专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW393817B 準分子雷射用波長參照技術失效
简体标题：准分子激光用波长参照技术
公开(公告)号：TW393817B
公开(公告)日：2000-06-11
申请号：TW087110369
申请日：1998-06-26
申请人：希瑪股份有限公司
发明人：帕拉許P.達斯 , 理查L.桑德斯托姆 , 依果.佛門哥
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S3/1303 , G01J9/00 , G03F7/70025 , G03F7/70041 , G03F7/70558 , G03F7/70575 , H01S3/03 , H01S3/134 , H01S3/1392 , H01S3/225
摘要：本發明之較佳實施例使用已知原子或分子吸收作為校準可調諧雷射中所用波長量測儀器的絕對波長標準;原子和分子吸收之例子為具有分別包括與在約193nm的可調諧氟化氬準分子雷射一起使用的193.0905nm和193.2728nm之吸收的碳和分子氧。一波長量測裝置(例如,一計波表)配備有含吸收氣體的一氣體單胞;在一校準程序期間,計波表量出的波長與原子或分子吸收比較;計波表之校準常數然後被據此調整以使計波表之輸出匹配於原子或分子的吸收波長;因此,此等校準程序將計波表校準於絕對標準並校正在計波表中可能在多次校準間發生的任何漂移;如分子氧的有些氣體具有在雷射之可調諧範圍內之多重分子吸收;在校準程序期間利用多重吸收,由於一吸收線接近期望之最終波長,故乃加強此程序之精密度;在校準後,使用已校準計波表把雷射調諧於期望之最終波長。
简体摘要：本发明之较佳实施例使用已知原子或分子吸收作为校准可调谐激光中所用波长量测仪器的绝对波长标准;原子和分子吸收之例子为具有分别包括与在约193nm的可调谐氟化氩准分子激光一起使用的193.0905nm和193.2728nm之吸收的碳和分子氧。一波长量测设备(例如,一计波表)配备有含吸收气体的一气体单胞;在一校准进程期间,计波表量出的波长与原子或分子吸收比较;计波表之校准常数然后被据此调整以使计波表之输出匹配于原子或分子的吸收波长;因此,此等校准进程将计波表校准于绝对标准并校正在计波表中可能在多次校准间发生的任何漂移;如分子氧的有些气体具有在激光之可调谐范围内之多重分子吸收;在校准进程期间利用多重吸收,由于一吸收线接近期望之最终波长,故乃加强此进程之精密度;在校准后,使用已校准计波表把激光调谐于期望之最终波长。

2. 发明专利

TW388145B 準分子雷射之脈衝能量控制技術有权
简体标题：准分子激光之脉冲能量控制技术
公开(公告)号：TW388145B
公开(公告)日：2000-04-21
申请号：TW087115612
申请日：1998-09-18
申请人：希瑪股份有限公司
发明人：李察L.山德史東 , 赫維A.畢斯奧希爾 , 艾格V.佛曼寇夫 , 帕拉許P.達斯
IPC分类号： H01S , H03K
CPC分类号： G03F7/70025 , G03F7/70041 , G03F7/70216 , G03F7/70558 , G03F7/70575 , H01S3/03 , H01S3/036 , H01S3/08009 , H01S3/134 , H01S3/225 , H01S3/2251 , H01S3/2256
摘要：用於控制在準分子雷射產生的脈波叢中的脈波能量和整體能量劑量之一方法;各叢中各脈波之能量被量測;隨充電電壓的脈波能量改變率被決定;一脈波能量誤差對目前脈波叢之一先前脈波決定;一整體劑量誤差也對於目前脈波叢中的所有先前脈波被決定;針對次一脈波的一充電電壓使用脈波能量誤差、整體劑量誤差、能量隨充電電壓的改變率及參考電壓而決定;在較佳實施例中，能量隨電壓之改變率係藉由在各脈波叢之兩個脈波期間使電壓一次較低和一次較高地抖動而決定;參考電壓係用先前能量和電壓資料計算的一電壓;在此實施例中，決定脈波之一第一部分之參考電壓的方法不同於在脈波叢之一較晚部分使用的方法;在第一組脈波(在此實施例中為40)期間,對各脈波,使用來自在一先前脈波叢中的一對應脈波之電壓和能量資料計算的一指定電壓,被用作為產生收斂在一目標脈波能量上的一脈波能量所需的電壓之一預測;對於脈波41和其後之脈波,對各脈波的參考電壓係為用於先前脈波的指定電壓。
简体摘要：用于控制在准分子激光产生的脉波丛中的脉波能量和整体能量剂量之一方法;各丛中各脉波之能量被量测;随充电电压的脉波能量改变率被决定;一脉波能量误差对目前脉波丛之一先前脉波决定;一整体剂量误差也对于目前脉波丛中的所有先前脉波被决定;针对次一脉波的一充电电压使用脉波能量误差、整体剂量误差、能量随充电电压的改变率及参考电压而决定;在较佳实施例中，能量随电压之改变率系借由在各脉波丛之两个脉波期间使电压一次较低和一次较高地抖动而决定;参考电压系用先前能量和电压数据计算的一电压;在此实施例中，决定脉波之一第一部分之参考电压的方法不同于在脉波丛之一较晚部分使用的方法;在第一组脉波(在此实施例中为40)期间,对各脉波,使用来自在一先前脉波丛中的一对应脉波之电压和能量数据计算的一指定电压,被用作为产生收敛在一目标脉波能量上的一脉波能量所需的电压之一预测;对于脉波41和其后之脉波,对各脉波的参考电压系为用于先前脉波的指定电压。

