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1. 发明专利

TW432267B 壓力式流量控制裝置之孔口阻塞偵知方法及偵知裝置有权
简体标题：压力式流量控制设备之孔口阻塞侦知方法及侦知设备
公开(公告)号：TW432267B
公开(公告)日：2001-05-01
申请号：TW088114058
申请日：1999-08-17
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 加賀爪哲 , 廣瀨潤 , 西野功二 , 池田信一 , 山路道雄 , 土肥亮介
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05D7/0635 , Y10T137/0396 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8326
摘要：本發明有關於壓力式流量控制裝置之孔口阻塞偵知方法及該孔口阻塞偵知裝置。
(課題)本發明係利用孔口之流量控制裝置中，不需要分解之下藉由上游側壓力之檢出而實施孔口之阻塞之偵知(檢出)由而延長流量控制裝置之壽命及提高安全性。
(解決手段)將上游側壓力P1保持於下游側壓力P2之約2倍以上而將下游側之流量QvC以QvC=KP1(K:常數)來計算，而以此計算流量QvC與設定流量Qs之相差訊號QvY來實施控制閥(CV)之開閉控制之流量控制裝置中，其特徵為，由:記憶了該在孔口(2)沒有阻塞之條件下，由高設定流量QvSH切換至低設定流量QvSL而所測定之上游側壓力P1之基準壓力減衰數據Y(t)之記憶裝置 M，及在孔口(2)之實際條件下由高設定量量QvSH而切換至低設定流量QvSL以資測定上游側壓力P1之壓力減衰數據P(t)之上述壓力檢出器(14);及將壓力減衰數據P(t)與基準壓力減衰數據Y(t)實施對比計算之中央計算處理裝置ＣＰＵ；以及當壓力減衰數據P(t）之自基準壓力減衰數據Y（t)而離開有規定度以上時,即據以告知有阻塞之警報電路(４６)構成孔口阻塞偵出裝置。（選擇圖）第l圖。
简体摘要：本发明有关于压力式流量控制设备之孔口阻塞侦知方法及该孔口阻塞侦知设备。 (课题)本发明系利用孔口之流量控制设备中，不需要分解之下借由上游侧压力之检出而实施孔口之阻塞之侦知(检出)由而延长流量控制设备之寿命及提高安全性。 (解决手段)将上游侧压力P1保持于下游侧压力P2之约2倍以上而将下游侧之流量QvC以QvC=KP1(K:常数)来计算，而以此计算流量QvC与设置流量Qs之相差信号QvY来实施控制阀(CV)之开闭控制之流量控制设备中，其特征为，由:记忆了该在孔口(2)没有阻塞之条件下，由高设置流量QvSH切换至低设置流量QvSL而所测定之上游侧压力P1之基准压力减衰数据Y(t)之记忆设备 M，及在孔口(2)之实际条件下由高设置量量QvSH而切换至低设置流量QvSL以资测定上游侧压力P1之压力减衰数据P(t)之上述压力检出器(14);及将压力减衰数据P(t)与基准压力减衰数据Y(t)实施对比计算之中央计算处理设备ＣＰＵ；以及当压力减衰数据P(t）之自基准压力减衰数据Y（t)而离开有规定度以上时,即据以告知有阻塞之警报电路(４６)构成孔口阻塞侦出设备。（选择图）第l图。

2. 发明专利

TW552491B 改良型壓力式流量控制裝置有权
简体标题：改良型压力式流量控制设备
公开(公告)号：TW552491B
公开(公告)日：2003-09-11
申请号：TW091135458
申请日：2002-12-06
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 乾秀二郎 , 酒井泰治 , 植山將宜 , 杉山一彥 , 宇野富雄 , 池田信一 , 西野功二 , 中村修 , 土肥亮介 , 松本薦諮
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
摘要：本發明之技術課題為開發非臨界領域中確立高精度匹配壓縮性流體的實際流量的實驗流量式，使用此流量式高精度進行流量控制的改良型壓力式流量控制裝置。
本發明之解決手段在於提供一種改良型壓力式流量控制裝置，其以QC=KP2m(P1-P2)n表示非臨界領域(非音速域)中壓縮性流體的實驗流量式，以此QC=KP2m(P1-P2)n(K為比例常數，m及n為常數)計算通過孔口4的流體流量，同正確且高速地將流量控制於指定流量。又提供一種改良型壓力式流量控制裝置，其經常將上游側壓力P1及下游側壓力P2所得壓力比P2/P1=r與臨界值rc比較，在臨界條件(r≦rc)下以QC=KP1，在非臨界條件(r>rc)下以 Qc=KP2m(P1-P2)n運算流量，可一面對應流體的所有條件，一面正確且高速地將流量控制於指定流量。
简体摘要：本发明之技术课题为开发非临界领域中确立高精度匹配压缩性流体的实际流量的实验流量式，使用此流量式高精度进行流量控制的改良型压力式流量控制设备。本发明之解决手段在于提供一种改良型压力式流量控制设备，其以QC=KP2m(P1-P2)n表示非临界领域(非音速域)中压缩性流体的实验流量式，以此QC=KP2m(P1-P2)n(K为比例常数，m及n为常数)计算通过孔口4的流体流量，同正确且高速地将流量控制于指定流量。又提供一种改良型压力式流量控制设备，其经常将上游侧压力P1及下游侧压力P2所得压力比P2/P1=r与临界值rc比较，在临界条件(r≦rc)下以QC=KP1，在非临界条件(r>rc)下以 Qc=KP2m(P1-P2)n运算流量，可一面对应流体的所有条件，一面正确且高速地将流量控制于指定流量。

