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1. 发明专利

TWI463025B 成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI463025B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW097106677
申请日：2008-02-26
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：中村肇 , NAKAMURA, HAJIME , 有馬央恭 , ARIMA, HIROYASU , 今村俊一 , IMAMURA, SHUNICHI , 齊藤一也 , SAITO, KAZUYA
IPC分类号： C23C14/34 , C03C4/14
CPC分类号： C23C14/56 , C23C14/0063

2. 发明专利

TW201410905A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201410905A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102127769
申请日：2013-08-02
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：福田夏樹 , FUKUDA, NATSUKI , 福壽和紀 , FUKUJU, KAZUNORI , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/0063 , C23C14/0068 , C23C14/083 , C23C16/4412 , C23C16/455 , H01J37/32449 , H01J37/34 , H01J37/3411 , H01J2237/006
摘要：本發明提供一種可在基板面內均勻地形成具有所期望之膜特性的金屬化合物層的成膜方法及成膜裝置。本發明一實施形態的成膜方法，係包含將具有形成在筒狀間隔壁(20)之內部的成膜室(101)、及形成在間隔壁(20)之外部的排氣室(102)之真空室(10)的內部經由連接於排氣室(102)的排氣管線(50)實施排氣之步驟。使包含反應性氣體之製程氣體導入排氣室(102)，在成膜室(101)維持於比排氣室(102)還低壓的狀態下，經由形成在間隔壁(20)與真空室(10)間的氣體流路(80)將製程氣體供給至成膜室(101)。
简体摘要：本发明提供一种可在基板面内均匀地形成具有所期望之膜特性的金属化合物层的成膜方法及成膜设备。本发明一实施形态的成膜方法，系包含将具有形成在筒状间隔壁(20)之内部的成膜室(101)、及形成在间隔壁(20)之外部的排气室(102)之真空室(10)的内部经由连接于排气室(102)的排气管线(50)实施排气之步骤。使包含反应性气体之制程气体导入排气室(102)，在成膜室(101)维持于比排气室(102)还低压的状态下，经由形成在间隔壁(20)与真空室(10)间的气体流路(80)将制程气体供给至成膜室(101)。

3. 发明专利

TW200745362A 反應性濺鍍氧化鋅透明導電氧化物至大面積基材上 REACTIVE SPUTTERING ZINC OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDES ONTO LARGE AREA SUBSTRATES 审中-公开
简体标题：反应性溅镀氧化锌透明导电氧化物至大面积基材上 REACTIVE SPUTTERING ZINC OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDES ONTO LARGE AREA SUBSTRATES
公开(公告)号：TW200745362A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096112371
申请日：2007-04-09
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉家凌 LAU, ALLEN KA-LING , 稻川真 INAGAWA, MAKOTO , 史汀森貝德利O STIMSON, BRADLEY O. , 細川昭弘 HOSOKAWA, AKIHIRO , 懷特約翰M WHITE, JOHN M. , 葉洋 YE, YAN , 卡丹安庫 KADAM, ANKUR , 李洋平 LI, YANPING
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/564 , C23C14/0063 , C23C14/35 , H01J37/3244 , H01J37/34 , H01J37/3438
摘要：本發明大體上包括一或多個冷卻陽極,該等冷卻陽極內藏一或多個氣體引導管,其中該等冷卻陽極與該等氣體引導管跨越一濺鍍反應室中界定在一或多個濺鍍靶材與一或多個基材之間的處理空間。該等氣體引導管可能具有多個氣體出口,以引導該已導入的氣體離開該一或多個基材。該等氣體引導管可引導諸如氧氣等反應性氣體進入濺鍍反應室中,以利用反應性濺鍍作用來沉積TCO膜層。在一多步驟濺鍍製程中,可改變氣流(即,氣體的量與種類)、靶材與基材之間的間距以及直流(DC)功率來達到想要的結果。
简体摘要：本发明大体上包括一或多个冷却阳极,该等冷却阳极内藏一或多个气体引导管,其中该等冷却阳极与该等气体引导管跨越一溅镀反应室中界定在一或多个溅镀靶材与一或多个基材之间的处理空间。该等气体引导管可能具有多个气体出口,以引导该已导入的气体离开该一或多个基材。该等气体引导管可引导诸如氧气等反应性气体进入溅镀反应室中,以利用反应性溅镀作用来沉积TCO膜层。在一多步骤溅镀制程中,可改变气流(即,气体的量与种类)、靶材与基材之间的间距以及直流(DC)功率来达到想要的结果。

