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1. 发明专利

TW201310659A 電阻變化元件及其製造方法审中-公开
简体标题：电阻变化组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201310659A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101120744
申请日：2012-06-08
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 堀田和正 , HORITA, KAZUMASA , 福田夏樹 , FUKUDA, NATSUKI , 菊地真 , KIKUCHI, SHIN , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： H01L29/8605 , H01L21/328
CPC分类号： H01L45/1253 , G11C11/5614 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , H01L45/08 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1675
摘要：本發明提供一種不需要成形處理、且能夠使元件之消耗電力減低及細微化的電阻變化元件及其製造方法。本發明之一實施形態的電阻變化元件(1)係具備下部電極層(3)、上部電極層(5)及氧化物半導體層(4)。氧化物半導體層(4)係具有第1金屬氧化物層(41)及第2金屬氧化物層(42)。第1金屬氧化物層(41)係形成於下部電極層(3)與上部電極層(5)之間，且與下部電極層(3)進行歐姆接合。第2金屬氧化物層(42)係形成於第1金屬氧化物層(41)與上部電極層(5)之間，且與上部電極層(5)進行歐姆接合。
简体摘要：本发明提供一种不需要成形处理、且能够使组件之消耗电力减低及细微化的电阻变化组件及其制造方法。本发明之一实施形态的电阻变化组件(1)系具备下部电极层(3)、上部电极层(5)及氧化物半导体层(4)。氧化物半导体层(4)系具有第1金属氧化物层(41)及第2金属氧化物层(42)。第1金属氧化物层(41)系形成于下部电极层(3)与上部电极层(5)之间，且与下部电极层(3)进行欧姆接合。第2金属氧化物层(42)系形成于第1金属氧化物层(41)与上部电极层(5)之间，且与上部电极层(5)进行欧姆接合。

2. 发明专利

TWI573888B 成膜方法及成膜裝置有权
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI573888B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW102127769
申请日：2013-08-02
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：福田夏樹 , FUKUDA, NATSUKI , 福壽和紀 , FUKUJU, KAZUNORI , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/0063 , C23C14/0068 , C23C14/083 , C23C16/4412 , C23C16/455 , H01J37/32449 , H01J37/34 , H01J37/3411 , H01J2237/006

3. 发明专利

TWI333985B 薄膜製造裝置及製造方法有权
简体标题：薄膜制造设备及制造方法
公开(公告)号：TWI333985B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW093122574
申请日：2004-07-28
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：山田貴一 , 增田健 , 梶沼雅彥 , 西岡浩 , 植松正紀 , 鄒紅罡
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/4557 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45565 , C23C16/45572
摘要：【課題】提供一種可再現良好的膜厚分布、組成分布、
鍍膜率，且碎片數少，長期且安定地進行連續鍍膜可能的生產性、量產性優秀的薄膜製造裝置及製造方法。
【解決手段】從反應空間的反應室上部藉由噴灑頭將鍍
膜氣體導入反應室內，在加熱基板上鍍膜的CVD裝置的薄膜製造裝置，上部的反應空間是由不旋轉或是昇降的基板平台及噴灑頭及防著板所構成，將由防著板及基板平台所構成的同心圓的間隙設成氣體通氣路徑，使非活性氣體從此氣體通氣路徑的上方沿著防著板流動，而且在氣體通氣路徑的2次側設置下部空間。
简体摘要：【课题】提供一种可再现良好的膜厚分布、组成分布、镀膜率，且碎片数少，长期且安定地进行连续镀膜可能的生产性、量产性优秀的薄膜制造设备及制造方法。【解决手段】从反应空间的反应室上部借由喷洒头将镀膜气体导入反应室内，在加热基板上镀膜的CVD设备的薄膜制造设备，上部的反应空间是由不旋转或是升降的基板平台及喷洒头及防着板所构成，将由防着板及基板平台所构成的同心圆的间隙设成气体通气路径，使非活性气体从此气体通气路径的上方沿着防着板流动，而且在气体通气路径的2次侧设置下部空间。

4. 发明专利

TW200946699A 硫族化物膜及其製造方法 CHALCOGENIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：硫族化物膜及其制造方法 CHALCOGENIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200946699A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW097144233
申请日：2008-11-14
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：菊地真 , 西岡浩 , 木村勳 , 神保武人 , 鄒弘綱
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C14/046 , C23C14/0623 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683
摘要：本發明之硫族化物膜係藉由濺鍍而於基板上之絕緣層中所形成之接觸孔內成膜，且含有包含使熔點降低之熔點降低材料之硫族元素化合物。
简体摘要：本发明之硫族化物膜系借由溅镀而于基板上之绝缘层中所形成之接触孔内成膜，且含有包含使熔点降低之熔点降低材料之硫族元素化合物。

5. 发明专利

TWI584470B 可變電阻元件及其製造方法有权
简体标题：可变电阻组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI584470B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW102131888
申请日：2013-09-04
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：福田夏樹 , FUKUDA, NATSUKI , 福壽和紀 , FUKUJU, KAZUNORI , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/8242
CPC分类号： H01C7/108 , C23C14/0036 , C23C14/08 , H01C17/06 , H01C17/12 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625

