专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI545212B 介電質薄膜之成膜方法有权
简体标题：介电质薄膜之成膜方法
公开(公告)号：TWI545212B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW100136286
申请日：2011-10-06
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：木村勳 , KIMURA, ISAO , 神保武人 , JINBO, TAKEHITO , 小林宏樹 , KOBAYASHI, HIROKI , 遠藤洋平 , ENDOU, YOUHEI , 大西洋平 , OONISHI, YOUHEI
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , H01L41/22
CPC分类号： C23C14/088 , C01G21/06 , C01G25/006 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C23C14/024 , C23C14/35 , H01J37/34 , H01J37/3426 , H01J37/3464 , H01L41/316

2. 发明专利

TW200307993A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW200307993A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092106991
申请日：2003-03-27
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：內田寬人 , 神保武人 , 增田健 , 沼雅彥 , 山田貴一 , 植松正紀 , 鄒紅罡 , 木村勳
IPC分类号： H01L , B01D
CPC分类号： C23C16/45512 , C23C16/409 , C23C16/4402 , C23C16/455 , C23C16/45519
摘要：本發明乃為一種提供不會產生粒，可實施MOCVD法的成膜裝置及成膜方法。乃屬於由成膜室47、和混合氣體生成用混合室43、和原料氣體用氣化室41、和設在成膜室上面的氣體頭部48所形成的成膜裝置中，在氣化室41和混合室43之間，以及在混合室43內的下流側，配設粒子陷阱。並設置具備用來連接配設在混合室43內的下流側的粒子陷阱46a、46b的一次側和二次側和間的閥V3的旁通管線50。使用該裝置進行成膜時，以打開旁通管線50的閥V3的狀態流入原料氣體、反應氣體、載氣的氣類後，關閉該閥或可變閥時，一邊慢慢地關閉一邊開始成膜。
简体摘要：本发明乃为一种提供不会产生粒，可实施MOCVD法的成膜设备及成膜方法。乃属于由成膜室47、和混合气体生成用混合室43、和原料气体用气化室41、和设在成膜室上面的气体头部48所形成的成膜设备中，在气化室41和混合室43之间，以及在混合室43内的下流侧，配设粒子猫腻。并设置具备用来连接配设在混合室43内的下流侧的粒子猫腻46a、46b的一次侧和二次侧和间的阀V3的旁通管线50。使用该设备进行成膜时，以打开旁通管线50的阀V3的状态流入原料气体、反应气体、载气的气类后，关闭该阀或可变阀时，一边慢慢地关闭一边开始成膜。

3. 发明专利

TWI538029B 介電質成膜裝置及介電質成膜方法有权
简体标题：介电质成膜设备及介电质成膜方法
公开(公告)号：TWI538029B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW100136285
申请日：2011-10-06
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：木村勳 , KIMURA, ISAO , 神保武人 , JINBO, TAKEHITO , 小林宏樹 , KOBAYASHI, HIROKI , 遠藤洋平 , ENDOU, YOUHEI , 大西洋平 , OONISHI, YOUHEI
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/314
CPC分类号： C23C14/3464 , C23C14/024 , C23C14/088 , C23C14/35 , C30B23/002 , C30B23/025 , C30B23/063 , C30B29/32

4. 发明专利

TW201540524A 多層膜之製造方法及多層膜审中-公开
简体标题：多层膜之制造方法及多层膜
公开(公告)号：TW201540524A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104107440
申请日：2015-03-09
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：小林宏樹 , KOBAYASHI, HIROKI , 逸見充則 , HENMI, MITSUNORI , 廣瀨光隆 , HIROSE, MITSUTAKA , 塚越和也 , TSUKAGOSHI, KAZUYA , 木村勳 , KIMURA, ISAO , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： B32B9/04 , H01L41/39 , H01L41/04
CPC分类号： H01L41/319 , C23C14/083 , C23C14/088 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/35 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L41/1876 , H01L41/316
摘要：本發明之多層膜之製造方法係於基板(2、31)形成導電層(3)，且以覆蓋上述導電層(3)之方式利用濺鍍法形成包含具有鈣鈦礦構造之氧化物的籽晶層(4)，且以覆蓋上述籽晶層(4)之方式形成介電體層(5)。
简体摘要：本发明之多层膜之制造方法系于基板(2、31)形成导电层(3)，且以覆盖上述导电层(3)之方式利用溅镀法形成包含具有钙钛矿构造之氧化物的籽晶层(4)，且以覆盖上述籽晶层(4)之方式形成介电体层(5)。