3. 发明专利

TW382842B 窄帶準分子雷射有权
简体标题：窄带准分子激光
公开(公告)号：TW382842B
公开(公告)日：2000-02-21
申请号：TW087114785
申请日：1998-09-05
申请人：希瑪股份有限公司
发明人：石原敏彥 , 湯瑪斯.霍夫曼 , 帕拉許P.達斯 , 亞歷山大I.厄爾秀夫
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G03F7/70025 , G03F7/70041 , G03F7/70558 , G03F7/70575 , H01S3/02 , H01S3/03 , H01S3/036 , H01S3/08009 , H01S3/0971 , H01S3/225 , H01S3/2251 , H01S3/2256
摘要： A very narrow band pulse excimer laser capable of producing pulses at a rate in the range of about 500 to 2000 Hz with enhanced energy dose control and reproducibility. A prior art burst mode ""slug effect"" occuring at one gas circulation time after the beginning of a burst of pulses is eliminated by the addition of a minute quantity of oxygen. In a preferred embodiment very narrow bandwidth is achieved by reducing fluorine partial pressure to less than 0.10 percent and by increasing the reflectance of the output coupler to greater than 25 percent. In a preferred embodiment, prior art fused silica beam expansion prisms used in the prior art line narrowing module were replaced with calcium fluoride prisms.

4. 发明专利

TW423188B 用於雷射之波長偏移校正技術失效
简体标题：用于激光之波长偏移校正技术
公开(公告)号：TW423188B
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：TW087110604
申请日：1998-06-30
申请人：希瑪股份有限公司
发明人：喬治J.艾佛瑞奇 , 依果V.佛門哥 , 帕拉許P.達斯 , 理查L.桑德斯托姆
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G03F7/70575 , G03F7/70333 , H01S3/13 , H01S3/225
摘要：雷射系統之波長偏移校正系統供校正波長唧聲。此種波長偏移校正系統包括學習算法其學習得自雷射之波長唧聲特徵及電腦系統其執行學習算法及基於習得之特徵提供波長校正控制信號而減低存在的波長唧聲之波長偏移幅度及隨後減少波長唧聲。
简体摘要：激光系统之波长偏移校正系统供校正波长唧声。此种波长偏移校正系统包括学习算法其学习得自激光之波长唧声特征及电脑系统其运行学习算法及基于习得之特征提供波长校正控制信号而减低存在的波长唧声之波长偏移幅度及随后减少波长唧声。

