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2. 发明专利

TW201721764A 鰭狀場效電晶體元件审中-公开
简体标题：鳍状场效应管组件
公开(公告)号：TW201721764A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105137774
申请日：2016-11-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張哲誠 , CHANG, CHE-CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH-HAN , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG-HUEI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7856 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02631 , H01L21/3065 , H01L21/31111 , H01L21/76841 , H01L21/76879 , H01L29/41791 , H01L29/42364 , H01L29/4916 , H01L29/495 , H01L29/518 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
摘要：一種鰭狀場效電晶體元件，包括基板、至少一閘極堆疊結構、多個間隔物以及源極與汲極區域。閘極堆疊結構配置在基板上，且多個間隔物配置在閘極堆疊結構的側壁上。源極與汲極區域配置於基板內，且分設在閘極堆疊結構的相對側。具有接觸開口的介電層配置在基板的上方，並覆蓋閘極堆疊結構。金屬連接結構配置於接觸開口內，並連接至源極與汲極區域，且黏著層夾置於接觸開口以及位於接觸開口內的金屬連接結構之間。
简体摘要：一种鳍状场效应管组件，包括基板、至少一闸极堆栈结构、多个间隔物以及源极与汲极区域。闸极堆栈结构配置在基板上，且多个间隔物配置在闸极堆栈结构的侧壁上。源极与汲极区域配置于基板内，且分设在闸极堆栈结构的相对侧。具有接触开口的介电层配置在基板的上方，并覆盖闸极堆栈结构。金属连接结构配置于接触开口内，并连接至源极与汲极区域，且黏着层夹置于接触开口以及位于接触开口内的金属连接结构之间。

3. 发明专利

TWI587513B 包含無氟之鎢阻障層的半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：包含无氟之钨阻障层的半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI587513B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW101150483
申请日：2012-12-27
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：姜東均 , KANG, DONG-KYUN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76841 , C23C16/18 , C23C16/45542 , H01L21/28079 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/485 , H01L23/53204 , H01L23/53266 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L29/4236 , H01L29/4958 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TWI580796B 鉭濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：钽溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI580796B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102145544
申请日：2013-12-11
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：仙田真一郎 , SENDA, SHINICHIRO , 永津光太郎 , NAGATSU, KOTARO
IPC分类号： C22C27/02 , C23C14/34 , C23C14/14 , B21J5/00 , C21D1/26 , C21D9/00 , H01L21/285
CPC分类号： H01J37/3426 , C22C27/02 , C22F1/18 , C23C14/3414 , H01L21/2855 , H01L21/76841 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201618259A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201618259A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104123350
申请日：2015-07-20
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：小倉卓 , OGURA, TAKASHI , 宇佐美達矢 , USAMI, TATSUYA , 兒玉哲 , KODAMA, SATOSHI , 上野秀一郎 , UENO, SHUUICHIROU , 伊藤聰 , ITOU, SATOSHI , 伊藤孝政 , ITOU, TAKAMASA
IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/485
CPC分类号： H01L23/53266 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L23/53223 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L27/10885 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之課題係減小形成於配線層之導體之電阻。本發明之絕緣膜ETS1形成於基板SUB上，由SiO(1-x) Nx (其中，在XRD之分析結果中，x＞0.5)構成。配線INC1形成於絕緣膜ETS1上，具有第1層ML1及第2層ML2。第1層ML1包含TiN、TaN、WN或RuN至少其中之一。第2層ML2形成於第1層ML1上，以電阻低於第1層ML1之材料、例如W形成。
简体摘要：本发明之课题系减小形成于配线层之导体之电阻。本发明之绝缘膜ETS1形成于基板SUB上，由SiO(1-x) Nx (其中，在XRD之分析结果中，x＞0.5)构成。配线INC1形成于绝缘膜ETS1上，具有第1层ML1及第2层ML2。第1层ML1包含TiN、TaN、WN或RuN至少其中之一。第2层ML2形成于第1层ML1上，以电阻低于第1层ML1之材料、例如W形成。

