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1. 发明专利

TW201215698A ＰＺＴ薄膜之形成方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：ＰＺＴ薄膜之形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201215698A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW099134886
申请日：2010-10-13
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：增田健 , 梶沼雅彥 , 山田貴一 , 植松正紀 , 鄒弘綱
IPC分类号： C23C , H01L
摘要： [課題]提供一種：能夠使基板面內之膜組成分布提升，並對於基板面內之結晶粒的發生之微觀性之偏差作抑制，且更進而能夠達成表面粗度之提升的PZT薄膜之形成方法、以及包含有此薄膜所成的半導體裝置之製造方法。[解決手段]作為Pb、Zr以及Ti用之各別的有機金屬化合物原料，而使用由Pb(thd)2以及Pb(dmhd)2中所選擇之1種的Pb用有機金屬化合物原料、和由Zr(dmhd)4、Zr(thd)2(dmhd)2、Zr(thd)3(dmhd)、Zr(i-PrO)2(thd)2以及Zr(i-PrO)(thd)3中所選擇之一種的Zr用有機金屬化合物原料、以及Ti(i-PrO)2(dmhd)2之Ti用有機金屬化合物原料。製造出包含有此強介電質薄膜之半導體裝置。
简体摘要： [课题]提供一种：能够使基板面内之膜组成分布提升，并对于基板面内之结晶粒的发生之微观性之偏差作抑制，且更进而能够达成表面粗度之提升的PZT薄膜之形成方法、以及包含有此薄膜所成的半导体设备之制造方法。[解决手段]作为Pb、Zr以及Ti用之各别的有机金属化合物原料，而使用由Pb(thd)2以及Pb(dmhd)2中所选择之1种的Pb用有机金属化合物原料、和由Zr(dmhd)4、Zr(thd)2(dmhd)2、Zr(thd)3(dmhd)、Zr(i-PrO)2(thd)2以及Zr(i-PrO)(thd)3中所选择之一种的Zr用有机金属化合物原料、以及Ti(i-PrO)2(dmhd)2之Ti用有机金属化合物原料。制造出包含有此强介电质薄膜之半导体设备。

3. 发明专利

TWI365232B 薄膜製造裝置及薄膜製造裝置用內部塊 THIN FILM MANUFACTURING DEVICE AND INNER BLOCK FOR THIN FILM MANUFACTURING DEVICE 有权
简体标题：薄膜制造设备及薄膜制造设备用内部块 THIN FILM MANUFACTURING DEVICE AND INNER BLOCK FOR THIN FILM MANUFACTURING DEVICE
公开(公告)号：TWI365232B
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW096116062
申请日：2007-05-07
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：山田貴一 , 入野修 , 加賀美剛
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/44 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/52
摘要：本發明提供一種因零件的共同化所實現之成本減少與成膜效率之提升的薄膜製造裝置。
本發明之薄膜製造裝置(10)係藉由設置於真空槽(12)內部的內部塊(17)來界定反應空間(31)的容積，只要改變內部塊(17)內徑的尺寸，不用改變真空槽尺寸，即可達成反應空間(31)之容積的最適化。依此構成，可使用共同的真空槽(12)來進行不同尺寸之複數種基板(W)的成膜。再者，由於可配合所處理之基板尺寸，將所準備之裝置構造零件之數量的增加抑制在最小限度，所以可達成零件成本的降低，同時達成組裝作業/製品檢查作業/調整作業的簡單化，並實現良好的成膜效率與穩定成膜。
简体摘要：本发明提供一种因零件的共同化所实现之成本减少与成膜效率之提升的薄膜制造设备。本发明之薄膜制造设备(10)系借由设置于真空槽(12)内部的内部块(17)来界定反应空间(31)的容积，只要改变内部块(17)内径的尺寸，不用改变真空槽尺寸，即可达成反应空间(31)之容积的最适化。依此构成，可使用共同的真空槽(12)来进行不同尺寸之复数种基板(W)的成膜。再者，由于可配合所处理之基板尺寸，将所准备之设备构造零件之数量的增加抑制在最小限度，所以可达成零件成本的降低，同时达成组装作业/制品检查作业/调整作业的简单化，并实现良好的成膜效率与稳定成膜。

