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1. 发明专利

TW432267B 壓力式流量控制裝置之孔口阻塞偵知方法及偵知裝置有权
简体标题：压力式流量控制设备之孔口阻塞侦知方法及侦知设备
公开(公告)号：TW432267B
公开(公告)日：2001-05-01
申请号：TW088114058
申请日：1999-08-17
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 加賀爪哲 , 廣瀨潤 , 西野功二 , 池田信一 , 山路道雄 , 土肥亮介
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05D7/0635 , Y10T137/0396 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8326
摘要：本發明有關於壓力式流量控制裝置之孔口阻塞偵知方法及該孔口阻塞偵知裝置。
(課題)本發明係利用孔口之流量控制裝置中，不需要分解之下藉由上游側壓力之檢出而實施孔口之阻塞之偵知(檢出)由而延長流量控制裝置之壽命及提高安全性。
(解決手段)將上游側壓力P1保持於下游側壓力P2之約2倍以上而將下游側之流量QvC以QvC=KP1(K:常數)來計算，而以此計算流量QvC與設定流量Qs之相差訊號QvY來實施控制閥(CV)之開閉控制之流量控制裝置中，其特徵為，由:記憶了該在孔口(2)沒有阻塞之條件下，由高設定流量QvSH切換至低設定流量QvSL而所測定之上游側壓力P1之基準壓力減衰數據Y(t)之記憶裝置 M，及在孔口(2)之實際條件下由高設定量量QvSH而切換至低設定流量QvSL以資測定上游側壓力P1之壓力減衰數據P(t)之上述壓力檢出器(14);及將壓力減衰數據P(t)與基準壓力減衰數據Y(t)實施對比計算之中央計算處理裝置ＣＰＵ；以及當壓力減衰數據P(t）之自基準壓力減衰數據Y（t)而離開有規定度以上時,即據以告知有阻塞之警報電路(４６)構成孔口阻塞偵出裝置。（選擇圖）第l圖。
简体摘要：本发明有关于压力式流量控制设备之孔口阻塞侦知方法及该孔口阻塞侦知设备。 (课题)本发明系利用孔口之流量控制设备中，不需要分解之下借由上游侧压力之检出而实施孔口之阻塞之侦知(检出)由而延长流量控制设备之寿命及提高安全性。 (解决手段)将上游侧压力P1保持于下游侧压力P2之约2倍以上而将下游侧之流量QvC以QvC=KP1(K:常数)来计算，而以此计算流量QvC与设置流量Qs之相差信号QvY来实施控制阀(CV)之开闭控制之流量控制设备中，其特征为，由:记忆了该在孔口(2)没有阻塞之条件下，由高设置流量QvSH切换至低设置流量QvSL而所测定之上游侧压力P1之基准压力减衰数据Y(t)之记忆设备 M，及在孔口(2)之实际条件下由高设置量量QvSH而切换至低设置流量QvSL以资测定上游侧压力P1之压力减衰数据P(t)之上述压力检出器(14);及将压力减衰数据P(t)与基准压力减衰数据Y(t)实施对比计算之中央计算处理设备ＣＰＵ；以及当压力减衰数据P(t）之自基准压力减衰数据Y（t)而离开有规定度以上时,即据以告知有阻塞之警报电路(４６)构成孔口阻塞侦出设备。（选择图）第l图。