5. 发明专利

TW200946699A 硫族化物膜及其製造方法 CHALCOGENIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：硫族化物膜及其制造方法 CHALCOGENIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200946699A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW097144233
申请日：2008-11-14
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：菊地真 , 西岡浩 , 木村勳 , 神保武人 , 鄒弘綱
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C14/046 , C23C14/0623 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683
摘要：本發明之硫族化物膜係藉由濺鍍而於基板上之絕緣層中所形成之接觸孔內成膜，且含有包含使熔點降低之熔點降低材料之硫族元素化合物。
简体摘要：本发明之硫族化物膜系借由溅镀而于基板上之绝缘层中所形成之接触孔内成膜，且含有包含使熔点降低之熔点降低材料之硫族元素化合物。

6. 发明专利

TW201724265A 氧化物介電質元件及氧化物介電質元件之製造方法审中-公开
简体标题：氧化物介电质组件及氧化物介电质组件之制造方法
公开(公告)号：TW201724265A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128267
申请日：2016-09-01
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：鈴木亮由 , SUZUKI, AKIYOSHI , 木村勳 , KIMURA, ISAO , 小林宏樹 , KOBAYASHI, HIROKI , 森川泰宏 , MORIKAWA, YASUHIRO , 久保昌司 , KUBO, MASASHI
IPC分类号： H01L21/316 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C16/40
CPC分类号： H01L27/105 , H01L41/053 , H01L41/09 , H01L41/23
摘要：本發明係提供可以減少保護膜所導致的拘束力而使壓電特性提高，或者抑制介電係數的降低，同時防止起因於氫離子導致的還原劣化的物理特性的降低之氧化物介電質元件的保護膜的技術。本發明之氧化物介電質元件(15)，具備：矽基板(1)、及設於矽基板(1)上，具有挾著氧化物介電質層(5)而設的第1及第2電極層(4)、(6)的氧化物介電質薄膜層積體(8)；而氧化物介電質薄膜層積體(8)，藉由高分子聚合體構成的保護膜(7)所覆蓋。保護膜(7)可藉由蒸鍍聚合法形成。
简体摘要：本发明系提供可以减少保护膜所导致的拘束力而使压电特性提高，或者抑制介电系数的降低，同时防止起因于氢离子导致的还原劣化的物理特性的降低之氧化物介电质组件的保护膜的技术。本发明之氧化物介电质组件(15)，具备：硅基板(1)、及设于硅基板(1)上，具有挟着氧化物介电质层(5)而设的第1及第2电极层(4)、(6)的氧化物介电质薄膜层积体(8)；而氧化物介电质薄膜层积体(8)，借由高分子聚合体构成的保护膜(7)所覆盖。保护膜(7)可借由蒸镀聚合法形成。

7. 发明专利

TWI409351B 多層膜形成方法及裝置有权
简体标题：多层膜形成方法及设备
公开(公告)号：TWI409351B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW096150233
申请日：2007-12-26
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：木村勳 , KIMURA, ISAO , 神保武人 , JINBO, TAKEHITO , 菊地真 , KIKUCHI, SHIN , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 鄒紅罡 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , H01B3/12
CPC分类号： C23C14/568 , C23C14/025 , C23C14/042 , C23C14/088 , C23C14/352 , C23C28/322 , C23C28/3455 , H01G4/1227 , H01G4/1245 , H01G4/33 , H01G7/06 , H01L21/31691 , H01L41/316

