華勒斯P , PRINTZ, WALLACE P. , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 甲斐義廣 , KAI, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/30604 , H01L21/32134

8. 发明专利

TW201530677A 化學流體處理設備及化學流體處理方法审中-公开
简体标题：化学流体处理设备及化学流体处理方法
公开(公告)号：TW201530677A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103125513
申请日：2014-07-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：巴賽特德瑞克W , BASSETT, DEREK W. , 普林茲華勒斯P , PRINTZ, WALLACE P. , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 甲斐義廣 , KAI, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/30604 , H01L21/32134
摘要：本發明描述一種化學流體處理設備及化學流體處理方法，用於以複數化學流體處理基板，使得整個基板表面維持實質不變的溫度。該設備包含：一釋放噴嘴，於基板上方，以對基板的前表面供給在第一溫度下的第一化學流體；一桿狀噴嘴，定向於基板的徑向方向，以對基板的前表面或後表面供給在第二溫度下的第二化學流體，第二溫度係高於第一溫度，及其中桿狀噴嘴包含複數個出口，其用以分配第二化學流體至與基板中央不同距離之基板前表面或後表面上的複數個接觸位置。
简体摘要：本发明描述一种化学流体处理设备及化学流体处理方法，用于以复数化学流体处理基板，使得整个基板表面维持实质不变的温度。该设备包含：一释放喷嘴，于基板上方，以对基板的前表面供给在第一温度下的第一化学流体；一杆状喷嘴，定向于基板的径向方向，以对基板的前表面或后表面供给在第二温度下的第二化学流体，第二温度系高于第一温度，及其中杆状喷嘴包含复数个出口，其用以分配第二化学流体至与基板中央不同距离之基板前表面或后表面上的复数个接触位置。

9. 发明专利

TW201403266A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201403266A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102108223
申请日：2013-03-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：八谷洋介 , HACHIYA, YOSUKE , 伊藤規宏 , ITO, NORIHIRO , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 野中純 , NONAKA, JUN , 野上淳 , NOGAMI, JUN
IPC分类号： G11C7/22 , H03K5/156
CPC分类号： H01L21/02076 , G03F7/423 , H01L21/31133 , H01L21/6708
摘要： [課題]在SPM處理中使提升光阻膜之除去效率和降低膜損耗相容。[解決手段]基板處理方法具備：混合被加熱之硫酸和過氧化氫水，而生成充分含有具有光阻膜剝離效果之卡羅酸(caro’s acid)的第1溫度之SPM液之工程；於生成上述第1溫度之SPM液之工程後，將上述SPM液冷卻至具有降低膜損耗效果的第2溫度之工程；及使上述第2溫度之SPM液接觸於光阻膜，而除去光阻膜之工程。
简体摘要： [课题]在SPM处理中使提升光阻膜之除去效率和降低膜损耗兼容。[解决手段]基板处理方法具备：混合被加热之硫酸和过氧化氢水，而生成充分含有具有光阻膜剥离效果之卡罗酸(caro’s acid)的第1温度之SPM液之工程；于生成上述第1温度之SPM液之工程后，将上述SPM液冷却至具有降低膜损耗效果的第2温度之工程；及使上述第2温度之SPM液接触于光阻膜，而除去光阻膜之工程。

10. 发明专利

TWI618137B 基板液體處理裝置及基板液體處理方法有权
简体标题：基板液体处理设备及基板液体处理方法
公开(公告)号：TWI618137B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW104113450
申请日：2015-04-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：井戶泰幸 , IDO, YASUYUKI , 新藤尚樹 , SHINDO, NAOKI , 折居武彥 , ORII, TAKEHIKO , 江頭佳祐 , EGASHIRA, KEISUKE , 八谷洋介 , HACHIYA, YOSUKE , 大石幸太郎 , OOISHI, KOTARO , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 下村伸一郎 , SHIMOMURA, SHINICHIRO
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/31 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67051 , B05B12/14 , B05C11/115 , H01L21/306 , H01L21/31 , H01L21/67017 , H01L21/6715

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