2. 发明专利

TW463076B 壓力式流量控制裝置之流量異常檢知方法有权
简体标题：压力式流量控制设备之流量异常检知方法
公开(公告)号：TW463076B
公开(公告)日：2001-11-11
申请号：TW089116036
申请日：2000-08-09
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘 , 飯田精一
发明人：大見忠弘 , 飯田精一 , 加賀爪哲 , 廣瀨潤 , 深澤和夫 , 小泉浩 , 長岡秀樹 , 宇野富雄 , 西野功二 , 池田信一 , 土肥亮介 , 出田英二
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05B23/0235 , G05B23/0256 , G05D7/0635 , Y10T137/0396 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8326
摘要：於利用孔口(orifice)之壓力式流量控制裝置，有關邊控制流量也可用簡單構成進行檢知孔口堵塞之技術。
本發明之解決手段，係將上游側壓力Pl保持為下游側壓力P2之大約2倍以上將下游側之流量Qc以Qc= KPl(K:常數)演算，藉此演算流量Qc與設定流量 Qs之差值訊號QY以開閉控制控制閥CV之流量控制裝置FCS，提案一種從另設之檢定電路或流量設定電路輸出具有檢定振幅VO之檢定用訊號△QS，而應答於此來測定上游側壓力Pl之變動壓力△Pl之壓力振幅V，當此壓力振幅V變成較界限振幅Vt為小時告知孔口堵塞之流量異常檢知方法。
若從檢定電路或流量設定流量重疊於恒常設定流量 QSO輸出檢定用訊號△QS時，由恒常設定流量QSO邊控制流量就可檢知流量異常。
简体摘要：于利用孔口(orifice)之压力式流量控制设备，有关边控制流量也可用简单构成进行检知孔口堵塞之技术。本发明之解决手段，系将上游侧压力Pl保持为下游侧压力P2之大约2倍以上将下游侧之流量Qc以Qc= KPl(K:常数)演算，借此演算流量Qc与设置流量 Qs之差值信号QY以开闭控制控制阀CV之流量控制设备FCS，提案一种从另设之检定电路或流量设置电路输出具有检定振幅VO之检定用信号△QS，而应答于此来测定上游侧压力Pl之变动压力△Pl之压力振幅V，当此压力振幅V变成较界限振幅Vt为小时告知孔口堵塞之流量异常检知方法。若从检定电路或流量设置流量重叠于恒常设置流量 QSO输出检定用信号△QS时，由恒常设置流量QSO边控制流量就可检知流量异常。