7. 发明专利

TW201602385A TiSiN膜之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题： TiSiN膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201602385A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104109267
申请日：2015-03-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/285 , H01L49/02
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/45525 , H01L21/32051 , H01L21/76841 , H01L28/60
摘要：本發明提供一種TiSiN膜之成膜方法，於被處理體的被處理面上將TiSiN膜成膜，包含如下步驟：步驟(1)，將Ti原料氣體供給步驟及氮化氣體供給步驟施行設定的第1次數：Ti原料氣體供給步驟，對收納有該被處理體之處理室內供給含有Ti原料的Ti原料氣體；氮化氣體供給步驟，在對該處理室內供給該Ti原料氣體後，對該處理室內供給含有氮化劑的氮化氣體；以及步驟(2)，將Si原料氣體供給步驟及氮化氣體供給步驟施行設定的第2設定次數：Si原料氣體供給步驟，於該步驟(1)後，對該處理室內供給含有Si原料的Si原料氣體；氮化氣體供給步驟，在對該處理室內供給該Si原料氣體後，對該處理室內供給含有氮化劑的氮化氣體；使該Si原料氣體為胺系Si原料氣體。
简体摘要：本发明提供一种TiSiN膜之成膜方法，于被处理体的被处理面上将TiSiN膜成膜，包含如下步骤：步骤(1)，将Ti原料气体供给步骤及氮化气体供给步骤施行设置的第1次数：Ti原料气体供给步骤，对收纳有该被处理体之处理室内供给含有Ti原料的Ti原料气体；氮化气体供给步骤，在对该处理室内供给该Ti原料气体后，对该处理室内供给含有氮化剂的氮化气体；以及步骤(2)，将Si原料气体供给步骤及氮化气体供给步骤施行设置的第2设置次数：Si原料气体供给步骤，于该步骤(1)后，对该处理室内供给含有Si原料的Si原料气体；氮化气体供给步骤，在对该处理室内供给该Si原料气体后，对该处理室内供给含有氮化剂的氮化气体；使该Si原料气体为胺系Si原料气体。

8. 发明专利

TW201542856A 原子層沈積方法及氟化物薄膜审中-公开
简体标题：原子层沉积方法及氟化物薄膜
公开(公告)号：TW201542856A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104111853
申请日：2015-04-14
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：布倫堡湯姆E , BLOMBERG, TOM E. , 林德魯斯琳達 , LINDROOS, LINDA , 霍它利哈努 , HUOTARI, HANNU
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , H01L21/285
CPC分类号： H01L23/48 , C23C16/34 , C23C16/45527 , H01L21/28562 , H01L21/76841 , H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/0001
摘要：用於在基板上沈積含氟薄膜之原子層沈積(ALD)方法可包含多個超循環。各超循環可包含金屬氟化物子循環及還原子循環。所述金屬氟化物子循環可包含使所述基板與金屬氟化物接觸。所述還原子循環可包含交替且依序使所述基板與還原劑及氮反應物接觸。
简体摘要：用于在基板上沉积含氟薄膜之原子层沉积(ALD)方法可包含多个超循环。各超循环可包含金属氟化物子循环及还原子循环。所述金属氟化物子循环可包含使所述基板与金属氟化物接触。所述还原子循环可包含交替且依序使所述基板与还原剂及氮反应物接触。

9. 发明专利

TWI503960B 半導體裝置之製造方法，半導體裝置及電子設備有权
简体标题：半导体设备之制造方法，半导体设备及电子设备
公开(公告)号：TWI503960B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW101101494
申请日：2012-01-13
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：渡邉和人 , WATANABE, KAZUTO , 松下篤志 , MATSUSHITA, ATSUSHI , 堀越浩 , HORIKOSHI, HIROSHI , 杉浦巖 , SUGIURA, IWAO , 西村雄二 , NISHIMURA, YUUJI , 山端祥太 , YAMABATA, SYOTA
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76841 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14683 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L2224/02166 , H01L2224/48463 , H01L2924/01021 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , H01L2924/00

10. 发明专利

TWI493706B 半導體元件及半導體元件之製造方法有权
简体标题：半导体组件及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TWI493706B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101126047
申请日：2012-07-19
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：前田剛彰 , MAEDA, TAKEAKI , 奧野博行 , OKUNO, HIROYUKI , 橫田嘉宏 , YOKOTA, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC分类号： H01L23/53223 , H01L21/28525 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76841 , H01L21/76867 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/456 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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