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1. 发明专利

TWI324795B 薄膜製造裝置有权
简体标题：薄膜制造设备
公开(公告)号：TWI324795B
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：TW092107402
申请日：2003-04-01
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：增田健 , 梶沼雅彥 , 山田貴一 , 內田寬人 , 植松正紀 , 鄒紅罡
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/409 , C23C16/45512 , C23C16/45519 , C23C16/45589 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/60
摘要：本發明之課題，在於提供能夠達成晶圓面內之分布均勻性的薄膜製造裝置。
本發明之解決手段，在於將該裝置作成：於氣體混合室底面之周緣部設置混合氣體之供輸口24a，用以從氣體混合室24供輸混合氣體與噴淋頭25，而使混合氣體能從噴淋頭上面之周緣部朝向中心部流動的構造；又作成：設置用以排出成膜室3內之排氣的排氣口32於較成膜室側壁之成膜時載物台31之位置為下方部分之處，使成膜室內之排氣朝成膜室之側壁方向而由排氣口排出之構造。另以昇降自如的方式形成載物台31，並作成噴淋頭25與基板5間之距離為可調式者。
简体摘要：本发明之课题，在于提供能够达成晶圆面内之分布均匀性的薄膜制造设备。本发明之解决手段，在于将该设备作成：于气体混合室底面之周缘部设置混合气体之供输口24a，用以从气体混合室24供输混合气体与喷淋头25，而使混合气体能从喷淋头上面之周缘部朝向中心部流动的构造；又作成：设置用以排出成膜室3内之排气的排气口32于较成膜室侧壁之成膜时载物台31之位置为下方部分之处，使成膜室内之排气朝成膜室之侧壁方向而由排气口排出之构造。另以升降自如的方式形成载物台31，并作成喷淋头25与基板5间之距离为可调式者。

2. 发明专利

TW200401341A 薄膜製造裝置审中-公开
简体标题：薄膜制造设备
公开(公告)号：TW200401341A
公开(公告)日：2004-01-16
申请号：TW092107402
申请日：2003-04-01
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：增田健 , 沼雅彥 , 山田貴一 , 內田寬人 , 植松正紀 , 鄒紅罡
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/409 , C23C16/45512 , C23C16/45519 , C23C16/45589 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/60
摘要：本發明之課題，在於提供能夠達成晶圓面內之分布均勻性的薄膜製造裝置。本發明之解決手段，在於將該裝置作成：於氣體混合室底面之周緣部設置混合氣體之供輸口24a，用以從氣體混合室24供輸混合氣體與噴淋頭25，而使混合氣體能從噴淋頭上面之周緣部朝向中心部流動的構造；又作成：設置用以排出成膜室3內之排氣的排氣口32於較成膜室側壁之成膜時載物台31之位置為下方部分之處，使成膜室內之排氣朝成膜室之側壁方向而由排氣口排出之構造。另以昇降自如的方式形成載物台31，並作成噴淋頭25與基板5間之距離為可調式者。
简体摘要：本发明之课题，在于提供能够达成晶圆面内之分布均匀性的薄膜制造设备。本发明之解决手段，在于将该设备作成：于气体混合室底面之周缘部设置混合气体之供输口24a，用以从气体混合室24供输混合气体与喷淋头25，而使混合气体能从喷淋头上面之周缘部朝向中心部流动的构造；又作成：设置用以排出成膜室3内之排气的排气口32于较成膜室侧壁之成膜时载物台31之位置为下方部分之处，使成膜室内之排气朝成膜室之侧壁方向而由排气口排出之构造。另以升降自如的方式形成载物台31，并作成喷淋头25与基板5间之距离为可调式者。

3. 发明专利

TW201215698A ＰＺＴ薄膜之形成方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：ＰＺＴ薄膜之形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201215698A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW099134886
申请日：2010-10-13
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：增田健 , 梶沼雅彥 , 山田貴一 , 植松正紀 , 鄒弘綱
IPC分类号： C23C , H01L
摘要： [課題]提供一種：能夠使基板面內之膜組成分布提升，並對於基板面內之結晶粒的發生之微觀性之偏差作抑制，且更進而能夠達成表面粗度之提升的PZT薄膜之形成方法、以及包含有此薄膜所成的半導體裝置之製造方法。[解決手段]作為Pb、Zr以及Ti用之各別的有機金屬化合物原料，而使用由Pb(thd)2以及Pb(dmhd)2中所選擇之1種的Pb用有機金屬化合物原料、和由Zr(dmhd)4、Zr(thd)2(dmhd)2、Zr(thd)3(dmhd)、Zr(i-PrO)2(thd)2以及Zr(i-PrO)(thd)3中所選擇之一種的Zr用有機金屬化合物原料、以及Ti(i-PrO)2(dmhd)2之Ti用有機金屬化合物原料。製造出包含有此強介電質薄膜之半導體裝置。
简体摘要： [课题]提供一种：能够使基板面内之膜组成分布提升，并对于基板面内之结晶粒的发生之微观性之偏差作抑制，且更进而能够达成表面粗度之提升的PZT薄膜之形成方法、以及包含有此薄膜所成的半导体设备之制造方法。[解决手段]作为Pb、Zr以及Ti用之各别的有机金属化合物原料，而使用由Pb(thd)2以及Pb(dmhd)2中所选择之1种的Pb用有机金属化合物原料、和由Zr(dmhd)4、Zr(thd)2(dmhd)2、Zr(thd)3(dmhd)、Zr(i-PrO)2(thd)2以及Zr(i-PrO)(thd)3中所选择之一种的Zr用有机金属化合物原料、以及Ti(i-PrO)2(dmhd)2之Ti用有机金属化合物原料。制造出包含有此强介电质薄膜之半导体设备。