6. 发明专利

TW201547006A 電阻變化元件及其製造方法审中-公开
简体标题：电阻变化组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201547006A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104105307
申请日：2015-02-16
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：福田夏樹 , FUKUDA, NATSUKI , 福壽和紀 , FUKUJU, KAZUNORI , 宮口有典 , MIYAGUCHI, YUUSUKE , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/1253 , H01L45/1608 , H01L45/1625
摘要：本發明之課題為提供一種低成本的電阻變化元件及其製造方法。本發明之一實施形態的電阻變化元件1係具有：下部電極層3、上部電極層5以及氧化物半導體層4。上部電極層5係由碳材料所形成。氧化物半導體層4係具有第一金屬氧化物層41以及第二金屬氧化物層42。第一金屬氧化物層41係形成於下部電極層3與上部電極層5之間且具有第一電阻率。第二金屬氧化物層42係形成於第一金屬氧化物層41與上部電極層5之間且具有與第一電阻率不同的第二電阻率。
简体摘要：本发明之课题为提供一种低成本的电阻变化组件及其制造方法。本发明之一实施形态的电阻变化组件1系具有：下部电极层3、上部电极层5以及氧化物半导体层4。上部电极层5系由碳材料所形成。氧化物半导体层4系具有第一金属氧化物层41以及第二金属氧化物层42。第一金属氧化物层41系形成于下部电极层3与上部电极层5之间且具有第一电阻率。第二金属氧化物层42系形成于第一金属氧化物层41与上部电极层5之间且具有与第一电阻率不同的第二电阻率。

7. 发明专利

TWI459551B 硫屬化物膜及其製造方法有权
简体标题：硫属化物膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI459551B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW097137974
申请日：2008-10-02
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：菊地真 , KIKUCHI, SHIN , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 木村勳 , KIMURA, ISAO , 神保武人 , JIMBO, TAKEHITO , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/1625 , H01L45/1683

8. 发明专利

TW201423985A 可變電阻元件及其製造方法审中-公开
简体标题：可变电阻组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201423985A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102131888
申请日：2013-09-04
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：福田夏樹 , FUKUDA, NATSUKI , 福壽和紀 , FUKUJU, KAZUNORI , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/8242
CPC分类号： H01C7/108 , C23C14/0036 , C23C14/08 , H01C17/06 , H01C17/12 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：本發明之課題在於提供一種在不會導致元件尺寸的大型化下，保護元件免受過大電流的破壞之可變電阻元件及其製造方法。本發明之解決手段如下：本發明的一實施形態之可變電阻元件(1)，係具備：下部電極層(3)、上部電極層(6)、第1金屬氧化物層(51)、第2金屬氧化物層(52)、以及電流限制層(4)。第1金屬氧化物層(51)配置在下部電極層(3)與上部電極層(6)之間，並具有第1電阻率。第2金屬氧化物層(52)配置在第1金屬氧化物層(51)與上部電極層(6)之間，並具有較上述第1電阻率更高之第2電阻率。電流限制層(4)配置在下部電極層(3)與第1金屬氧化物層(51)之間，並具有較上述第1電阻率更高且較上述第2電阻率更低之第3電阻率。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种在不会导致组件尺寸的大型化下，保护组件免受过大电流的破坏之可变电阻组件及其制造方法。本发明之解决手段如下：本发明的一实施形态之可变电阻组件(1)，系具备：下部电极层(3)、上部电极层(6)、第1金属氧化物层(51)、第2金属氧化物层(52)、以及电流限制层(4)。第1金属氧化物层(51)配置在下部电极层(3)与上部电极层(6)之间，并具有第1电阻率。第2金属氧化物层(52)配置在第1金属氧化物层(51)与上部电极层(6)之间，并具有较上述第1电阻率更高之第2电阻率。电流限制层(4)配置在下部电极层(3)与第1金属氧化物层(51)之间，并具有较上述第1电阻率更高且较上述第2电阻率更低之第3电阻率。

9. 发明专利

TWI402362B 硫族化物膜及其製造方法有权
简体标题：硫族化物膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI402362B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW097144233
申请日：2008-11-14
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：菊地真 , KIKUCHI, SHIN , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 木村勳 , KIMURA, ISAO , 神保武人 , JIMBO, TAKEHITO , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： C23C14/06 , H01L45/00
CPC分类号： C23C14/046 , C23C14/0623 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683

10. 发明专利

TWI395825B 多層膜形成方法及裝置有权
简体标题：多层膜形成方法及设备
公开(公告)号：TWI395825B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW096148586
申请日：2007-12-19
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：木村勳 , KIMURA, ISAO , 神保武人 , JINBO, TAKEHITO , 菊地真 , KIKUCHI, SHIN , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 鄒紅罡 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , C01G25/00
CPC分类号： H01L41/083 , C23C14/0036 , C23C14/088 , H01L41/1876 , H01L41/316

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