5. 发明专利

TW413971B 具供雷射用之兩個能量監測器的步進機或掃描器失效
简体标题：具供激光用之两个能量监测器的步进机或扫描仪
公开(公告)号：TW413971B
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：TW087112959
申请日：1998-08-06
申请人：希瑪股份有限公司
发明人：帕拉許P.達斯 , 艾格V.佛曼寇夫
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G03F7/70358 , G03F7/70558 , H01S3/225
摘要：一第一雷射光強度偵測器係置於緊鄰一光網之一步進機或掃瞄器內，以使因步進機光學機構而產生之衰減在該雷射光撞擊於該光強度偵測器上之前即已發生。較佳地，該第一光強度偵測器係被安置得儘可能地靠近該晶圓。一第二光強度偵測器被配置在該雷射之輸出。自該第一和第二光強度偵測器之輸出所偵測到的光強度共同構成一反饋機構之一部分，其係於晶圓製造期間調整該雷射之光輸出，以使被該第一光強度偵測器偵測到之光強度為一最適值。
简体摘要：一第一激光光强度侦测器系置于紧邻一光网之一步进机或扫瞄仪内，以使因步进机光学机构而产生之衰减在该激光光撞击于该光强度侦测器上之前即已发生。较佳地，该第一光强度侦测器系被安置得尽可能地靠近该晶圆。一第二光强度侦测器被配置在该激光之输出。自该第一和第二光强度侦测器之输出所侦测到的光强度共同构成一反馈机构之一部分，其系于晶圆制造期间调整该激光之光输出，以使被该第一光强度侦测器侦测到之光强度为一最适值。

6. 发明专利

TW393814B 具氣體添加物之窄波帶準分子雷射有权
简体标题：具气体添加物之窄波带准分子激光
公开(公告)号：TW393814B
公开(公告)日：2000-06-11
申请号：TW087116811
申请日：1998-10-09
申请人：希瑪股份有限公司
发明人：湯瑪斯.霍夫曼 , 石原敏彥 , 帕拉許P.達斯 , 亞歷山大I.厄爾秀夫
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G03F7/70025 , G03F7/70041 , G03F7/70558 , G03F7/70575 , H01S3/02 , H01S3/03 , H01S3/036 , H01S3/08009 , H01S3/0971 , H01S3/225 , H01S3/2251 , H01S3/2256
摘要：本發明提供一種極窄帶脈衝準分子雷射，其可以能量劑量控制增強及再現性升高而產生速率於約500至2000 Hz範圍之脈衝。極小量由氧氣或重貴氣(氙或氡用於KrF雷射，或氪、氙或氡用於ArF雷射)組成此穩定型添加物添加至氣體混合物。試驗顯示藉由添加約30ppm氙至KrF雷射能量穩定性實質改進。試驗顯示對ArF雷射添加約6-10 ppm氙或40 ppm氪其性能改良。較佳具體例中，於KrF雷射藉由降低氟分壓至低於O.10%及經由增高輸出耦合器之反射率至大於25%可達到極窄帶寬。較佳具體例中，先前技術線窄化模組使用的先前技術融合矽氧束擴大稜鏡以氟化鈣稜鏡替代。
简体摘要：本发明提供一种极窄带脉冲准分子激光，其可以能量剂量控制增强及再现性升高而产生速率于约500至2000 Hz范围之脉冲。极小量由氧气或重贵气(氙或氡用于KrF激光，或氪、氙或氡用于ArF激光)组成此稳定型添加物添加至气体混合物。试验显示借由添加约30ppm氙至KrF激光能量稳定性实质改进。试验显示对ArF激光添加约6-10 ppm氙或40 ppm氪其性能改良。较佳具体例中，于KrF激光借由降低氟分压至低于O.10%及经由增高输出耦合器之反射率至大于25%可达到极窄带宽。较佳具体例中，先前技术线窄化模块使用的先前技术融合硅氧束扩大棱镜以氟化钙棱镜替代。

