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    • 5. 发明专利
    • 基板清洗方法、基板清洗系統及記錄媒體
    • 基板清洗方法、基板清洗系统及记录媒体
    • TW201840372A
    • 2018-11-16
    • TW107100119
    • 2018-01-03
    • 日商東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 相原明德AIBARA, MEITOKU河野央KAWANO, HISASHI伊藤規宏ITO, NORIHIRO緒方信博OGATA, NOBUHIRO
    • B08B3/08B08B11/00H01L21/02
    • 本發明之課題為促進處理膜從基板剝離。 依本發明實施形態之基板清洗方法,包含成膜處理液供給步驟、剝離處理液供給步驟及溶解處理液供給步驟。在成膜處理液供給步驟,對基板供給用以在基板上形成膜的含有揮發成分之成膜處理液。在剝離處理液供給步驟,對成膜處理液因為揮發成分之揮發而在基板上固化或硬化成的處理膜,供給純水作為使處理膜從基板剝離之剝離處理液。溶解處理液供給步驟,係在剝離處理液供給步驟之後,對處理膜供給使處理膜溶解的溶解處理液。又,在剝離處理液供給步驟中,對於處理膜,先供給將表面張力比純水小之液體與純水兩者混合而得的混合液之後,再供給作為剝離處理液的純水。
    • 本发明之课题为促进处理膜从基板剥离。 依本发明实施形态之基板清洗方法,包含成膜处理液供给步骤、剥离处理液供给步骤及溶解处理液供给步骤。在成膜处理液供给步骤,对基板供给用以在基板上形成膜的含有挥发成分之成膜处理液。在剥离处理液供给步骤,对成膜处理液因为挥发成分之挥发而在基板上固化或硬化成的处理膜,供给纯水作为使处理膜从基板剥离之剥离处理液。溶解处理液供给步骤,系在剥离处理液供给步骤之后,对处理膜供给使处理膜溶解的溶解处理液。又,在剥离处理液供给步骤中,对于处理膜,先供给将表面张力比纯水小之液体与纯水两者混合而得的混合液之后,再供给作为剥离处理液的纯水。
    • 7. 发明专利
    • 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體
    • 液体处理设备、液体处理方法及记忆媒体
    • TW201349326A
    • 2013-12-01
    • TW102101377
    • 2013-01-14
    • 東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 大塚貴久OTSUKA, TAKAHISA丸山裕隆MARUYAMA, HIROTAKA緒方信博OGATA, NOBUHIRO工藤和幸KUDO, KAZUYUKI
    • H01L21/306
    • B08B3/04H01L21/67051H01L21/6708H01L21/6715
    • 本發明之目的在於提供一種液體處理裝置,其可降低在切換供給酸性、鹼性藥液的裝置中所產生的粒子。為達成上述之目的,本發明之液體處理裝置中的第1處理液供給部切換供給酸性藥液及沖洗液,第2處理液供給部切換供給鹼性藥液及沖洗液;該第1處理液供給部包含第1噴嘴區塊42與第1移動機構,其對旋轉的基板W的表面切換供給處理液,並藉此進行液體處理,該第2處理液供給部包含第2噴嘴區塊52與第2移動機構。接著,在從一側的噴嘴區塊42對基板W供給藥液時,使另一側的噴嘴區塊52退避至退避位置,而在從一側的噴嘴區塊42對基板W供給沖洗液時,使另一側的噴嘴區塊52移動至處理位置。另外,在從另一側的噴嘴區塊52供給藥液時,使一側的噴嘴區塊42退避至退避位置。
    • 本发明之目的在于提供一种液体处理设备,其可降低在切换供给酸性、碱性药液的设备中所产生的粒子。为达成上述之目的,本发明之液体处理设备中的第1处理液供给部切换供给酸性药液及冲洗液,第2处理液供给部切换供给碱性药液及冲洗液;该第1处理液供给部包含第1喷嘴区块42与第1移动机构,其对旋转的基板W的表面切换供给处理液,并借此进行液体处理,该第2处理液供给部包含第2喷嘴区块52与第2移动机构。接着,在从一侧的喷嘴区块42对基板W供给药液时,使另一侧的喷嘴区块52退避至退避位置,而在从一侧的喷嘴区块42对基板W供给冲洗液时,使另一侧的喷嘴区块52移动至处理位置。另外,在从另一侧的喷嘴区块52供给药液时,使一侧的喷嘴区块42退避至退避位置。