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1. 发明专利

TW201921471A 基板處理方法、記憶媒體及基板處理系統审中-公开
简体标题：基板处理方法、记忆媒体及基板处理系统
公开(公告)号：TW201921471A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107126989
申请日：2018-08-03
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：束野憲人 , TSUKANO, KENTO , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 増住拓朗 , MASUZUMI, TAKURO , 清瀬浩巳 , KIYOSE, HIROMI , 福井祥吾 , FUKUI, SHOGO
IPC分类号： H01L21/304
摘要： [課題]提供可以提升被形成在基板之表面上之處理液之液膜的厚度精度之基板處理方法。 [解決手段]在根據本發明之基板處理方法中，首先，作為液膜形成工程，一面以第1旋轉數使基板(W)旋轉一面對基板(W)之表面供給處理液，形成覆蓋基板(W)之表面的處理液之液膜。於液膜形成工程之後，作為供給停止工程，使基板(W)之旋轉數成為第1旋轉數以下之旋轉數，並且停止朝基板(W)供給處理液。於供給停止工程之後，作為流量調整工程，將基板(W)之旋轉數設為大於第1旋轉數之旋轉數，降低形成液膜之處理液的液量。
简体摘要： [课题]提供可以提升被形成在基板之表面上之处理液之液膜的厚度精度之基板处理方法。 [解决手段]在根据本发明之基板处理方法中，首先，作为液膜形成工程，一面以第1旋转数使基板(W)旋转一面对基板(W)之表面供给处理液，形成覆盖基板(W)之表面的处理液之液膜。于液膜形成工程之后，作为供给停止工程，使基板(W)之旋转数成为第1旋转数以下之旋转数，并且停止朝基板(W)供给处理液。于供给停止工程之后，作为流量调整工程，将基板(W)之旋转数设为大于第1旋转数之旋转数，降低形成液膜之处理液的液量。

2. 发明专利

TW201711087A 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201711087A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105121053
申请日：2016-07-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：光岡一行 , MITSUOKA, KAZUYUKI , 大野廣基 , OHNO, HIROKI , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 河野央 , KAWANO, HISASHI
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02101 , H01L21/02057 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/6708 , H01L21/67248
摘要：本發明之課題係壓低在超臨界處理中所需使用之含氟有機溶劑的種類。上述課題的解決手段係提供一種基板處理方法，其包含下步驟：在液體處理單元2之外處理室21內，對晶圓W供應不含氟之有機溶劑的步驟；以及供應不會在常溫下與有機溶劑溶解、但會在溶解溫度以上溶解的防止乾燥用之含氟有機溶劑的步驟。有機溶劑和含氟有機溶劑受到加熱會溶解，有機溶劑會置換成含氟有機溶劑。
简体摘要：本发明之课题系压低在超临界处理中所需使用之含氟有机溶剂的种类。上述课题的解决手段系提供一种基板处理方法，其包含下步骤：在液体处理单元2之外处理室21内，对晶圆W供应不含氟之有机溶剂的步骤；以及供应不会在常温下与有机溶剂溶解、但会在溶解温度以上溶解的防止干燥用之含氟有机溶剂的步骤。有机溶剂和含氟有机溶剂受到加热会溶解，有机溶剂会置换成含氟有机溶剂。

3. 发明专利

TW201832289A 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201832289A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106138897
申请日：2017-11-10
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大野広基 , OHNO, HIROKI , 江頭佳祐 , EGASHIRA, KEISUKE , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 北山将太郎 , KITAYAMA, SHOTARO , 丸本洋 , MARUMOTO, HIROSHI , 増住拓朗 , MASUZUMI, TAKURO , 束野憲人 , TUKANO, KENTO , 清瀬浩巳 , KIYOSE, HIROMI
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/67
摘要： [課題] 降低附著於使用了超臨界流體之處理後的基板之表面的微粒位準。　　[解決手段] 在將處理容器(301)內之壓力從低於處理流體之臨界壓力的壓力(例如常壓)升壓至高於臨界壓力的處理壓力之升壓工程的至少一部分之期間，一面使處理流體從處理容器以所控制的排出流量排出，一面使處理流體從流體供給源供給至處理容器，藉此，進行升壓。附著於處理容器內之構件表面的微粒因從流體供給源將處理流體供給至處理容器而揚起。該微粒，係與處理流體一起從處理容器被排出。
简体摘要： [课题] 降低附着于使用了超临界流体之处理后的基板之表面的微粒位准。　　[解决手段] 在将处理容器(301)内之压力从低于处理流体之临界压力的压力(例如常压)升压至高于临界压力的处理压力之升压工程的至少一部分之期间，一面使处理流体从处理容器以所控制的排出流量排出，一面使处理流体从流体供给源供给至处理容器，借此，进行升压。附着于处理容器内之构件表面的微粒因从流体供给源将处理流体供给至处理容器而扬起。该微粒，系与处理流体一起从处理容器被排出。

