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1. 发明专利

TWI478203B 電漿處理裝置及其構成零件有权
简体标题：等离子处理设备及其构成零件
公开(公告)号：TWI478203B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW098137597
申请日：2009-11-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：村上貴宏 , MURAKAMI, TAKAHIRO , 若木俊克 , WAKAKI, TOSHIKATSU
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32541 , H01J37/32477

2. 发明专利

TWI488236B 聚焦環及電漿處理裝置有权
简体标题：聚焦环及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI488236B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW101115977
申请日：2004-08-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：輿石公 , KOSHIISHI, AKIRA , 田中秀朗 , TANAKA, HIDEAKI , 岡山信幸 , OKAYAMA, NOBUYUKI , 宮川正章 , MIYAGAWA, MASAAKI , 水上俊介 , MIZUKAMI, SHUNSUKE , 清水涉 , SHIMIZU, WATARU , 廣瀨潤 , HIROSE, JUN , 若木俊克 , WAKAKI, TOSHIKATSU , 三輪智典 , MIWA, TOMONORI , 大藪淳 , OOYABU, JUN , 林大輔 , HAYASHI, DAISUKE
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/00

3. 发明专利

TW201243942A 聚焦環及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：聚焦环及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201243942A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101115977
申请日：2004-08-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：輿石公 , 田中秀朗 , 岡山信幸 , 宮川正章 , 水上俊介 , 清水涉 , 廣瀨潤 , 若木俊克 , 三輪智典 , 大藪淳 , 林大輔
IPC分类号： H01L , H05H
摘要：本發明的課題在於提供一種聚焦環及電漿處理裝置,不但能夠提高處理的面內均勻性,並且與以往相比,能夠減少在半導體晶圓的周邊部背面側之沉積的發生。為了解決此課題,本發明之手段為:載置著半導體晶圓W之載置台2,被設置在真空艙1內;聚焦環8則被設置成可以包圍被載置於此載置台2上的半導體晶圓W的周圍。聚焦環8,係由:電介質所形成的下側構件9;及被配置在此下側構件9的上部,由導電性材料所形成的環狀的上側構件10所構成;上側構件10,其頂面的外周側,係作成比半導體晶圓W的被處理面更高的平坦部10a,而此平坦部10a的內周部,係作成其外周側比內周側高而傾斜的傾斜部10b。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种聚焦环及等离子处理设备,不但能够提高处理的面内均匀性,并且与以往相比,能够减少在半导体晶圆的周边部背面侧之沉积的发生。为了解决此课题,本发明之手段为:载置着半导体晶圆W之载置台2,被设置在真空舱1内;聚焦环8则被设置成可以包围被载置于此载置台2上的半导体晶圆W的周围。聚焦环8,系由:电介质所形成的下侧构件9;及被配置在此下侧构件9的上部,由导电性材料所形成的环状的上侧构件10所构成;上侧构件10,其顶面的外周侧,系作成比半导体晶圆W的被处理面更高的平坦部10a,而此平坦部10a的内周部,系作成其外周侧比内周侧高而倾斜的倾斜部10b。

4. 发明专利

TWI370707B 聚焦環及電漿處理裝置失效
简体标题：聚焦环及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI370707B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW093126072
申请日：2004-08-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：輿石公 , 田中秀朗 , 岡山信幸 , 宮川正章 , 水上俊介 , 清水涉 , 廣瀨潤 , 若木俊克 , 三輪智典 , 大藪淳 , 林大輔
IPC分类号： H05H , H01L
摘要：本發明的課題在於提供一種聚焦環及電漿處理裝置，不但能夠提高處理的面內均勻性，並且與以往相比，能夠減少在半導體晶圓的周邊部背面側之沉積的發生。
為了解決此課題，本發明之手段為：
載置著半導體晶圓W之載置台2，被設置在真空艙1內；聚焦環8則被設置成可以包圍被載置於此載置台2上的半導體晶圓W的周圍。聚焦環8，係由：電介質所形成的下側構件9；及被配置在此下側構件9的上部，由導電性材料所形成的環狀的上側構件10所構成；上側構件10，其頂面的外周側，係作成比半導體晶圓W的被處理面更高的平坦部10a，而此平坦部10a的內周部，係作成其外周側比內周側高而傾斜的傾斜部10b。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种聚焦环及等离子处理设备，不但能够提高处理的面内均匀性，并且与以往相比，能够减少在半导体晶圆的周边部背面侧之沉积的发生。为了解决此课题，本发明之手段为：载置着半导体晶圆W之载置台2，被设置在真空舱1内；聚焦环8则被设置成可以包围被载置于此载置台2上的半导体晶圆W的周围。聚焦环8，系由：电介质所形成的下侧构件9；及被配置在此下侧构件9的上部，由导电性材料所形成的环状的上侧构件10所构成；上侧构件10，其顶面的外周侧，系作成比半导体晶圆W的被处理面更高的平坦部10a，而此平坦部10a的内周部，系作成其外周侧比内周侧高而倾斜的倾斜部10b。

5. 发明专利

TW201030797A 電漿處理裝置及其構成零件审中-公开
简体标题：等离子处理设备及其构成零件
公开(公告)号：TW201030797A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098137597
申请日：2009-11-05
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：村上貴宏 , 若木俊克
IPC分类号： H01J , H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/32541 , H01J37/32477
摘要：本發明的課題是在於提供一種可防止沈積物堆積於角落部之電漿處理裝置的構成零件。其解決手段是在利用電漿來對晶圓(W)實施乾蝕刻處理的電漿處理裝置(10)所具備的上部電極(33)的外側電極(33b)中,內周部(33c)及傾斜面(33d)所成的角落部(33e)的角度��1為140�,溝(41)的底面(41a)及傾斜面(41b)所成的角落部(41c)的角度��2為125�,且溝(41)的底面(41a)及傾斜面(41d)所成的角落部(41e)的角度��3為125�,溝(41)的底面(41a)的寬度為鞘層長的2倍以上。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可防止沉积物堆积于角落部之等离子处理设备的构成零件。其解决手段是在利用等离子来对晶圆(W)实施干蚀刻处理的等离子处理设备(10)所具备的上部电极(33)的外侧电极(33b)中,内周部(33c)及倾斜面(33d)所成的角落部(33e)的角度��1为140�,沟(41)的底面(41a)及倾斜面(41b)所成的角落部(41c)的角度��2为125�,且沟(41)的底面(41a)及倾斜面(41d)所成的角落部(41e)的角度��3为125�,沟(41)的底面(41a)的宽度为鞘层长的2倍以上。

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