7. 发明专利

TW393670B 具能量感測器回授之雷射照射步進機或掃描器失效
简体标题：具能量传感器回授之激光照射步进机或扫描仪
公开(公告)号：TW393670B
公开(公告)日：2000-06-11
申请号：TW087112916
申请日：1998-08-05
申请人：希瑪股份有限公司
发明人：理查L.桑斯瓊姆 , 艾格V.佛曼寇夫 , 羅伯G.奧薩斯基 , 帕拉許P.達斯 , 赫維A.畢斯奧希爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/70025 , G03F7/70041 , G03F7/70358 , G03F7/70558 , G03F7/70575 , H01S3/03 , H01S3/036 , H01S3/08009 , H01S3/134 , H01S3/225 , H01S3/2251 , H01S3/2256
摘要：一種比如步進機或掃描器之雷射照射晶圓曝光系統，具有位在曝光系統內接近光置處的第一光強度檢測器以及位在接近雷射之輸出的第二光強度檢測器。回授控制系統根據由檢測器中至少一者檢出的信號而控制了雷射的輸出。回授控制系統包括了由運算法設計程式的處理器，該運算法是用以控制雷射放電電壓以便用叢發模式內的雷射操作提供在光罩處具有所要強度的光脈波。該運算法利用了至少以下參數:預先測量的脈波能量、計算的能量誤差、計算的劑量誤差、脈波能量對電壓的變化率之值、以及至少一參考電壓。在較佳實施例中運算法使用由位在接近光罩處之光強度檢測器所測量得的脈波能量去提供回授控制，並且使用在雷射之輸出處的光強度檢測器去確保雷射的輸出被維持在預定的範圍內。
简体摘要：一种比如步进机或扫描仪之激光照射晶圆曝光系统，具有位在曝光系统内接近光置处的第一光强度检测器以及位在接近激光之输出的第二光强度检测器。回授控制系统根据由检测器中至少一者检出的信号而控制了激光的输出。回授控制系统包括了由运算法设计进程的处理器，该运算法是用以控制激光放电电压以便用丛发模式内的激光操作提供在光罩处具有所要强度的光脉波。该运算法利用了至少以下参数:预先测量的脉波能量、计算的能量误差、计算的剂量误差、脉波能量对电压的变化率之值、以及至少一参考电压。在较佳实施例中运算法使用由位在接近光罩处之光强度检测器所测量得的脉波能量去提供回授控制，并且使用在激光之输出处的光强度检测器去确保激光的输出被维持在预定的范围内。

8. 发明专利

TW485678B 用於選擇狹窄譜帶準分子雷射用之操作範圍的方法有权
简体标题：用于选择狭窄谱带准分子激光用之操作范围的方法
公开(公告)号：TW485678B
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：TW087113355
申请日：1998-08-13
申请人：希瑪股份有限公司
发明人：帕拉許P.達斯
IPC分类号： H01S , H01L
摘要：一種選擇窄譜帶KrF或ArF準分子雷射之工作範圍之方法。雷射係於預定脈波能工作直至氟濃度充分減少而使預定脈波能所需充電電壓位於或接近預定最大範圍。記錄平均充電電壓，平均線寬及平均能量加總；及估計或測定氟濃度。注入定量氟，其至少足夠使產生預定脈波能所需充電電壓造成可量測之降低；及記錄另一組資料。注入另一種類似量之氟及記錄另一組資料。重複此二步驟至電壓等於或接近預定最低電壓範圍。記錄得之資料用於選擇最佳工作範圍。資料可作圖而方便進行選擇。選擇標準可基於雷射使用者的需求決定。通常選擇過程涉及智慧型折衷，其中希望充電電壓，氟濃度，線寬及能量加總之最小值。對大多數用途而言，最佳工作範圍係於可能電壓範圍總量20%之電壓範圍而非接近最低工作範圍或最高工作範圍。
简体摘要：一种选择窄谱带KrF或ArF准分子激光之工作范围之方法。激光系于预定脉波能工作直至氟浓度充分减少而使预定脉波能所需充电电压位于或接近预定最大范围。记录平均充电电压，平均线宽及平均能量加总；及估计或测定氟浓度。注入定量氟，其至少足够使产生预定脉波能所需充电电压造成可量测之降低；及记录另一组数据。注入另一种类似量之氟及记录另一组数据。重复此二步骤至电压等于或接近预定最低电压范围。记录得之数据用于选择最佳工作范围。数据可作图而方便进行选择。选择标准可基于激光用户的需求决定。通常选择过程涉及智能型折衷，其中希望充电电压，氟浓度，线宽及能量加总之最小值。对大多数用途而言，最佳工作范围系于可能电压范围总量20%之电压范围而非接近最低工作范围或最高工作范围。