4. 发明专利

TWI623968B 使用液態二氧化碳以使半導體基板乾燥的方法及設備有权
简体标题：使用液态二氧化碳以使半导体基板干燥的方法及设备
公开(公告)号：TWI623968B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW105131247
申请日：2016-09-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：布朗意恩 J , BROWN, IAN J. , 普林茲華勒斯 P , PRINTZ, WALLACE P. , 羅頓達洛安東尼奧路易斯帕切科 , ROTONDARO, ANTONIO LUIS PACHECO , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 江頭佳祐 , EGASHIRA, KEISUKE
IPC分类号： H01L21/30

5. 发明专利

TW202008487A 基板處理裝置之微粒去除方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备之微粒去除方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW202008487A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126089
申请日：2019-07-24
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：福井祥吾 , FUKUI, SHOGO , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/304
摘要： [課題] 提供如下述技術：在使用超臨界狀態之處理流體來使基板乾燥的基板處理裝置中，抑制「因附著於處理流體之供給管線的微粒向處理空間噴出而污染製品基板」的情形。 [解決手段] 本揭示之基板處理裝置之微粒去除方法，係包含有：升壓工程；流通工程；及微粒去除工程。升壓工程，係在第2開關閥及第3開關閥被關閉的狀態下，將經清淨化之流體從第1供給管線供給至處理空間，藉此，使處理空間的壓力上升。流通工程，係在升壓工程後，開啟第2開關閥及第3開關閥，藉此，將處理流體從第2供給管線供給至處理空間，且從排出管線排出。微粒去除工程，係在升壓工程中，將第2開關閥開啟關閉，藉此，使第2供給管線內產生對抗處理空間的壓力之經清淨化之流體的流動。
简体摘要： [课题] 提供如下述技术：在使用超临界状态之处理流体来使基板干燥的基板处理设备中，抑制“因附着于处理流体之供给管线的微粒向处理空间喷出而污染制品基板”的情形。 [解决手段] 本揭示之基板处理设备之微粒去除方法，系包含有：升压工程；流通工程；及微粒去除工程。升压工程，系在第2开关阀及第3开关阀被关闭的状态下，将经清净化之流体从第1供给管线供给至处理空间，借此，使处理空间的压力上升。流通工程，系在升压工程后，打开第2开关阀及第3开关阀，借此，将处理流体从第2供给管线供给至处理空间，且从排出管线排出。微粒去除工程，系在升压工程中，将第2开关阀打开关闭，借此，使第2供给管线内产生对抗处理空间的压力之经清净化之流体的流动。

6. 发明专利

TW201832839A 基板處理裝置之清洗方法及基板處理裝置之清洗系統审中-公开
简体标题：基板处理设备之清洗方法及基板处理设备之清洗系统
公开(公告)号：TW201832839A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106141094
申请日：2017-11-27
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：北山將太郎 , KITAYAMA, SHOTARO , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 大野廣基 , OHNO, HIROKI , 江頭佳祐 , EGASHIRA, KEISUKE , 川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 丸本洋 , MARUMOTO, HIROSHI , 增住拓朗 , MASUZUMI, TAKURO , 束野憲人 , TUKANO, KENTO , 清瀨浩巳 , KIYOSE, HIROMI
IPC分类号： B08B15/00 , B08B5/00 , B08B9/00 , H01L21/67
摘要：本發明提供一種基板處理裝置之清洗方法及基板處理裝置之清洗系統，在使用超臨界流體乾燥晶圓的情況，抑制多個微粒附著於晶圓。實施形態的基板處理裝置之清洗方法，施行使表面經液體潤濕的狀態之基板與超臨界流體接觸，將基板乾燥的乾燥處理，其包含清洗用氣體充填步驟、及排氣步驟。清洗用氣體充填步驟，於基板處理裝置之內部充填含有異丙醇的清洗用氣體。排氣步驟，在清洗用氣體充填步驟後，從基板處理裝置之內部將清洗用氣體排氣。
简体摘要：本发明提供一种基板处理设备之清洗方法及基板处理设备之清洗系统，在使用超临界流体干燥晶圆的情况，抑制多个微粒附着于晶圆。实施形态的基板处理设备之清洗方法，施行使表面经液体润湿的状态之基板与超临界流体接触，将基板干燥的干燥处理，其包含清洗用气体充填步骤、及排气步骤。清洗用气体充填步骤，于基板处理设备之内部充填含有异丙醇的清洗用气体。排气步骤，在清洗用气体充填步骤后，从基板处理设备之内部将清洗用气体排气。