4. 发明专利

TW200422419A 薄膜形成裝置及薄膜形成方法 THIN FILM FORMING APPARATUS AND THIN FILM FORMING METHOD 审中-公开
简体标题：薄膜形成设备及薄膜形成方法 THIN FILM FORMING APPARATUS AND THIN FILM FORMING METHOD
公开(公告)号：TW200422419A
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW092128611
申请日：2003-10-15
申请人：優貝克股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：森中泰三 MORINAKA, TAIZO , 鈴木壽弘 SUZUKI, TOSHIHIRO , 谷典明 TANI, NORIAKI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/0063 , C23C14/0047 , C23C14/0078 , C23C14/10
摘要：原材料供應源，即一標靶與一微波槍，被提供在一真空室中使得它們與一基材相對，及一主抽吸埠被設置在靠近該微波槍介於該原材料供應源之間。一控制系統可記住在一預定的氬氣流率下的氧氣流率，及濺鍍薄形成率其由三種模式所組成(高速，中速及低速)，亦即高速金屬物質薄膜形成模式，低速化合物薄膜形成模式及中速薄膜形成模式，依作為參考資料的氧氣流率而定。當在一預定的氬氣流率下形成薄膜時，相應於該高速金屬物質薄膜形成模式的一氧氣流率及一氬氣流率被選取。然後，這兩個氣體流率都被控制用以包持被選取的氧氣及氬氣的流率，然後藉由操作一微波槍及藉由操作一濺鍍標靶來交替地實施一反應處理及一薄膜形成處理用以執行脈衝式的薄膜形成處理，其中該微波槍具有一氧氣導入埠及一氧氣排放埠，及該濺鍍標靶具有一氬氣導入埠。
简体摘要：原材料供应源，即一标靶与一微波枪，被提供在一真空室中使得它们与一基材相对，及一主抽吸端口被设置在靠近该微波枪介于该原材料供应源之间。一控制系统可记住在一预定的氩气流率下的氧气流率，及溅镀薄形成率其由三种模式所组成(高速，中速及低速)，亦即高速金属物质薄膜形成模式，低速化合物薄膜形成模式及中速薄膜形成模式，依作为参考数据的氧气流率而定。当在一预定的氩气流率下形成薄膜时，相应于该高速金属物质薄膜形成模式的一氧气流率及一氩气流率被选取。然后，这两个气体流率都被控制用以包持被选取的氧气及氩气的流率，然后借由操作一微波枪及借由操作一溅镀标靶来交替地实施一反应处理及一薄膜形成处理用以运行脉冲式的薄膜形成处理，其中该微波枪具有一氧气导入端口及一氧气排放端口，及该溅镀标靶具有一氩气导入端口。

6. 发明专利

TWI519659B 薄膜金屬氮氧化半導體有权
简体标题：薄膜金属氮氧化半导体
公开(公告)号：TWI519659B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103112326
申请日：2009-03-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葉雁 , YE, YAN
IPC分类号： C23C14/14 , H01L21/20 , H01L21/34
CPC分类号： C23C14/0063 , C23C14/0676 , H01J37/3408 , H01J37/3429 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02631 , H01L29/26 , H01L29/7869 , H01L31/18 , H01L31/20 , Y02E10/50

7. 发明专利

TW201602372A 用於材料在基板上之靜態沉積的設備及方法审中-公开
简体标题：用于材料在基板上之静态沉积的设备及方法
公开(公告)号：TW201602372A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104108606
申请日：2015-03-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克隆佩安德率斯 , 哈尼卡麥卡司 , HANIKA, MARKUS , 壬格克勞斯 , ZENGEL, CLAUS , 史屈艾芙琳 , SCHEER, EVELYN
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/34 , C23C14/35 , H01J37/32 , H01J37/34
CPC分类号： C23C14/0063 , C23C14/3464 , C23C14/352 , H01J37/3244 , H01J37/3405 , H01J37/3417
摘要：係敘述一種用於材料在一基板上之靜態沉積的設備。該設備包含：一氣體分佈系統，用於提供一或多種處理氣體，其中該氣體分佈系統係配置成用於對於沿著一基板傳送方向的二或多個位置，獨立地控制該一或多種處理氣體中的至少一種處理氣體的流動速率；以及一陰極陣列，具有三或多個陰極，該三或多個陰極沿著該基板傳送方向間隔開來。
简体摘要：系叙述一种用于材料在一基板上之静态沉积的设备。该设备包含：一气体分布系统，用于提供一或多种处理气体，其中该气体分布系统系配置成用于对于沿着一基板发送方向的二或多个位置，独立地控制该一或多种处理气体中的至少一种处理气体的流动速率；以及一阴极数组，具有三或多个阴极，该三或多个阴极沿着该基板发送方向间隔开来。