4. 发明专利

TW201213600A 薄膜製造方法及薄膜製造裝置 THIN-FILM MANUFACTURING METHOD AND THIN-FILM MANUFACTURING APPARATUS 审中-公开
简体标题：薄膜制造方法及薄膜制造设备 THIN-FILM MANUFACTURING METHOD AND THIN-FILM MANUFACTURING APPARATUS
公开(公告)号：TW201213600A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100133975
申请日：2011-09-21
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：增田健 , 出野琢也 , 梶沼雅彥 , 小田島暢洋 , 內田洋平 , 鄒弘綱
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/44 , C23C16/4401 , H01L21/02197 , H01L21/02271
摘要：本發明之課題為提供一種可節省資源並低成本地製造再現性佳之薄膜的薄膜製造方法及薄膜製造裝置。本發明之薄膜製造方法係將仿真基板S2輸送至處理室51內，把仿真處理用氣體供給至仿真基板S2，將製品基板S3輸送至處理室51內，把包含與仿真處理用氣體不同之用於以MOCVD(有機金屬化學氣相沉積)法製造薄膜用的金屬原料之原料氣體供給至製品基板S3。因未使用原料氣體做為仿真處理用氣體，所以可抑制各金屬原料的消耗量，並可節省資源並低成本地製造再現性佳之薄膜。
简体摘要：本发明之课题为提供一种可节省资源并低成本地制造再现性佳之薄膜的薄膜制造方法及薄膜制造设备。本发明之薄膜制造方法系将仿真基板S2输送至处理室51内，把仿真处理用气体供给至仿真基板S2，将制品基板S3输送至处理室51内，把包含与仿真处理用气体不同之用于以MOCVD(有机金属化学气相沉积)法制造薄膜用的金属原料之原料气体供给至制品基板S3。因未使用原料气体做为仿真处理用气体，所以可抑制各金属原料的消耗量，并可节省资源并低成本地制造再现性佳之薄膜。

5. 发明专利

TW201213593A 薄膜製造方法及薄膜製造裝置 THIN-FILM MANUFACTURING METHOD AND THIN-FILM MANUFACTURING APPARATUS 审中-公开
简体标题：薄膜制造方法及薄膜制造设备 THIN-FILM MANUFACTURING METHOD AND THIN-FILM MANUFACTURING APPARATUS
公开(公告)号：TW201213593A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100133972
申请日：2011-09-21
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：增田健 , 梶沼雅彥 , 出野琢也 , 小田島暢洋 , 內田洋平 , 鄒弘綱
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/455 , C01G25/00 , C01P2002/34 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C23C16/409 , C23C16/56 , H01L21/02197 , H01L21/02271 , H01L28/55
摘要：本發明之課題為提供能製造表面粗糙度小之介電體薄膜的薄膜製造方法及薄膜製造裝置。本發明之薄膜製造方法係包括對處理室51內之經加熱基板S供給包含成為具有鈣鈦礦型結晶之介電體薄膜的原料之金屬原料的氣體、及與金屬原料氣體反應之氧化氣體的混合氣體；停止對基板S供給前述金屬原料氣體；及在金屬原料氣體之供給停止後，控制對基板S供給前述氧化氣體。
简体摘要：本发明之课题为提供能制造表面粗糙度小之介电体薄膜的薄膜制造方法及薄膜制造设备。本发明之薄膜制造方法系包括对处理室51内之经加热基板S供给包含成为具有钙钛矿型结晶之介电体薄膜的原料之金属原料的气体、及与金属原料气体反应之氧化气体的混合气体；停止对基板S供给前述金属原料气体；及在金属原料气体之供给停止后，控制对基板S供给前述氧化气体。