7. 发明专利

TWI596690B 化學流體處理設備及化學流體處理方法有权
简体标题：化学流体处理设备及化学流体处理方法
公开(公告)号：TWI596690B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW103125513
申请日：2014-07-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：巴賽特德瑞克W , BASSETT, DEREK W. , 普林茲華勒斯P , PRINTZ, WALLACE P. , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 甲斐義廣 , KAI, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/30604 , H01L21/32134

8. 发明专利

TW201721728A 使用液態二氧化碳以使半導體基板乾燥的方法及設備审中-公开
简体标题：使用液态二氧化碳以使半导体基板干燥的方法及设备
公开(公告)号：TW201721728A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105131247
申请日：2016-09-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：布朗意恩 J , BROWN, IAN J. , 普林茲華勒斯 P , PRINTZ, WALLACE P. , 羅頓達洛安東尼奧路易斯帕切科 , ROTONDARO, ANTONIO LUIS PACHECO , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 江頭佳祐 , EGASHIRA, KEISUKE
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/02057 , C11D7/04 , C11D11/0047 , F26B21/14 , H01L21/324 , H01L21/67028
摘要：本文提供用於在基板處理系統中清洗及乾燥半導體基板的方法及設備，其中該基板具有例如水的第一清洗液體在其上。該方法包含使液態二氧化碳分配於基板上以置換存在於基板上的任何液體，並使基板乾燥。該設備包含用於清洗及乾燥基板的腔室。
简体摘要：本文提供用于在基板处理系统中清洗及干燥半导体基板的方法及设备，其中该基板具有例如水的第一清洗液体在其上。该方法包含使液态二氧化碳分配于基板上以置换存在于基板上的任何液体，并使基板干燥。该设备包含用于清洗及干燥基板的腔室。

9. 发明专利

TW201624532A 基板液體處理方法、基板液體處理裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板液体处理方法、基板液体处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201624532A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104130028
申请日：2015-09-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：東博之 , HIGASHI, HIROYUKI , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 大塚貴久 , OTSUKA, TAKAHISA
IPC分类号： H01L21/02 , B08B3/10 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/02 , H01L21/02052
摘要：本發明旨在提供一種技術，其可以更少之處理液使用量，以處理液之液膜覆蓋基板之被處理區。一面使基板W以水平姿勢繞垂直軸線旋轉，一面從第1噴嘴400，對基板W之表面之中央部，以第1流量供給第1處理液，於第1處理液之液膜L至少形成於被處理區之狀態下，從第2噴嘴600對基板W之中央部，供給第2處理液。
简体摘要：本发明旨在提供一种技术，其可以更少之处理液使用量，以处理液之液膜覆盖基板之被处理区。一面使基板W以水平姿势绕垂直轴线旋转，一面从第1喷嘴400，对基板W之表面之中央部，以第1流量供给第1处理液，于第1处理液之液膜L至少形成于被处理区之状态下，从第2喷嘴600对基板W之中央部，供给第2处理液。

10. 发明专利

TW201530677A 化學流體處理設備及化學流體處理方法审中-公开
简体标题：化学流体处理设备及化学流体处理方法
公开(公告)号：TW201530677A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103125513
申请日：2014-07-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：巴賽特德瑞克W , BASSETT, DEREK W. , 普林茲華勒斯P , PRINTZ, WALLACE P. , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 甲斐義廣 , KAI, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/30604 , H01L21/32134
摘要：本發明描述一種化學流體處理設備及化學流體處理方法，用於以複數化學流體處理基板，使得整個基板表面維持實質不變的溫度。該設備包含：一釋放噴嘴，於基板上方，以對基板的前表面供給在第一溫度下的第一化學流體；一桿狀噴嘴，定向於基板的徑向方向，以對基板的前表面或後表面供給在第二溫度下的第二化學流體，第二溫度係高於第一溫度，及其中桿狀噴嘴包含複數個出口，其用以分配第二化學流體至與基板中央不同距離之基板前表面或後表面上的複數個接觸位置。
简体摘要：本发明描述一种化学流体处理设备及化学流体处理方法，用于以复数化学流体处理基板，使得整个基板表面维持实质不变的温度。该设备包含：一释放喷嘴，于基板上方，以对基板的前表面供给在第一温度下的第一化学流体；一杆状喷嘴，定向于基板的径向方向，以对基板的前表面或后表面供给在第二温度下的第二化学流体，第二温度系高于第一温度，及其中杆状喷嘴包含复数个出口，其用以分配第二化学流体至与基板中央不同距离之基板前表面或后表面上的复数个接触位置。

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