8. 发明专利

TWI350528B 硫化物膜之形成方法及記錄元件之製造方法 METHOD FOR FORMING CHALCOGENIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD OF MEMORY CELL 有权
简体标题：硫化物膜之形成方法及记录组件之制造方法 METHOD FOR FORMING CHALCOGENIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD OF MEMORY CELL
公开(公告)号：TWI350528B
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：TW097102928
申请日：2008-01-25
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：菊地真 , 西岡浩 , 木村勳 , 神保武人 , 鄒紅紅
IPC分类号： G11B
CPC分类号： C23C14/345 , C23C14/046 , C23C14/0623 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625
摘要：本發明之硫化物膜之形成方法，其係於形成於基板上之絕緣層之接觸孔內形成硫化物膜之方法，且包含：準備與上述硫化物膜之組成相同之靶材之階段；當將上述靶材之直徑設為T(m)、將上述靶材與上述基板之間之距離設為L(m)時，將上述距離L與上述靶材之直徑T之比L/T設為0.5以上且1.5以下之階段；以及藉由對上述基板施加偏壓電力且對上述靶材施加濺鍍電力之濺鍍步驟，而於上述接觸孔內形成硫化物膜之階段。
简体摘要：本发明之硫化物膜之形成方法，其系于形成于基板上之绝缘层之接触孔内形成硫化物膜之方法，且包含：准备与上述硫化物膜之组成相同之靶材之阶段；当将上述靶材之直径设为T(m)、将上述靶材与上述基板之间之距离设为L(m)时，将上述距离L与上述靶材之直径T之比L/T设为0.5以上且1.5以下之阶段；以及借由对上述基板施加偏压电力且对上述靶材施加溅镀电力之溅镀步骤，而于上述接触孔内形成硫化物膜之阶段。

9. 发明专利

TWI273642B 成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI273642B
公开(公告)日：2007-02-11
申请号：TW092106991
申请日：2003-03-27
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：內田寬人 UCHIDA, HIROTO , 神保武人 , 增田健 MASUDA, TAKESHI , 沼雅彥 KAJINUMA, MASAHIKO , 山田貴一 YAMADA, TAKAKAZU , 植松正紀 UEMATSU, MASAKI , 鄒紅罡 SUU, KOUKOU , 木村勳
IPC分类号： H01L , B01D
CPC分类号： C23C16/45512 , C23C16/409 , C23C16/4402 , C23C16/455 , C23C16/45519
摘要：本發明乃為一種提供不會產生粒，可實施MOCVD法的成膜裝置及成膜方法。
乃屬於由成膜室47、和混合氣體生成用混合室43、和原料氣體用氣化室41、和設在成膜室上面的氣體頭部48所形成的成膜裝置中，在氣化室41和混合室43之間，以及在混合室43內的下流側，配設粒子陷阱。並設置具備用來連接配設在混合室43內的下流側的粒子陷阱46a、46b的一次側和二次側和間的閥V3的旁通管線50。使用該裝置進行成膜時，以打開旁通管線50的閥V3的狀態流入原料氣體、反應氣體、載氣的氣類後，關閉該閥或可變閥時，一邊慢慢地關閉一邊開始成膜。
简体摘要：本发明乃为一种提供不会产生粒，可实施MOCVD法的成膜设备及成膜方法。乃属于由成膜室47、和混合气体生成用混合室43、和原料气体用气化室41、和设在成膜室上面的气体头部48所形成的成膜设备中，在气化室41和混合室43之间，以及在混合室43内的下流侧，配设粒子猫腻。并设置具备用来连接配设在混合室43内的下流侧的粒子猫腻46a、46b的一次侧和二次侧和间的阀V3的旁通管线50。使用该设备进行成膜时，以打开旁通管线50的阀V3的状态流入原料气体、反应气体、载气的气类后，关闭该阀或可变阀时，一边慢慢地关闭一边开始成膜。

10. 发明专利

TWI459551B 硫屬化物膜及其製造方法有权
简体标题：硫属化物膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI459551B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW097137974
申请日：2008-10-02
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：菊地真 , KIKUCHI, SHIN , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 木村勳 , KIMURA, ISAO , 神保武人 , JIMBO, TAKEHITO , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/1625 , H01L45/1683

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式