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1. 发明专利

TW200823934A 具有熱保護功能的壓敏電阻审中-公开
简体标题：具有热保护功能的压敏电阻
公开(公告)号：TW200823934A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW095144406
申请日：2006-11-30
申请人：興勤電子工業股份有限公司
发明人：何昌緯
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C7/108 , H01C1/08 , H01H37/761
摘要：本發明係一種結構簡易緊,反應速度迅速,適用範圍廣的可自我失效保護的一種具有熱保護功能的壓敏電阻,其於壓敏電阻元件之本體上設有一絕緣支架,熱熔絲與接腳相互電連接且設於絕緣支架上,當本體受到各種類型過電壓導致溫度異常昇高時,藉由絕緣支架增加導熱面積,以迅速將溫度傳導至熱熔絲,同時藉由過熱促使熱熔絲昇溫,當溫度超過其熔點後形成熔融液態狀,於絕緣支架體所設置數個的凹槽,缺槽所產生的毛細作用力,進一步促使熔融液態狀熱熔絲迅速擴散開,則熱熔絲能迅速熔融擴散分離以及時反應過熱狀況,避免本體起火燃燒,因此能達到及時斷路以保護電流迴路中之電子元件不受損。
简体摘要：本发明系一种结构简易紧,反应速度迅速,适用范围广的可自我失效保护的一种具有热保护功能的压敏电阻,其于压敏电阻组件之本体上设有一绝缘支架,热熔丝与接脚相互电连接且设于绝缘支架上,当本体受到各种类型过电压导致温度异常升高时,借由绝缘支架增加导热面积,以迅速将温度传导至热熔丝,同时借由过热促使热熔丝升温,当温度超过其熔点后形成熔融液态状,于绝缘支架体所设置数个的凹槽,缺槽所产生的毛细作用力,进一步促使熔融液态状热熔丝迅速扩散开,则热熔丝能迅速熔融扩散分离以及时反应过热状况,避免本体起火燃烧,因此能达到及时断路以保护电流回路中之电子组件不受损。

2. 发明专利

TWI257111B 電壓非直線性電阻體磁器組成物、電子零件及積層晶片型變阻器失效
简体标题：电压非直线性电阻体磁器组成物、电子零件及积层芯片型变阻器
公开(公告)号：TWI257111B
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：TW092129399
申请日：2003-10-23
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：松岡大 DAI MATSUOKA
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C7/108
摘要：本發明之電壓非直線性電阻體磁器組成物係包括：包含氧化鋅之主成分、包含稀土類元素氧化物之第1副成分以及包含Sb氧化物或Si氧化物之第2副成分。第2副成分之比率係相對於主成分100莫爾，以Sb換算而成為3原子%≦第2副成分
简体摘要：本发明之电压非直线性电阻体磁器组成物系包括：包含氧化锌之主成分、包含稀土类元素氧化物之第1副成分以及包含Sb氧化物或Si氧化物之第2副成分。第2副成分之比率系相对于主成分100莫尔，以Sb换算而成为3原子%≦第2副成分<10原子%，或者是以Si换算而成为1原子%<第2副成分<30原子%。在使用于积层芯片型变阻器等之电子零件之状态下，可以充分地进行烧结，并且，即使是降低电路电压，也可以降低静电电容。

3. 发明专利

TWI315073B 具有熱保護功能的壓敏電阻有权
简体标题：具有热保护功能的压敏电阻
公开(公告)号：TWI315073B
公开(公告)日：2009-09-21
申请号：TW095144406
申请日：2006-11-30
申请人：興勤電子工業股份有限公司
发明人：何昌緯
IPC分类号： H01C , H02H
CPC分类号： H01C7/108 , H01C1/08 , H01H37/761
摘要：本發明係一種結構簡易緊湊,反應速度迅速,適用範圍廣的可自我失效保護的一種具有熱保護功能的壓敏電阻,其於壓敏電阻元件之本體上設有一絕緣支架,熱熔絲與接腳相互電連接且設於絕緣支架上,當本體受到各種類型過電壓導致溫度異常昇高時,藉由絕緣支架增加導熱面積,以迅速將溫度傳導至熱熔絲,同時藉由過熱促使熱熔絲昇溫,當溫度超過其熔點後形成熔融液態狀,於絕緣支架體所設置數個的凹槽,缺槽所產生的毛細作用力,進一步促使熔融液態狀熱熔絲迅速擴散開,則熱熔絲能迅速熔融擴散分離以及時反應過熱狀況,避免本體起火燃燒,因此能達到及時斷路以保護電流迴路中之電子元件不受損。
简体摘要：本发明系一种结构简易紧凑,反应速度迅速,适用范围广的可自我失效保护的一种具有热保护功能的压敏电阻,其于压敏电阻组件之本体上设有一绝缘支架,热熔丝与接脚相互电连接且设于绝缘支架上,当本体受到各种类型过电压导致温度异常升高时,借由绝缘支架增加导热面积,以迅速将温度传导至热熔丝,同时借由过热促使热熔丝升温,当温度超过其熔点后形成熔融液态状,于绝缘支架体所设置数个的凹槽,缺槽所产生的毛细作用力,进一步促使熔融液态状热熔丝迅速扩散开,则热熔丝能迅速熔融扩散分离以及时反应过热状况,避免本体起火燃烧,因此能达到及时断路以保护电流回路中之电子组件不受损。