8. 发明专利

TW201137144A 濺鍍裝置及濺鍍洗靶方法 SPUTTERING DEVICE AND CLEANING METHOD FOR SPUTTERING TARGET 审中-公开
简体标题：溅镀设备及溅镀洗靶方法 SPUTTERING DEVICE AND CLEANING METHOD FOR SPUTTERING TARGET
公开(公告)号：TW201137144A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099113604
申请日：2010-04-29
申请人：鴻海精密工業股份有限公司
发明人：王仲培
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/0063 , C23C14/0068 , C23C14/3464 , C23C14/505
摘要：本發明涉及一種濺鍍裝置，其包括一濺鍍腔體、一容置於該濺鍍腔體且用於承載待鍍物的承載件、複數設於該承載件的周圍且用於單面貼設靶材的靶座及複數致動器。該濺鍍腔體包括與複數靶座對應的複數通氣口。該致動器用於驅動該靶座轉動以使該靶材面向或背對該承載件，每個通氣口用於對應地通入反應性氣體使該濺鍍裝置進行濺鍍或通入惰性氣體使該濺鍍裝置進行洗靶。如此，該濺鍍裝置可以實現同時進行濺鍍和洗靶，提高了生產效率。另，本發明還涉及一種濺鍍洗靶方法。
简体摘要：本发明涉及一种溅镀设备，其包括一溅镀腔体、一容置于该溅镀腔体且用于承载待镀物的承载件、复数设于该承载件的周围且用於单面贴设靶材的靶座及复数致动器。该溅镀腔体包括与复数靶座对应的复数通气口。该致动器用于驱动该靶座转动以使该靶材面向或背对该承载件，每个通气口用于对应地通入反应性气体使该溅镀设备进行溅镀或通入惰性气体使该溅镀设备进行洗靶。如此，该溅镀设备可以实现同时进行溅镀和洗靶，提高了生产效率。另，本发明还涉及一种溅镀洗靶方法。

9. 发明专利

TW200848534A 成膜裝置及成膜方法 FILM DEPOSITION APPARATUS AND FILM DEPOSITION METHOD 审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法 FILM DEPOSITION APPARATUS AND FILM DEPOSITION METHOD
公开(公告)号：TW200848534A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097106677
申请日：2008-02-26
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：中村肇 NAKAMURA, HAJIME , 有馬央恭 ARIMA, HIROYASU , 今村俊一 IMAMURA, SHUNICHI , 齊藤一也 SAITO, KAZUYA
IPC分类号： C23C , C03C
CPC分类号： C23C14/56 , C23C14/0063
摘要：本發明之成膜裝置係在保持於濺鍍成膜室內之基板之表面上,以反應性濺鍍法使化合物薄膜成膜之成膜裝置,該成膜裝置具備第1膜質調整用氣體導入機構,其向上述濺鍍成膜室中,將對成膜於上述基板之表面上的化合物薄膜之膜質進行調整之膜質調整用氣體導入至上述基板之背面。
简体摘要：本发明之成膜设备系在保持于溅镀成膜室内之基板之表面上,以反应性溅镀法使化合物薄膜成膜之成膜设备,该成膜设备具备第1膜质调整用气体导入机构,其向上述溅镀成膜室中,将对成膜于上述基板之表面上的化合物薄膜之膜质进行调整之膜质调整用气体导入至上述基板之背面。

10. 发明专利

TW201537624A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201537624A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103136623
申请日：2014-10-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小島康彥 , KOJIMA, YASUHIKO , 曽根浩 , SONE, HIROSHI , 五味淳 , GOMI, ATSUSHI , 中村貫人 , NAKAMURA, KANTO , 北田亨 , KITADA, TOORU , 鈴木泰信 , SUZUKI, YASUNOBU , 鈴木祐介 , SUZUKI, YUUSUKE , 高槻浩一 , TAKATSUKI, KOICHI , 平澤達郎 , HIRASAWA, TATSUO , 佐藤圭祐 , SATOU, KEISUKE , 安室千晃 , YASUMURO, CHIAKI , 島田篤史 , SHIMADA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/06
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/0063 , C23C14/081 , C23C14/165 , C23C14/352 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：一實施形態之成膜裝置，係具備有處理容器。在處理容器內，係設置有載置台，在載置台的上方，係設置有金屬靶材。又，頭部，係構成朝向載置台噴射氧化氣體。該頭部，係可在第1區域與第2區域之間移動，該第1區域，係指在載置台上載置有被處理體的載置區域與金屬靶材之間，第2區域，係指離開金屬靶材與載置區域之間的空間。
简体摘要：一实施形态之成膜设备，系具备有处理容器。在处理容器内，系设置有载置台，在载置台的上方，系设置有金属靶材。又，头部，系构成朝向载置台喷射氧化气体。该头部，系可在第1区域与第2区域之间移动，该第1区域，系指在载置台上载置有被处理体的载置区域与金属靶材之间，第2区域，系指离开金属靶材与载置区域之间的空间。

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