4. 发明专利

TW200307993A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW200307993A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092106991
申请日：2003-03-27
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：內田寬人 , 神保武人 , 增田健 , 沼雅彥 , 山田貴一 , 植松正紀 , 鄒紅罡 , 木村勳
IPC分类号： H01L , B01D
CPC分类号： C23C16/45512 , C23C16/409 , C23C16/4402 , C23C16/455 , C23C16/45519
摘要：本發明乃為一種提供不會產生粒，可實施MOCVD法的成膜裝置及成膜方法。乃屬於由成膜室47、和混合氣體生成用混合室43、和原料氣體用氣化室41、和設在成膜室上面的氣體頭部48所形成的成膜裝置中，在氣化室41和混合室43之間，以及在混合室43內的下流側，配設粒子陷阱。並設置具備用來連接配設在混合室43內的下流側的粒子陷阱46a、46b的一次側和二次側和間的閥V3的旁通管線50。使用該裝置進行成膜時，以打開旁通管線50的閥V3的狀態流入原料氣體、反應氣體、載氣的氣類後，關閉該閥或可變閥時，一邊慢慢地關閉一邊開始成膜。
简体摘要：本发明乃为一种提供不会产生粒，可实施MOCVD法的成膜设备及成膜方法。乃属于由成膜室47、和混合气体生成用混合室43、和原料气体用气化室41、和设在成膜室上面的气体头部48所形成的成膜设备中，在气化室41和混合室43之间，以及在混合室43内的下流侧，配设粒子猫腻。并设置具备用来连接配设在混合室43内的下流侧的粒子猫腻46a、46b的一次侧和二次侧和间的阀V3的旁通管线50。使用该设备进行成膜时，以打开旁通管线50的阀V3的状态流入原料气体、反应气体、载气的气类后，关闭该阀或可变阀时，一边慢慢地关闭一边开始成膜。

5. 发明专利

TW201903188A 薄膜之形成方法审中-公开
公开(公告)号：TW201903188A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107117839
申请日：2018-05-25
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC. , 美商萬國商業機器股份有限公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：畠中正信 , HATANAKA, MASANOBU , 小川洋平 , OGAWA, YOHEI , 李建昌 , LEE, KEON-CHANG , 加藤伸幸 , KATO, NOBUYUKI , 山田貴一 , YAMADA, TAKAKAZU , 羅森強 , ROZEN, JOHN
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/285 , H01L21/8234 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L29/423
摘要：本發明之薄膜之形成方法，其包含第一工序與第二工序；該第一工序，係將成膜對象的溫度設為200℃以上，並從第一狀態變成第二狀態；該第一狀態，係將成膜材料與載流氣體供給至該成膜對象，而使該成膜材料附著於該成膜對象；該第二狀態，係從第一狀態中將供給該成膜材料去除；第二工序，係將成膜對象的溫度設為200℃以上，並從第三狀態變成第四狀態；該第三狀態，係將氫氣與載流氣體供給至成膜對象，使成膜材料還原；該第四狀態，係從該第三狀態將供給氫氣去除。成膜材料係從Al(CxH2x+1)3、Al(CxH2x+1)2H、Al(CxH2x+1)2Cl所構成之群組中選擇的任一者。交互重複第一工序與第二工序，可在成膜對象的表面上形成鋁原子的含有率在20原子%以上的碳化鋁膜。
简体摘要：本发明之薄膜之形成方法，其包含第一工序与第二工序；该第一工序，系将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第一状态变成第二状态；该第一状态，系将成膜材料与载流气体供给至该成膜对象，而使该成膜材料附着于该成膜对象；该第二状态，系从第一状态中将供给该成膜材料去除；第二工序，系将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第三状态变成第四状态；该第三状态，系将氢气与载流气体供给至成膜对象，使成膜材料还原；该第四状态，系从该第三状态将供给氢气去除。成膜材料系从Al(CxH2x+1)3、Al(CxH2x+1)2H、Al(CxH2x+1)2Cl所构成之群组中选择的任一者。交互重复第一工序与第二工序，可在成膜对象的表面上形成铝原子的含有率在20原子%以上的碳化铝膜。

6. 发明专利

TWI333985B 薄膜製造裝置及製造方法有权
简体标题：薄膜制造设备及制造方法
公开(公告)号：TWI333985B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW093122574
申请日：2004-07-28
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：山田貴一 , 增田健 , 梶沼雅彥 , 西岡浩 , 植松正紀 , 鄒紅罡
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/4557 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45565 , C23C16/45572
摘要：【課題】提供一種可再現良好的膜厚分布、組成分布、
鍍膜率，且碎片數少，長期且安定地進行連續鍍膜可能的生產性、量產性優秀的薄膜製造裝置及製造方法。
【解決手段】從反應空間的反應室上部藉由噴灑頭將鍍
膜氣體導入反應室內，在加熱基板上鍍膜的CVD裝置的薄膜製造裝置，上部的反應空間是由不旋轉或是昇降的基板平台及噴灑頭及防著板所構成，將由防著板及基板平台所構成的同心圓的間隙設成氣體通氣路徑，使非活性氣體從此氣體通氣路徑的上方沿著防著板流動，而且在氣體通氣路徑的2次側設置下部空間。
简体摘要：【课题】提供一种可再现良好的膜厚分布、组成分布、镀膜率，且碎片数少，长期且安定地进行连续镀膜可能的生产性、量产性优秀的薄膜制造设备及制造方法。【解决手段】从反应空间的反应室上部借由喷洒头将镀膜气体导入反应室内，在加热基板上镀膜的CVD设备的薄膜制造设备，上部的反应空间是由不旋转或是升降的基板平台及喷洒头及防着板所构成，将由防着板及基板平台所构成的同心圆的间隙设成气体通气路径，使非活性气体从此气体通气路径的上方沿着防着板流动，而且在气体通气路径的2次侧设置下部空间。