4. 发明专利

TW200406793A 電壓非直線性電阻體磁器組成物、電子零件及積層晶片型變阻器失效
简体标题：电压非直线性电阻体磁器组成物、电子零件及积层芯片型变阻器
公开(公告)号：TW200406793A
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW092129399
申请日：2003-10-23
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：松岡大 DAI MATSUOKA
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C7/108
摘要：本發明之電壓非直線性電阻體磁器組成物係包括：包含氧化鋅之主成分、包含稀土類元素氧化物之第1副成分以及包含Sb氧化物或Si氧化物之第2副成分。第2副成分之比率係相對於主成分100莫爾，以Sb換算而成為3原子％≦第2副成分＜10原子％，或者是以Si換算而成為1原子％＜第2副成分＜30原子％。在使用於積層晶片型變阻器等之電子零件之狀態下，可以充分地進行燒結，並且，即使是降低電路電壓，也可以降低靜電電容。
简体摘要：本发明之电压非直线性电阻体磁器组成物系包括：包含氧化锌之主成分、包含稀土类元素氧化物之第1副成分以及包含Sb氧化物或Si氧化物之第2副成分。第2副成分之比率系相对于主成分100莫尔，以Sb换算而成为3原子％≦第2副成分＜10原子％，或者是以Si换算而成为1原子％＜第2副成分＜30原子％。在使用于积层芯片型变阻器等之电子零件之状态下，可以充分地进行烧结，并且，即使是降低电路电压，也可以降低静电电容。

5. 发明专利

TWI584470B 可變電阻元件及其製造方法有权
简体标题：可变电阻组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI584470B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW102131888
申请日：2013-09-04
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：福田夏樹 , FUKUDA, NATSUKI , 福壽和紀 , FUKUJU, KAZUNORI , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/8242
CPC分类号： H01C7/108 , C23C14/0036 , C23C14/08 , H01C17/06 , H01C17/12 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625

6. 发明专利

TWI551568B 氧化鋅式變阻器及其製造方法有权
简体标题：氧化锌式变阻器及其制造方法
公开(公告)号：TWI551568B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW102138568
申请日：2013-10-25
申请人：力特福斯股份有限公司 , LITTELFUSE, INC.
发明人：劉淑英 , LIU, SHUYING
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/00
CPC分类号： H01C7/12 , C04B35/453 , C04B35/62655 , C04B35/638 , C04B2235/3217 , C04B2235/3241 , C04B2235/3263 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/6567 , H01C7/108 , H01C7/112 , H01C17/00

7. 发明专利

TW201431822A 氧化鋅式變阻器及其製造方法审中-公开
简体标题：氧化锌式变阻器及其制造方法
公开(公告)号：TW201431822A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102138568
申请日：2013-10-25
申请人：力特福斯股份有限公司 , LITTELFUSE, INC.
发明人：劉淑英 , LIU, SHUYING
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/00
CPC分类号： H01C7/12 , C04B35/453 , C04B35/62655 , C04B35/638 , C04B2235/3217 , C04B2235/3241 , C04B2235/3263 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/6567 , H01C7/108 , H01C7/112 , H01C17/00
摘要：變阻器可包括變阻器陶瓷，此變阻器陶瓷包含莫耳百分比大於90百分比的氧化鋅與金屬氧化物組，其中所述金屬氧化物組包括莫耳分率在0.2與2.5百分比之間的Bi2O3；莫耳分率在0.2與1.2百分比之間的Co3O4；莫耳分率在0.05與0.5百分比之間的Mn3O4；莫耳分率在0.05與0.5百分比之間的Cr2O3；莫耳分率在0.5與1.5百分比之間的NiO；莫耳分率在0.05與1.5百分比之間的Sb2O3氧化物；莫耳分率在0.001與0.03百分比之間的B2O3；以及莫耳分率在0.001與0.05百分比之間的氧化形式的鋁。
简体摘要：变阻器可包括变阻器陶瓷，此变阻器陶瓷包含莫耳百分比大于90百分比的氧化锌与金属氧化物组，其中所述金属氧化物组包括莫耳分率在0.2与2.5百分比之间的Bi2O3；莫耳分率在0.2与1.2百分比之间的Co3O4；莫耳分率在0.05与0.5百分比之间的Mn3O4；莫耳分率在0.05与0.5百分比之间的Cr2O3；莫耳分率在0.5与1.5百分比之间的NiO；莫耳分率在0.05与1.5百分比之间的Sb2O3氧化物；莫耳分率在0.001与0.03百分比之间的B2O3；以及莫耳分率在0.001与0.05百分比之间的氧化形式的铝。