3. 发明专利

TW445401B 平行分流式流體供應裝置與使用該裝置之流體可變型壓力式流量控制方法及流體可變型壓力式流量控制裝置有权
简体标题：平行分流式流体供应设备与使用该设备之流体可变型压力式流量控制方法及流体可变型压力式流量控制设备
公开(公告)号：TW445401B
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：TW089107095
申请日：2000-04-15
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 加賀爪哲 , 廣瀨潤 , 杉山一彥 , 深澤和夫 , 小泉浩 , 長岡秀樹 , 皆見幸男 , 西野功二 , 土肥亮介 , 米華克典 , 池田信一 , 山路道雄 , 森本明弘 , 宇野富雄 , 出田英二 , 松本篤志 , 上野山豊已
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05D7/0658 , G05D7/0664 , Y10S438/935 , Y10T137/0396 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/86389 , Y10T137/87877 , Y10T137/87917
摘要：一種平行分流式流體供應裝置與使用該裝置之流體的可變型壓力式流量控制方法及流體可變型壓力式流量控制裝置，從壓力調整用的l個調整器平行配設複數條流路之流體供應裝置中，使各流路之流體供應的開關操作不致對其他流路之穩態供應造成過大的變動。因此，在各流路上配設流量控制用質量流控制器MFC或壓力式流量控制裝置FCS，某流路之流體供給自關閉而開啟時，構成從其流路之質量流控制器MFC動作開始僅延遲預定的延遲時間△t到達設定流量Qs。
又，利用l台壓力式流量控制裝置可高精度流量控制複數氣體種類及實現其裝置。因此，以臨界壓力比以下的條件理論性導出通過孔口的氣體流量，根據該式定義流動係數，利用該流動係數形成可對應多數之氣體種類者。
亦即，將孔口8的上游側壓力P1保持在下游壓力P2約2倍以上的狀態下，通過孔口的氣體運算流量Qc以 Qc=KP1(K為常數)運算之流量控制方法中，各種類氣體係以FF=(k/γs){2/(κ+l)}](x.1)〔κ/{(κ十l)R}〕1/2計算流動係數FF，氣體種類A的運算流量為QA時，在同一孔口、同一上游側壓力及同一上游側溫度的條件下使氣體種類B流通時，以其運算流量QvB作為QvB(EFvB/EFvA)QvA算出。其中，γS為氣體的標準狀態密度，κ為氣體的比熱比，R為氣體常數，k為未依據氣體種類之比例常數，FFvA.FFvB為氣體種類A.B的流動係數。
简体摘要：一种平行分流式流体供应设备与使用该设备之流体的可变型压力式流量控制方法及流体可变型压力式流量控制设备，从压力调整用的l个调整器平行配设复数条流路之流体供应设备中，使各流路之流体供应的开关操作不致对其他流路之稳态供应造成过大的变动。因此，在各流路上配设流量控制用质量流控制器MFC或压力式流量控制设备FCS，某流路之流体供给自关闭而打开时，构成从其流路之质量流控制器MFC动作开始仅延迟预定的延迟时间△t到达设置流量Qs。又，利用l台压力式流量控制设备可高精度流量控制复数气体种类及实现其设备。因此，以临界压力比以下的条件理论性导出通过孔口的气体流量，根据该式定义流动系数，利用该流动系数形成可对应多数之气体种类者。亦即，将孔口8的上游侧压力P1保持在下游压力P2约2倍以上的状态下，通过孔口的气体运算流量Qc以 Qc=KP1(K为常数)运算之流量控制方法中，各种类气体系以FF=(k/γs){2/(κ+l)}](x.1)〔κ/{(κ十l)R}〕1/2计算流动系数FF，气体种类A的运算流量为QA时，在同一孔口、同一上游侧压力及同一上游侧温度的条件下使气体种类B流通时，以其运算流量QvB作为QvB(EFvB/EFvA)QvA算出。其中，γS为气体的标准状态密度，κ为气体的比热比，R为气体常数，k为未依据气体种类之比例常数，FFvA.FFvB为气体种类A.B的流动系数。

4. 发明专利

TW466336B 壓力偵知器的安裝構造有权
简体标题：压力侦知器的安装构造
公开(公告)号：TW466336B
公开(公告)日：2001-12-01
申请号：TW089120571
申请日：2000-10-03
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 廣瀨隆 , 出田英二 , 池田信一 , 上肥亮介 , 西野功二 , 吉川和博 , 加賀爪哲 , 廣瀨潤 , 深澤和夫 , 小泉浩 , 長岡秀樹
IPC分类号： G01L
CPC分类号： G01L19/0023 , G01L19/0645 , G01L19/145 , G01L19/147
摘要：為提供一種將隔膜型壓力偵知器組裝於設在管路或機器等安裝用具時，可防止加於壓力偵知器之應力所起隔膜之變形，及組裝前之特性較大變化之壓力偵知器的安裝構造。
因此，本發明係在將具隔膜之隔膜座，與內藏有藉上述隔膜變位而移動之感測元件的感測元件座組合所成壓力偵知器，介由墊片插設於配管路或機械裝置所設安裝用具本體之插設孔內，且藉自上方插入於插設孔之抑壓構件壓任促使壓力偵知器以氣密固定之壓力偵知器的安裝構造，使抑壓構件抵觸於上述隔膜座本體部上面及使墊片抵觸於隔膜座本體部底面同時，在上述本體部底面與墊片抵觸部內側位置形成環狀淺槽，而藉該淺槽吸收因抑壓構件之抑押所產生之變形。
简体摘要：为提供一种将隔膜型压力侦知器组装于设在管路或机器等安装用具时，可防止加于压力侦知器之应力所起隔膜之变形，及组装前之特性较大变化之压力侦知器的安装构造。因此，本发明系在将具隔膜之隔膜座，与内藏有藉上述隔膜变位而移动之传感组件的传感组件座组合所成压力侦知器，介由垫片插设于配管路或机械设备所设安装用具本体之插设孔内，且藉自上方插入于插设孔之抑压构件压任促使压力侦知器以气密固定之压力侦知器的安装构造，使抑压构件抵触于上述隔膜座本体部上面及使垫片抵触于隔膜座本体部底面同时，在上述本体部底面与垫片抵触部内侧位置形成环状浅槽，而藉该浅槽吸收因抑压构件之抑押所产生之变形。

