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1. 发明专利

TW201611116A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201611116A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104113377
申请日：2015-04-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 掛川崇 , KAKEGAWA, TAKASHI , 津田栄之輔 , TSUDA, EINOSUKE , 太田智浩 , OOTA, TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/5096 , C23C16/4401 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/32522
摘要：在基板處理裝置(該基板處理裝置，係在處理容器內產生電漿，而對基板進行處理)中，抑制該處理容器內之微粒產生。一種使用電漿來對晶圓進行處理的基板處理裝置，其係具有：處理容器，氣密地收容晶圓；下部電極，具備有載置台(該載置台，係在處理容器內載置基板)；上部電極(30)，具備有噴淋板(該噴淋板，係配置為與載置於載置台上的基板相對向，且形成有複數個供給孔)；絕緣構件(40)，包圍上部電極(30)之外周部；處理氣體供給源，經由噴淋板，對前述處理容器內供給處理氣體；及加熱機構(41)，將絕緣構件(40)加熱至處理容器內之壓力的處理氣體之反應中間體中至少1者的飽和蒸氣溫度以上。
简体摘要：在基板处理设备(该基板处理设备，系在处理容器内产生等离子，而对基板进行处理)中，抑制该处理容器内之微粒产生。一种使用等离子来对晶圆进行处理的基板处理设备，其系具有：处理容器，气密地收容晶圆；下部电极，具备有载置台(该载置台，系在处理容器内载置基板)；上部电极(30)，具备有喷淋板(该喷淋板，系配置为与载置于载置台上的基板相对向，且形成有复数个供给孔)；绝缘构件(40)，包围上部电极(30)之外周部；处理气体供给源，经由喷淋板，对前述处理容器内供给处理气体；及加热机构(41)，将绝缘构件(40)加热至处理容器内之压力的处理气体之反应中间体中至少1者的饱和蒸气温度以上。

2. 发明专利

TWI682055B 成膜裝置有权
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TWI682055B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104107544
申请日：2015-03-10
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：斉藤哲也 , SAITOU, TETSUYA , 太田智浩 , OOTA, TOMOHIRO , 高木俊夫 , TAKAGI, TOSHIO
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52

3. 发明专利

TWI684217B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI684217B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW104113377
申请日：2015-04-27
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 掛川崇 , KAKEGAWA, TAKASHI , 津田栄之輔 , TSUDA, EINOSUKE , 太田智浩 , OOTA, TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/44

4. 发明专利

TW201546315A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201546315A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104107544
申请日：2015-03-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：斉藤哲也 , SAITOU, TETSUYA , 太田智浩 , OOTA, TOMOHIRO , 高木俊夫 , TAKAGI, TOSHIO
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/34 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/45574 , C23C16/458 , C23C16/46
摘要：提供一種反應氣體與置換氣體之置換性高且可形成面內均勻性良好的膜之成膜裝置。成膜裝置，係對作為真空環境之處理室內的基板(W)依序供給相互反應之複數個種類的反應氣體，而進行成膜處理，噴頭(5)，係具備有與載置部(2)(該載置部，係載置有基板W)相對向的平坦面，且形成有複數個氣體供給口(511)。環狀突起部(53)，係設置為包圍形成有氣體供給口(511)的區域而朝下方側突出，並且在與載置部(2)的上面之間形成間隙。在噴頭(5)與其上方側之天井部(31)之間所包圍的擴散空間(50)，係設置有複數個氣體供給部(4)(該氣體供給部，係以將氣體擴散於各個橫方向的方式，沿著圓周方向而形成有氣體吐出口)，前述擴散空間(50)的外緣，係位在比載置於載置部之基板(W)的外緣更往內側。
简体摘要：提供一种反应气体与置换气体之置换性高且可形成面内均匀性良好的膜之成膜设备。成膜设备，系对作为真空环境之处理室内的基板(W)依序供给相互反应之复数个种类的反应气体，而进行成膜处理，喷头(5)，系具备有与载置部(2)(该载置部，系载置有基板W)相对向的平坦面，且形成有复数个气体供给口(511)。环状突起部(53)，系设置为包围形成有气体供给口(511)的区域而朝下方侧突出，并且在与载置部(2)的上面之间形成间隙。在喷头(5)与其上方侧之天井部(31)之间所包围的扩散空间(50)，系设置有复数个气体供给部(4)(该气体供给部，系以将气体扩散于各个横方向的方式，沿着圆周方向而形成有气体吐出口)，前述扩散空间(50)的外缘，系位在比载置于载置部之基板(W)的外缘更往内侧。

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