6. 发明专利

TW200307993A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW200307993A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092106991
申请日：2003-03-27
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：內田寬人 , 神保武人 , 增田健 , 沼雅彥 , 山田貴一 , 植松正紀 , 鄒紅罡 , 木村勳
IPC分类号： H01L , B01D
CPC分类号： C23C16/45512 , C23C16/409 , C23C16/4402 , C23C16/455 , C23C16/45519
摘要：本發明乃為一種提供不會產生粒，可實施MOCVD法的成膜裝置及成膜方法。乃屬於由成膜室47、和混合氣體生成用混合室43、和原料氣體用氣化室41、和設在成膜室上面的氣體頭部48所形成的成膜裝置中，在氣化室41和混合室43之間，以及在混合室43內的下流側，配設粒子陷阱。並設置具備用來連接配設在混合室43內的下流側的粒子陷阱46a、46b的一次側和二次側和間的閥V3的旁通管線50。使用該裝置進行成膜時，以打開旁通管線50的閥V3的狀態流入原料氣體、反應氣體、載氣的氣類後，關閉該閥或可變閥時，一邊慢慢地關閉一邊開始成膜。
简体摘要：本发明乃为一种提供不会产生粒，可实施MOCVD法的成膜设备及成膜方法。乃属于由成膜室47、和混合气体生成用混合室43、和原料气体用气化室41、和设在成膜室上面的气体头部48所形成的成膜设备中，在气化室41和混合室43之间，以及在混合室43内的下流侧，配设粒子猫腻。并设置具备用来连接配设在混合室43内的下流侧的粒子猫腻46a、46b的一次侧和二次侧和间的阀V3的旁通管线50。使用该设备进行成膜时，以打开旁通管线50的阀V3的状态流入原料气体、反应气体、载气的气类后，关闭该阀或可变阀时，一边慢慢地关闭一边开始成膜。

7. 发明专利

TWI404817B 薄膜製造裝置及製造方法有权
简体标题：薄膜制造设备及制造方法
公开(公告)号：TWI404817B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW093122576
申请日：2004-07-28
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：山田貴一 , YAMADA, TAKAKAZU , 增田健 , MASUDA, TAKESHI , 梶沼雅彥 , KAJINUMA, MASAHIKO , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 植松正紀 , UEMATSU, MASAKI , 鄒紅罡 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4557 , C23C16/4411 , C23C16/45565 , C23C16/45572

8. 发明专利

TW201139721A 薄膜製造裝置、薄膜之製造方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：薄膜制造设备、薄膜之制造方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201139721A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099142611
申请日：2010-12-07
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：增田健 , 梶沼雅彥 , 加藤伸幸 , 鄒弘綱
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/02197 , C23C16/45565 , C23C16/481 , C23C16/52 , H01L21/02271 , H01L21/31691
摘要： [課題]提供一種:將在成膜前準備階段中所使用之假基板的枚數減少,並將成膜製程中之基板溫度的變動減少,並將所得到之薄膜的膜組成或者是膜厚之變動減少的薄膜製造裝置、使用此薄膜製造裝置而製造陶瓷薄膜之方法、以及使用有此陶瓷薄膜之半導體裝置的製造方法。[解決手段]在藉由熱CVD法而製造陶瓷薄膜之裝置中,在與被成膜之基板(S)相對向的位置處,設置於表面上具備有熱輻射性物質之膜的內部治具。使用此裝置,來製造薄膜以及半導體裝置。
简体摘要： [课题]提供一种:将在成膜前准备阶段中所使用之假基板的枚数减少,并将成膜制程中之基板温度的变动减少,并将所得到之薄膜的膜组成或者是膜厚之变动减少的薄膜制造设备、使用此薄膜制造设备而制造陶瓷薄膜之方法、以及使用有此陶瓷薄膜之半导体设备的制造方法。[解决手段]在借由热CVD法而制造陶瓷薄膜之设备中,在与被成膜之基板(S)相对向的位置处,设置于表面上具备有热辐射性物质之膜的内部治具。使用此设备,来制造薄膜以及半导体设备。

9. 发明专利

TWI577825B 薄膜製造方法及薄膜製造裝置有权
简体标题：薄膜制造方法及薄膜制造设备
公开(公告)号：TWI577825B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW100133975
申请日：2011-09-21
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：增田健 , MASUDA, TAKESHI , 出野琢也 , IDENO, TAKUYA , 梶沼雅彥 , KAJINUMA, MASAHIKO , 小田島暢洋 , ODAJIMA, NOBUHIRO , 內田洋平 , UCHIDA, YOHEI , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/44 , C23C16/4401 , H01L21/02197 , H01L21/02271

10. 发明专利

TWI561666B 薄膜製造方法及薄膜製造裝置有权
简体标题：薄膜制造方法及薄膜制造设备
公开(公告)号：TWI561666B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW100133972
申请日：2011-09-21
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：增田健 , MASUDA, TAKESHI , 梶沼雅彥 , KAJINUMA, MASAHIKO , 出野琢也 , IDENO, TAKUYA , 小田島暢洋 , ODAJIMA, NOBUHIRO , 內田洋平 , UCHIDA, YOHEI , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： C23C16/40
CPC分类号： C23C16/455 , C01G25/00 , C01P2002/34 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C23C16/409 , C23C16/56 , H01L21/02197 , H01L21/02271 , H01L28/55

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