8. 发明专利

TW201423985A 可變電阻元件及其製造方法审中-公开
简体标题：可变电阻组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201423985A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102131888
申请日：2013-09-04
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：福田夏樹 , FUKUDA, NATSUKI , 福壽和紀 , FUKUJU, KAZUNORI , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/8242
CPC分类号： H01C7/108 , C23C14/0036 , C23C14/08 , H01C17/06 , H01C17/12 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：本發明之課題在於提供一種在不會導致元件尺寸的大型化下，保護元件免受過大電流的破壞之可變電阻元件及其製造方法。本發明之解決手段如下：本發明的一實施形態之可變電阻元件(1)，係具備：下部電極層(3)、上部電極層(6)、第1金屬氧化物層(51)、第2金屬氧化物層(52)、以及電流限制層(4)。第1金屬氧化物層(51)配置在下部電極層(3)與上部電極層(6)之間，並具有第1電阻率。第2金屬氧化物層(52)配置在第1金屬氧化物層(51)與上部電極層(6)之間，並具有較上述第1電阻率更高之第2電阻率。電流限制層(4)配置在下部電極層(3)與第1金屬氧化物層(51)之間，並具有較上述第1電阻率更高且較上述第2電阻率更低之第3電阻率。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种在不会导致组件尺寸的大型化下，保护组件免受过大电流的破坏之可变电阻组件及其制造方法。本发明之解决手段如下：本发明的一实施形态之可变电阻组件(1)，系具备：下部电极层(3)、上部电极层(6)、第1金属氧化物层(51)、第2金属氧化物层(52)、以及电流限制层(4)。第1金属氧化物层(51)配置在下部电极层(3)与上部电极层(6)之间，并具有第1电阻率。第2金属氧化物层(52)配置在第1金属氧化物层(51)与上部电极层(6)之间，并具有较上述第1电阻率更高之第2电阻率。电流限制层(4)配置在下部电极层(3)与第1金属氧化物层(51)之间，并具有较上述第1电阻率更高且较上述第2电阻率更低之第3电阻率。

9. 发明专利

TW394961B 低電容片狀變阻器及其製造方法失效
简体标题：低电容片状变阻器及其制造方法
公开(公告)号：TW394961B
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：TW087103906
申请日：1998-03-17
申请人：西拉提克股份有限公司
发明人：安炳俊 , 金龍柱
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C7/18 , H01C7/1006 , H01C7/108 , H01C7/112
摘要：一種低電容片狀變阻器其製造方法揭示於本文中，此片狀變阻器可以保護電器的的電子元件免受內部或外部衝擊，且極適用於要求低電容的電子元件，低電容片狀變阻器包括至少一片支持層形成具低介電常數的構件，一變阻器層，包括至少一個以上形成於支持層上的變阻器層，至少兩個以上內部電極與變阻器層的預定部分折疊並與之相連，其兩端從支持層的側面上延伸，及一對整體形成外部之電極整體形成於變阻器堆積體之側面上以整體形成支持層，變阻器層和內部電極與各內部電極的一端相連。
简体摘要：一种低电容片状变阻器其制造方法揭示于本文中，此片状变阻器可以保护电器的的电子组件免受内部或外部冲击，且极适用于要求低电容的电子组件，低电容片状变阻器包括至少一片支持层形成具低介电常数的构件，一变阻器层，包括至少一个以上形成于支持层上的变阻器层，至少两个以上内部电极与变阻器层的预定部分折叠并与之相连，其两端从支持层的侧面上延伸，及一对整体形成外部之电极整体形成于变阻器堆积体之侧面上以整体形成支持层，变阻器层和内部电极与各内部电极的一端相连。

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