7. 发明专利

TW200300702A 混合器、薄膜製造裝置及薄膜製造方法审中-公开
简体标题：混合器、薄膜制造设备及薄膜制造方法
公开(公告)号：TW200300702A
公开(公告)日：2003-06-16
申请号：TW091135080
申请日：2002-12-03
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：山田貴一 , 增田健 , 沼雅彥 , 植松正紀 , 鄒紅罡
IPC分类号： C23C , H01L , B01J
CPC分类号： C23C16/45502 , B01F3/02 , B01F5/0256 , B01F2215/0427 , B01J4/001 , B01J10/02 , B01J19/247 , C23C16/4412 , C23C16/45512 , C23C16/45519 , C23C16/4558 , C23C16/4585 , H01L21/67017
摘要：一種混合器、薄膜製造裝置及薄膜製造方法，是具有：二支氣體導入管5、6分別將氣體導入口5a、5b互相設成對向的攪拌室2、及混合氣體的擴散室3，在攪拌室及擴散室之間，設置特定形狀之間隔板4使擴散室容積大於攪拌室容積，在間隔板，是在連結二個氣體導入口之直線的垂直方向下側之預定位置設有一個噴氣口7，可均勻地來混合重量不同之氣體的簡單構成之混合器1。間隔板，對於混合器之底部具有凸狀的二次曲線形狀。使用具備該混合器1之薄膜製造裝置及在該混合器內混合成均勻的成膜氣體來形成薄膜之薄膜製造方法。又，以簡單的構造且低廉的成本可製作，並且，可抑制亂流、對流及熱對流的產生可將混合氣體的氣流形成均勻的薄膜製造裝置中，在真空反應室2內部設有載置基板的載物台53，對向於載物台53在真空反應室2上面之中央部配設氣頭57來導入成膜氣體到真空反應室內。密接於載物台53的側壁，設置具有預定長度之圓筒形狀的套管構件61來包圍其周圍，介於該套管構件及構成反應室的內壁面之間的間隙，使排氣在形成氣頭及載物台的第1空間內不會對流而從第1空間來各向排氣，連接真空排氣手段55之載物台下側的第2空間之容積在比第1空間之容積更大的位置來設定載物台之高度位置。
简体摘要：一种混合器、薄膜制造设备及薄膜制造方法，是具有：二支气体导入管5、6分别将气体导入口5a、5b互相设成对向的搅拌室2、及混合气体的扩散室3，在搅拌室及扩散室之间，设置特定形状之间隔板4使扩散室容积大于搅拌室容积，在间隔板，是在链接二个气体导入口之直线的垂直方向下侧之预定位置设有一个喷气口7，可均匀地来混合重量不同之气体的简单构成之混合器1。间隔板，对于混合器之底部具有凸状的二次曲线形状。使用具备该混合器1之薄膜制造设备及在该混合器内混合成均匀的成膜气体来形成薄膜之薄膜制造方法。又，以简单的构造且低廉的成本可制作，并且，可抑制乱流、对流及热对流的产生可将混合气体的气流形成均匀的薄膜制造设备中，在真空反应室2内部设有载置基板的载物台53，对向于载物台53在真空反应室2上面之中央部配设气头57来导入成膜气体到真空反应室内。密接于载物台53的侧壁，设置具有预定长度之圆筒形状的套管构件61来包围其周围，介于该套管构件及构成反应室的内壁面之间的间隙，使排气在形成气头及载物台的第1空间内不会对流而从第1空间来各向排气，连接真空排气手段55之载物台下侧的第2空间之容积在比第1空间之容积更大的位置来设置载物台之高度位置。

