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1. 发明专利

TW201920754A 氣體供給裝置及成膜裝置审中-公开
简体标题：气体供给设备及成膜设备
公开(公告)号：TW201920754A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107130251
申请日：2018-08-30
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：八木宏憲 , YAGI, HIRONORI , 掛川崇 , KAKEGAWA, TAKASHI , 山口克昌 , YAMAGUCHI, KATSUMASA , 古屋雄一 , FURUYA, YUICHI , 孟賢男 , MO, KENNAN
IPC分类号： C23C16/455
摘要： [課題] 提供一種可使製程開始時之原料氣體的流量在短時間內穩定化之氣體供給裝置。 [解決手段] 一實施形態之氣體供給裝置，係可將原料氣體經由緩衝槽及第1高速開關閥間歇地供給至處理容器內，該氣體供給裝置，其特徵係，具有：抽空管線，被連接於前述緩衝槽之二次側，可對前述緩衝槽內進行排氣；及第2高速開關閥，被設置於前述抽空管線。
简体摘要： [课题] 提供一种可使制程开始时之原料气体的流量在短时间内稳定化之气体供给设备。 [解决手段] 一实施形态之气体供给设备，系可将原料气体经由缓冲槽及第1高速开关阀间歇地供给至处理容器内，该气体供给设备，其特征系，具有：抽空管线，被连接于前述缓冲槽之二次侧，可对前述缓冲槽内进行排气；及第2高速开关阀，被设置于前述抽空管线。

2. 发明专利

TWI684217B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI684217B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW104113377
申请日：2015-04-27
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 掛川崇 , KAKEGAWA, TAKASHI , 津田栄之輔 , TSUDA, EINOSUKE , 太田智浩 , OOTA, TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/44

3. 发明专利

TW201840895A 氣體處理裝置及氣體處理方法审中-公开
简体标题：气体处理设备及气体处理方法
公开(公告)号：TW201840895A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106144524
申请日：2017-12-19
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：掛川崇 , KAKEGAWA, TAKASHI , 古屋雄一 , FURUYA, YUICHI , 鳥屋大輔 , TORIYA, DAISUKE
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要：將處理氣體供給至基板，而在該基板面內進行高均勻性之處理。會構成一種裝置，係具備有：氣體擴散板，係將處理氣體噴出至載置台所載置之基板；複數氣體分散部，係設置於透過擴散空間來對向於該氣體擴散板上方側的對向部，並沿著周圍方向來個別形成有複數氣體噴出口；以及處理氣體流道，係上游側會成為各氣體分散部所共通之共通流道，且會在途中分歧而使下游側連接於各氣體分散部，並且從該共通流道到各氣體分散部之長度會互相一致。氣體分散部係沿著中心是分別位在擴散空間中心部周圍，且沿著擴散空間之周圍方向的複數個圓，來在1個該圓中，使得各複數個起自擴散空間之中心部的距離以不同的安排來加以配置。
简体摘要：将处理气体供给至基板，而在该基板面内进行高均匀性之处理。会构成一种设备，系具备有：气体扩散板，系将处理气体喷出至载置台所载置之基板；复数气体分散部，系设置于透过扩散空间来对向于该气体扩散板上方侧的对向部，并沿着周围方向来个别形成有复数气体喷出口；以及处理气体流道，系上游侧会成为各气体分散部所共通之共通流道，且会在途中分歧而使下游侧连接于各气体分散部，并且从该共通流道到各气体分散部之长度会互相一致。气体分散部系沿着中心是分别位在扩散空间中心部周围，且沿着扩散空间之周围方向的复数个圆，来在1个该圆中，使得各复数个起自扩散空间之中心部的距离以不同的安排来加以配置。

4. 发明专利

TWI427679B 成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI427679B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW096122094
申请日：2007-06-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：掛川崇 , KAKEGAWA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/28
CPC分类号： C23C16/4557 , C23C16/34 , C23C16/45523 , C23C16/45572 , C23C16/45574 , H01L21/28562 , H01L21/67109 , H01L21/76841

5. 发明专利

TW201611116A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201611116A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104113377
申请日：2015-04-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 掛川崇 , KAKEGAWA, TAKASHI , 津田栄之輔 , TSUDA, EINOSUKE , 太田智浩 , OOTA, TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/5096 , C23C16/4401 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/32522
摘要：在基板處理裝置(該基板處理裝置，係在處理容器內產生電漿，而對基板進行處理)中，抑制該處理容器內之微粒產生。一種使用電漿來對晶圓進行處理的基板處理裝置，其係具有：處理容器，氣密地收容晶圓；下部電極，具備有載置台(該載置台，係在處理容器內載置基板)；上部電極(30)，具備有噴淋板(該噴淋板，係配置為與載置於載置台上的基板相對向，且形成有複數個供給孔)；絕緣構件(40)，包圍上部電極(30)之外周部；處理氣體供給源，經由噴淋板，對前述處理容器內供給處理氣體；及加熱機構(41)，將絕緣構件(40)加熱至處理容器內之壓力的處理氣體之反應中間體中至少1者的飽和蒸氣溫度以上。
简体摘要：在基板处理设备(该基板处理设备，系在处理容器内产生等离子，而对基板进行处理)中，抑制该处理容器内之微粒产生。一种使用等离子来对晶圆进行处理的基板处理设备，其系具有：处理容器，气密地收容晶圆；下部电极，具备有载置台(该载置台，系在处理容器内载置基板)；上部电极(30)，具备有喷淋板(该喷淋板，系配置为与载置于载置台上的基板相对向，且形成有复数个供给孔)；绝缘构件(40)，包围上部电极(30)之外周部；处理气体供给源，经由喷淋板，对前述处理容器内供给处理气体；及加热机构(41)，将绝缘构件(40)加热至处理容器内之压力的处理气体之反应中间体中至少1者的饱和蒸气温度以上。

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