5. 发明专利

TW455751B 流體可變型流量控制裝置有权
简体标题：流体可变型流量控制设备
公开(公告)号：TW455751B
公开(公告)日：2001-09-21
申请号：TW088113823
申请日：1999-08-12
申请人：大見忠弘 , 東京威力科創股份有限公司 , 富士金股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 加賀爪哲 , 廣瀨潤 , 西野功二
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05D7/0658 , G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
摘要：本發明之流量控制裝置係由:設成變換自如之孔口;控制閥;配設於控制閥和孔口間之壓力偵測器;運算所偵測壓力用之流量運算電路;輸出流量設定信號的流量設定電路;變換運算流量信號為切換(轉換)運算流量信號之沆量變換電路;及切換運算流量信號和流量設定信號之差做為控制信號來輸出至控制閥之驅動部的運算控制電路所構成，而以開閉控制閥來使之控制信號成為零，以控制孔口下流側之流量者。
简体摘要：本发明之流量控制设备系由:设成变换自如之孔口;控制阀;配设于控制阀和孔口间之压力侦测器;运算所侦测压力用之流量运算电路;输出流量设置信号的流量设置电路;变换运算流量信号为切换(转换)运算流量信号之沆量变换电路;及切换运算流量信号和流量设置信号之差做为控制信号来输出至控制阀之驱动部的运算控制电路所构成，而以开闭控制阀来使之控制信号成为零，以控制孔口下流侧之流量者。

6. 发明专利

TW201040683A 流體控制裝置 FLUID CONTROL DEVICE 审中-公开
简体标题：流体控制设备 FLUID CONTROL DEVICE
公开(公告)号：TW201040683A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099105894
申请日：2010-03-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 富士金股份有限公司
发明人：廣瀨潤 , 手塚一幸 , 內田陽平 , 小艾睦典 , 松田隆博 , 土肥亮介 , 西野功二 , 池田信一
IPC分类号： G05D
CPC分类号： C23C16/45561 , H01L21/67017 , Y10T137/0396
摘要：提供一種流體控制裝置，其可節省成本，並可減少空間。流體控制裝置1具有流體控制部2及流體導入部3。流體導入部3係分成三個部分，其構成包括：配置於入口側且分別由2×N/2個開閉閥23構成之第1及第2入口側遮斷開放部5,6、及由4×M個開閉閥23構成且配置於第1及第2入口側遮斷開放部5,6與流體控制部2之間的流體控制部側遮斷開放部7。
简体摘要：提供一种流体控制设备，其可节省成本，并可减少空间。流体控制设备1具有流体控制部2及流体导入部3。流体导入部3系分成三个部分，其构成包括：配置于入口侧且分别由2×N/2个开闭阀23构成之第1及第2入口侧遮断开放部5,6、及由4×M个开闭阀23构成且配置于第1及第2入口侧遮断开放部5,6与流体控制部2之间的流体控制部侧遮断开放部7。