8. 发明专利

TW201033392A 氮化鉭膜之形成方法及其成膜裝置审中-公开
简体标题：氮化钽膜之形成方法及其成膜设备
公开(公告)号：TW201033392A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098142067
申请日：2009-12-09
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：山本晃子 , 牛川治憲 , 加藤伸幸 , 山田貴一
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/4481
摘要：藉由在基板(S)上，供給作為反應氣體之含有氮原子化合物氣體，並作為原料氣體，而供給三級-戊亞胺基-三(二甲胺基)-鉭(tantalum tertiary amylimido tris(dimethylamide)，[Ta(NtAm)(Nme2)3])氣體，而在基板(S)上形成氮化鉭膜的氮化鉭膜之形成方法，或者是藉由具備有反應氣體供給管線(L4)、和用以將原料液化之容器(13)、和用以將液化後的原料氣體化之氣化器(11)、和用以調節原料液體的供給量之液體質量流控制器(12)、和原料氣體供給管線(L1)之成膜裝置，而能夠恆常地來安定的供給原料氣體，並能夠提升被處理基板之產率，其結果，氮化鉭膜之生產性係提升。
简体摘要：借由在基板(S)上，供给作为反应气体之含有氮原子化合物气体，并作为原料气体，而供给三级-戊亚胺基-三(二甲胺基)-钽(tantalum tertiary amylimido tris(dimethylamide)，[Ta(NtAm)(Nme2)3])气体，而在基板(S)上形成氮化钽膜的氮化钽膜之形成方法，或者是借由具备有反应气体供给管线(L4)、和用以将原料液化之容器(13)、和用以将液化后的原料气体化之气化器(11)、和用以调节原料液体的供给量之液体质量流控制器(12)、和原料气体供给管线(L1)之成膜设备，而能够恒常地来安定的供给原料气体，并能够提升被处理基板之产率，其结果，氮化钽膜之生产性系提升。

9. 发明专利

TWI324795B 薄膜製造裝置有权
简体标题：薄膜制造设备
公开(公告)号：TWI324795B
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：TW092107402
申请日：2003-04-01
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：增田健 , 梶沼雅彥 , 山田貴一 , 內田寬人 , 植松正紀 , 鄒紅罡
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/409 , C23C16/45512 , C23C16/45519 , C23C16/45589 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/60
摘要：本發明之課題，在於提供能夠達成晶圓面內之分布均勻性的薄膜製造裝置。
本發明之解決手段，在於將該裝置作成：於氣體混合室底面之周緣部設置混合氣體之供輸口24a，用以從氣體混合室24供輸混合氣體與噴淋頭25，而使混合氣體能從噴淋頭上面之周緣部朝向中心部流動的構造；又作成：設置用以排出成膜室3內之排氣的排氣口32於較成膜室側壁之成膜時載物台31之位置為下方部分之處，使成膜室內之排氣朝成膜室之側壁方向而由排氣口排出之構造。另以昇降自如的方式形成載物台31，並作成噴淋頭25與基板5間之距離為可調式者。
简体摘要：本发明之课题，在于提供能够达成晶圆面内之分布均匀性的薄膜制造设备。本发明之解决手段，在于将该设备作成：于气体混合室底面之周缘部设置混合气体之供输口24a，用以从气体混合室24供输混合气体与喷淋头25，而使混合气体能从喷淋头上面之周缘部朝向中心部流动的构造；又作成：设置用以排出成膜室3内之排气的排气口32于较成膜室侧壁之成膜时载物台31之位置为下方部分之处，使成膜室内之排气朝成膜室之侧壁方向而由排气口排出之构造。另以升降自如的方式形成载物台31，并作成喷淋头25与基板5间之距离为可调式者。

10. 发明专利

TW200401341A 薄膜製造裝置审中-公开
简体标题：薄膜制造设备
公开(公告)号：TW200401341A
公开(公告)日：2004-01-16
申请号：TW092107402
申请日：2003-04-01
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：增田健 , 沼雅彥 , 山田貴一 , 內田寬人 , 植松正紀 , 鄒紅罡
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/409 , C23C16/45512 , C23C16/45519 , C23C16/45589 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/60
摘要：本發明之課題，在於提供能夠達成晶圓面內之分布均勻性的薄膜製造裝置。本發明之解決手段，在於將該裝置作成：於氣體混合室底面之周緣部設置混合氣體之供輸口24a，用以從氣體混合室24供輸混合氣體與噴淋頭25，而使混合氣體能從噴淋頭上面之周緣部朝向中心部流動的構造；又作成：設置用以排出成膜室3內之排氣的排氣口32於較成膜室側壁之成膜時載物台31之位置為下方部分之處，使成膜室內之排氣朝成膜室之側壁方向而由排氣口排出之構造。另以昇降自如的方式形成載物台31，並作成噴淋頭25與基板5間之距離為可調式者。
简体摘要：本发明之课题，在于提供能够达成晶圆面内之分布均匀性的薄膜制造设备。本发明之解决手段，在于将该设备作成：于气体混合室底面之周缘部设置混合气体之供输口24a，用以从气体混合室24供输混合气体与喷淋头25，而使混合气体能从喷淋头上面之周缘部朝向中心部流动的构造；又作成：设置用以排出成膜室3内之排气的排气口32于较成膜室侧壁之成膜时载物台31之位置为下方部分之处，使成膜室内之排气朝成膜室之侧壁方向而由排气口排出之构造。另以升降自如的方式形成载物台31，并作成喷淋头25与基板5间之距离为可调式者。

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