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1. 发明专利

TWI694749B 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器有权
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TWI694749B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107126625
申请日：2014-10-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK,JONGHOON , 朴秀南 , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42 , H01L21/3065

2. 发明专利

TWI688312B 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器有权
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TWI688312B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW106140271
申请日：2014-10-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK,JONGHOON , 朴秀南 , PARK,SOONAM , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42 , H01L21/3065

3. 发明专利

TW201907755A 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器审中-公开
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TW201907755A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107126625
申请日：2014-10-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK,JONGHOON , 朴秀南 , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42 , H01L21/3065
摘要：本揭示案的實施例大體上係關於用於減少處理腔室中的顆粒產生之設備與方法。在一實施例中，該方法大體上包括：在一供電的頂部電極與一接地的底部電極之間產生一電漿，其中該頂部電極平行於該底部電極；以及在一膜沉積處理期間施加一恆定為零的DC偏壓電壓至該供電的頂部電極，以最小化該供電的頂部電極與該電漿之間的該電位差及/或該接地的底部電極與該電漿之間的該電位差。最小化該電漿與該等電極之間的該電位差可減少顆粒產生，因為該等電極的該鞘區域中的該等離子的加速係減少，且該等離子與該等電極上的保護塗覆層之碰撞力係最小化。因此，減少基板表面上的顆粒產生。
简体摘要：本揭示案的实施例大体上系关于用于减少处理腔室中的颗粒产生之设备与方法。在一实施例中，该方法大体上包括：在一供电的顶部电极与一接地的底部电极之间产生一等离子，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在一膜沉积处理期间施加一恒定为零的DC偏压电压至该供电的顶部电极，以最小化该供电的顶部电极与该等离子之间的该电位差及/或该接地的底部电极与该等离子之间的该电位差。最小化该等离子与该等电极之间的该电位差可减少颗粒产生，因为该等电极的该鞘区域中的该等离子的加速系减少，且该等离子与该等电极上的保护涂覆层之碰撞力系最小化。因此，减少基板表面上的颗粒产生。

4. 发明专利

TW201530651A 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器审中-公开
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TW201530651A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103136175
申请日：2014-10-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK, JONGHOON , 朴秀南 , PARK SOONAM , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/30 , C23C16/513
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/503 , C23C16/509 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32532 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32697 , H01J2237/334
摘要：本揭示案的實施例大體上係關於用於減少處理腔室中的顆粒產生之設備與方法。在一實施例中，該方法大體上包括：在一供電的頂部電極與一接地的底部電極之間產生一電漿，其中該頂部電極平行於該底部電極；以及在一膜沉積處理期間施加一恆定為零的DC偏壓電壓至該供電的頂部電極，以最小化該供電的頂部電極與該電漿之間的該電位差及/或該接地的底部電極與該電漿之間的該電位差。最小化該電漿與該等電極之間的該電位差可減少顆粒產生，因為該等電極的該鞘區域中的該等離子的加速係減少，且該等離子與該等電極上的保護塗覆層之碰撞力係最小化。因此，減少基板表面上的顆粒產生。
简体摘要：本揭示案的实施例大体上系关于用于减少处理腔室中的颗粒产生之设备与方法。在一实施例中，该方法大体上包括：在一供电的顶部电极与一接地的底部电极之间产生一等离子，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在一膜沉积处理期间施加一恒定为零的DC偏压电压至该供电的顶部电极，以最小化该供电的顶部电极与该等离子之间的该电位差及/或该接地的底部电极与该等离子之间的该电位差。最小化该等离子与该等电极之间的该电位差可减少颗粒产生，因为该等电极的该鞘区域中的该等离子的加速系减少，且该等离子与该等电极上的保护涂覆层之碰撞力系最小化。因此，减少基板表面上的颗粒产生。