7. 发明专利

TWI483089B 流體控制裝置有权
简体标题：流体控制设备
公开(公告)号：TWI483089B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW099105894
申请日：2010-03-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 富士金股份有限公司 , FUJIKIN INCORPORATED
发明人：廣瀨潤 , HIROSE, JUN , 手塚一幸 , TEZUKA, KAZUYUKI , 內田陽平 , UCHIDA, YOHEI , 小艾睦典 , KOYOMOGI, MUTSUNORI , 松田隆博 , MATSUDA, TAKAHIRO , 土肥亮介 , DOHI, RYOUSUKE , 西野功二 , NISHINO, KOUJI , 池田信一 , IKEDA, NOBUKAZU
IPC分类号： G05D7/06
CPC分类号： C23C16/45561 , H01L21/67017 , Y10T137/0396

8. 发明专利

TWI370707B 聚焦環及電漿處理裝置失效
简体标题：聚焦环及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI370707B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW093126072
申请日：2004-08-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：輿石公 , 田中秀朗 , 岡山信幸 , 宮川正章 , 水上俊介 , 清水涉 , 廣瀨潤 , 若木俊克 , 三輪智典 , 大藪淳 , 林大輔
IPC分类号： H05H , H01L
摘要：本發明的課題在於提供一種聚焦環及電漿處理裝置，不但能夠提高處理的面內均勻性，並且與以往相比，能夠減少在半導體晶圓的周邊部背面側之沉積的發生。
為了解決此課題，本發明之手段為：
載置著半導體晶圓W之載置台2，被設置在真空艙1內；聚焦環8則被設置成可以包圍被載置於此載置台2上的半導體晶圓W的周圍。聚焦環8，係由：電介質所形成的下側構件9；及被配置在此下側構件9的上部，由導電性材料所形成的環狀的上側構件10所構成；上側構件10，其頂面的外周側，係作成比半導體晶圓W的被處理面更高的平坦部10a，而此平坦部10a的內周部，係作成其外周側比內周側高而傾斜的傾斜部10b。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种聚焦环及等离子处理设备，不但能够提高处理的面内均匀性，并且与以往相比，能够减少在半导体晶圆的周边部背面侧之沉积的发生。为了解决此课题，本发明之手段为：载置着半导体晶圆W之载置台2，被设置在真空舱1内；聚焦环8则被设置成可以包围被载置于此载置台2上的半导体晶圆W的周围。聚焦环8，系由：电介质所形成的下侧构件9；及被配置在此下侧构件9的上部，由导电性材料所形成的环状的上侧构件10所构成；上侧构件10，其顶面的外周侧，系作成比半导体晶圆W的被处理面更高的平坦部10a，而此平坦部10a的内周部，系作成其外周侧比内周侧高而倾斜的倾斜部10b。

9. 发明专利

TW201907478A 電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TW201907478A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107118073
申请日：2018-05-28
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子健吾 , KANEKO, KENGO , 廣瀨潤 , HIROSE, JUN
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/00 , H05H1/46
摘要：［課題］本發明提供一種電漿處理方法，使用單一之電漿處理裝置，來執行向基座所供給之高頻波的電力及所要求之基板之面內溫度分布相異的複數之步驟。［解決手段］依本發明一實施形態之電漿處理方法包含：第1電漿處理應用步驟，在腔室內對基板應用第1電漿處理；及第2電漿處理應用步驟，在腔室內對基板應用第2電漿處理。在該第1電漿處理應用步驟，驅動靜電夾頭之夾頭本體內的複數之第1加熱器，並驅動該夾頭本體內的複數之第2加熱器。在該第2電漿處理應用步驟，至少停止複數之第2加熱器的驅動。
简体摘要：［课题］本发明提供一种等离子处理方法，使用单一之等离子处理设备，来运行向基座所供给之高频波的电力及所要求之基板之面内温度分布相异的复数之步骤。［解决手段］依本发明一实施形态之等离子处理方法包含：第1等离子处理应用步骤，在腔室内对基板应用第1等离子处理；及第2等离子处理应用步骤，在腔室内对基板应用第2等离子处理。在该第1等离子处理应用步骤，驱动静电夹头之夹头本体内的复数之第1加热器，并驱动该夹头本体内的复数之第2加热器。在该第2等离子处理应用步骤，至少停止复数之第2加热器的驱动。