9. 发明专利

TW443013B 具有高透明性稜鏡束擴張器之線窄化裝置失效
简体标题：具有高透明性棱镜束扩张器之线窄化设备
公开(公告)号：TW443013B
公开(公告)日：2001-06-23
申请号：TW088116524
申请日：1999-10-01
申请人：希瑪股份有限公司
发明人：帕拉許P.達斯 , 理查G.莫頓 , 亞歷山大I.厄爾薩夫
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G03F7/70025 , G03F7/70041 , G03F7/70558 , G03F7/70575 , H01S3/03 , H01S3/08009 , H01S3/1055 , H01S3/225
摘要：一種基於光柵之線窄化裝置具有一個附有至少四個稜鏡之稜鏡束擴張器。各稜鏡設置成入射角為67至71度。高折射指數且強健材料如三氧化二鋁之單層塗層施加至各稜鏡的斜邊表面提供有效抗反射塗層。較佳具體例中，四個稜鏡之入射角各自為約68.2度。較佳具體例之雷射具有類似帶有3稜鏡之理想多層抗反射塗層束擴張器之雷射相同的線窄化效果及頻寬。新穎四稜鏡配置之主要利益為稜鏡塗層遠更價廉且耐久性大為增高。申請人於空氣中試驗新稜鏡經歷三千萬次十毫焦脈衝而無顯著劣化。今日之介電多層堆疊塗層並無任一者可耐受如此多次曝光。
简体摘要：一种基于光栅之线窄化设备具有一个附有至少四个棱镜之棱镜束扩张器。各棱镜设置成入射角为67至71度。高折射指数且强健材料如三氧化二铝之单层涂层施加至各棱镜的斜边表面提供有效抗反射涂层。较佳具体例中，四个棱镜之入射角各自为约68.2度。较佳具体例之激光具有类似带有3棱镜之理想多层抗反射涂层束扩张器之激光相同的线窄化效果及带宽。新颖四棱镜配置之主要利益为棱镜涂层远更价廉且耐久性大为增高。申请人于空气中试验新棱镜经历三千万次十毫焦脉冲而无显着劣化。今日之介电多层堆栈涂层并无任一者可耐受如此多次曝光。

10. 发明专利

TW415140B 可靠模組化製造品質窄波帶氪氟準分子雷射有权
简体标题：可靠模块化制造品质窄波带氪氟准分子激光
公开(公告)号：TW415140B
公开(公告)日：2000-12-11
申请号：TW088103668
申请日：1999-03-10
申请人：希瑪股份有限公司
发明人：大衛S.諾里斯 , 赫夫A.伯索斯利 , 亞歷山大I.厄爾薩夫 , 提伯.朱哈士 , 詹姆斯H.阿左拉 , 帕拉許P.達斯 , 依高V.福門考夫
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G01J9/0246 , G03F7/70025 , G03F7/70041 , G03F7/70358 , G03F7/70558 , G03F7/70575 , H01S3/02 , H01S3/03 , H01S3/036 , H01S3/0971 , H01S3/1055 , H01S3/1392 , H01S3/225
摘要：一種可靠的模組化製造品質窄波帶氪氟準分子雷射，能夠以1000Hz產生具有大約0.6兆分之一米或更小的頻寬之10毫焦耳雷射脈波。本發明特別適用於積體電路的光學照相製造中長期日以繼夜的操作。超越習知技藝雷射的改進包括了單一上游預電離管以及聲障板。較佳實施例包括了被降低的氟濃度、形狀可降低送風機軸承上氣動力反應力的陽極支撐棒、提供較快的脈波爬升時間之改良的脈波功率系統、具實質增加的反射性之輸出連接器、具有氟化鈣稜鏡光束擴展器的譜線緊縮模組、更正確的波長計、以及以新且改良的脈波能量控制演算法予以規畫之雷射電腦控制器。
简体摘要：一种可靠的模块化制造品质窄波带氪氟准分子激光，能够以1000Hz产生具有大约0.6兆分之一米或更小的带宽之10毫焦耳激光脉波。本发明特别适用于集成电路的光学照相制造中长期日以继夜的操作。超越习知技艺激光的改进包括了单一上游预电离管以及声障板。较佳实施例包括了被降低的氟浓度、形状可降低送风机轴承上气动力反应力的阳极支撑棒、提供较快的脉波爬升时间之改良的脉波功率系统、具实质增加的反射性之输出连接器、具有氟化钙棱镜光束扩展器的谱线紧缩模块、更正确的波长计、以及以新且改良的脉波能量控制算法予以规画之激光电脑控制器。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式