5. 发明专利

TW201521150A 具有射頻發射器的可旋轉基板支撐件审中-公开
简体标题：具有射频发射器的可旋转基板支撑件
公开(公告)号：TW201521150A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103131404
申请日：2014-09-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 福洛德可比H , FLOYD, KIRBY H. , 塙廣二 , HANAWA, HIROJI , 朴秀南 , PARK SOONAM , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 肯尼傑森A , KENNEY, JASON A.
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/784 , H04B1/02
CPC分类号： H01J37/32697 , H01J37/32082 , H01J37/3211 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/68792 , H02K7/14
摘要：一基板支撐組件包含一軸組件、連接至該軸組件一部份的一托架，以及連接至該軸組件的一第一旋轉連接器，其中該第一旋轉連接器包括繞著一可旋轉軸元件的一第一線圈元件，該可旋轉軸元件則與該軸組件電耦合，該第一線圈元件可與該可旋轉軸一起旋轉，而一第二線圈元件則繞著該第一線圈元件，該第二線圈元件相對於該第一線圈元件係為固定，其中當該旋轉射頻發射器係被通電並透過該軸組件提供一射頻訊號/電力至該托架時，該第一線圈元件便與該第二線圈元件電耦合。
简体摘要：一基板支撑组件包含一轴组件、连接至该轴组件一部份的一托架，以及连接至该轴组件的一第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括绕着一可旋转轴组件的一第一线圈组件，该可旋转轴组件则与该轴组件电耦合，该第一线圈组件可与该可旋转轴一起旋转，而一第二线圈组件则绕着该第一线圈组件，该第二线圈组件相对于该第一线圈组件系为固定，其中当该旋转射频发射器系被通电并透过该轴组件提供一射频信号/电力至该托架时，该第一线圈组件便与该第二线圈组件电耦合。

6. 发明专利

TW201830574A 具有射頻發射器的可旋轉基板支撐件审中-公开
简体标题：具有射频发射器的可旋转基板支撑件
公开(公告)号：TW201830574A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW107102855
申请日：2014-09-11
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：小林悟 , KOBAYASHI,SATORU , 福洛德可比H , FLOYD,KIRBY H. , 塙廣二 , HANAWA,HIROJI , 朴秀南 , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY , 肯尼傑森A , KENNEY,JASON A.
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/784 , H04B1/02
摘要：一基板支撐組件包含一軸組件、連接至該軸組件一部份的一托架，以及連接至該軸組件的一第一旋轉連接器，其中該第一旋轉連接器包括繞著一可旋轉軸元件的一第一線圈元件，該可旋轉軸元件則與該軸組件電耦合，該第一線圈元件可與該可旋轉軸一起旋轉，而一第二線圈元件則繞著該第一線圈元件，該第二線圈元件相對於該第一線圈元件係為固定，其中當該旋轉射頻發射器係被通電並透過該軸組件提供一射頻訊號/電力至該托架時，該第一線圈元件便與該第二線圈元件電耦合。
简体摘要：一基板支撑组件包含一轴组件、连接至该轴组件一部份的一托架，以及连接至该轴组件的一第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括绕着一可旋转轴组件的一第一线圈组件，该可旋转轴组件则与该轴组件电耦合，该第一线圈组件可与该可旋转轴一起旋转，而一第二线圈组件则绕着该第一线圈组件，该第二线圈组件相对于该第一线圈组件系为固定，其中当该旋转射频发射器系被通电并透过该轴组件提供一射频信号/电力至该托架时，该第一线圈组件便与该第二线圈组件电耦合。

7. 发明专利

TW201826886A 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器审中-公开
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TW201826886A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106140271
申请日：2014-10-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK,JONGHOON , 朴秀南 , PARK,SOONAM , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42 , H01L21/3065
摘要：本揭示案的實施例大體上係關於用於減少處理腔室中的顆粒產生之設備與方法。在一實施例中，該方法大體上包括：在一供電的頂部電極與一接地的底部電極之間產生一電漿，其中該頂部電極平行於該底部電極；以及在一膜沉積處理期間施加一恆定為零的DC偏壓電壓至該供電的頂部電極，以最小化該供電的頂部電極與該電漿之間的該電位差及/或該接地的底部電極與該電漿之間的該電位差。最小化該電漿與該等電極之間的該電位差可減少顆粒產生，因為該等電極的該鞘區域中的該等離子的加速係減少，且該等離子與該等電極上的保護塗覆層之碰撞力係最小化。因此，減少基板表面上的顆粒產生。
简体摘要：本揭示案的实施例大体上系关于用于减少处理腔室中的颗粒产生之设备与方法。在一实施例中，该方法大体上包括：在一供电的顶部电极与一接地的底部电极之间产生一等离子，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在一膜沉积处理期间施加一恒定为零的DC偏压电压至该供电的顶部电极，以最小化该供电的顶部电极与该等离子之间的该电位差及/或该接地的底部电极与该等离子之间的该电位差。最小化该等离子与该等电极之间的该电位差可减少颗粒产生，因为该等电极的该鞘区域中的该等离子的加速系减少，且该等离子与该等电极上的保护涂覆层之碰撞力系最小化。因此，减少基板表面上的颗粒产生。

8. 发明专利

TWI610360B 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器有权
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TWI610360B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW103136175
申请日：2014-10-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK, JONGHOON , 朴秀南 , PARK SOONAM , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/30 , C23C16/513
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/503 , C23C16/509 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32532 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32697 , H01J2237/334

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