10. 外观设计

TW490235S 電漿蝕刻裝置用上電極總成失效
简体标题：等离子蚀刻设备用上电极总成
公开(公告)号：TW490235S
公开(公告)日：2002-06-01
申请号：TW089306983
申请日：2001-01-11
申请人：東京威力科創股份有限公司
设计人：廣瀨潤
摘要：本創作係有關於一種「電漿蝕刻裝置用上電極總成」之新式樣設計。本創作「電漿蝕刻裝置用上電極總成」。該電漿蝕刻裝置藉著施用高頻率電力到上電極，來蝕刻放置於晶圓階段上的半導體晶圓，並因而在處理室中產生電漿。本新式樣發明所施用之物件有約400mm的外部直徑，並且包含一上電極與一冷卻板，其由一種金屬物質構成，如鋁，而一屏障環則由一種絕緣物質形成，如陶瓷。位於俯視圖與仰視圖中間的同軸洞為氣體洞，而反應氣體經由該氣體洞感應到處理室中。要注意的是，如參考圖(一)所示之上電極裝配，本新式樣發明所施用之上電極的輪廓與形成該上電極的內部結構是以實線顯示，而該屏障環與該冷卻板則以虛線顯示。參考圖(二)與(三)提出了幾個步驟，其中本新式樣發明所施用之上電極裝配依照序號被裝配。首先，如參考圖(二)所示的，上電極用螺絲被鎖定在冷卻板上。接下來，如參考圖(三)所示的，備置於冷卻板周圍的投射被適應入備置在屏障環的內部球狀部分的凹槽內部，以完成該上電極裝配。當該上電極的部分與該屏障環的部分在本新式樣發明所施用之上電極裝配的底部表面被提出時，如參考圖示(一)所顯示，個別部件的尺寸便被調整以在裝配過程中保證底部表面的齊平適應。整體而言，本創作造形獨特美觀、且式樣新穎具獨創性，實為一特殊且實用之新式樣設計。上述說明僅供輔助瞭解本創作而非用以限制其內容；理應明瞭，新式樣係就其整體形狀、花紋或色彩指定之，且係以申請專利範圍所界定者為準。
简体摘要：本创作系有关于一种“等离子蚀刻设备用上电极总成”之新式样设计。本创作“等离子蚀刻设备用上电极总成”。该等离子蚀刻设备借着施用高频率电力到上电极，来蚀刻放置于晶圆阶段上的半导体晶圆，并因而在处理室中产生等离子。本新式样发明所施用之对象有约400mm的外部直径，并且包含一上电极与一冷却板，其由一种金属物质构成，如铝，而一屏障环则由一种绝缘物质形成，如陶瓷。位于俯视图与仰视图中间的同轴洞为气体洞，而反应气体经由该气体洞感应到处理室中。要注意的是，如参考图(一)所示之上电极装配，本新式样发明所施用之上电极的轮廓与形成该上电极的内部结构是以实线显示，而该屏障环与该冷却板则以虚线显示。参考图(二)与(三)提出了几个步骤，其中本新式样发明所施用之上电极装配依照序号被装配。首先，如参考图(二)所示的，上电极用螺丝被锁定在冷却板上。接下来，如参考图(三)所示的，备置于冷却板周围的投射被适应入备置在屏障环的内部球状部分的凹槽内部，以完成该上电极装配。当该上电极的部分与该屏障环的部分在本新式样发明所施用之上电极装配的底部表面被提出时，如参考图标(一)所显示，个别部件的尺寸便被调整以在装配过程中保证底部表面的齐平适应。整体而言，本创作造形独特美观、且式样新颖具独创性，实为一特殊且实用之新式样设计。上述说明仅供辅助了解本创作而非用以限制其内容；理应明了，新式样系就其整体形状、花纹或色彩指定之，且系以申请专利范围所界定者为准。

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