3. 发明专利

TW455751B 流體可變型流量控制裝置有权
简体标题：流体可变型流量控制设备
公开(公告)号：TW455751B
公开(公告)日：2001-09-21
申请号：TW088113823
申请日：1999-08-12
申请人：大見忠弘 , 東京威力科創股份有限公司 , 富士金股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 加賀爪哲 , 廣瀨潤 , 西野功二
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05D7/0658 , G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
摘要：本發明之流量控制裝置係由:設成變換自如之孔口;控制閥;配設於控制閥和孔口間之壓力偵測器;運算所偵測壓力用之流量運算電路;輸出流量設定信號的流量設定電路;變換運算流量信號為切換(轉換)運算流量信號之沆量變換電路;及切換運算流量信號和流量設定信號之差做為控制信號來輸出至控制閥之驅動部的運算控制電路所構成，而以開閉控制閥來使之控制信號成為零，以控制孔口下流側之流量者。
简体摘要：本发明之流量控制设备系由:设成变换自如之孔口;控制阀;配设于控制阀和孔口间之压力侦测器;运算所侦测压力用之流量运算电路;输出流量设置信号的流量设置电路;变换运算流量信号为切换(转换)运算流量信号之沆量变换电路;及切换运算流量信号和流量设置信号之差做为控制信号来输出至控制阀之驱动部的运算控制电路所构成，而以开闭控制阀来使之控制信号成为零，以控制孔口下流侧之流量者。

4. 发明专利

TW466336B 壓力偵知器的安裝構造有权
简体标题：压力侦知器的安装构造
公开(公告)号：TW466336B
公开(公告)日：2001-12-01
申请号：TW089120571
申请日：2000-10-03
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 廣瀨隆 , 出田英二 , 池田信一 , 上肥亮介 , 西野功二 , 吉川和博 , 加賀爪哲 , 廣瀨潤 , 深澤和夫 , 小泉浩 , 長岡秀樹
IPC分类号： G01L
CPC分类号： G01L19/0023 , G01L19/0645 , G01L19/145 , G01L19/147
摘要：為提供一種將隔膜型壓力偵知器組裝於設在管路或機器等安裝用具時，可防止加於壓力偵知器之應力所起隔膜之變形，及組裝前之特性較大變化之壓力偵知器的安裝構造。
因此，本發明係在將具隔膜之隔膜座，與內藏有藉上述隔膜變位而移動之感測元件的感測元件座組合所成壓力偵知器，介由墊片插設於配管路或機械裝置所設安裝用具本體之插設孔內，且藉自上方插入於插設孔之抑壓構件壓任促使壓力偵知器以氣密固定之壓力偵知器的安裝構造，使抑壓構件抵觸於上述隔膜座本體部上面及使墊片抵觸於隔膜座本體部底面同時，在上述本體部底面與墊片抵觸部內側位置形成環狀淺槽，而藉該淺槽吸收因抑壓構件之抑押所產生之變形。
简体摘要：为提供一种将隔膜型压力侦知器组装于设在管路或机器等安装用具时，可防止加于压力侦知器之应力所起隔膜之变形，及组装前之特性较大变化之压力侦知器的安装构造。因此，本发明系在将具隔膜之隔膜座，与内藏有藉上述隔膜变位而移动之传感组件的传感组件座组合所成压力侦知器，介由垫片插设于配管路或机械设备所设安装用具本体之插设孔内，且藉自上方插入于插设孔之抑压构件压任促使压力侦知器以气密固定之压力侦知器的安装构造，使抑压构件抵触于上述隔膜座本体部上面及使垫片抵触于隔膜座本体部底面同时，在上述本体部底面与垫片抵触部内侧位置形成环状浅槽，而藉该浅槽吸收因抑压构件之抑押所产生之变形。

5. 发明专利

TW554164B 壓力感測器、壓力控制裝置及壓力式流量控制裝置之溫度偏移修正裝置有权
简体标题：压力传感器、压力控制设备及压力式流量控制设备之温度偏移修正设备
公开(公告)号：TW554164B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW091135190
申请日：2002-12-04
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 杉山一彥 , 西野功二 , 宇野富雄 , 中村修 , 松本篤諮 , 土肥亮介 , 池田信一
IPC分类号： G01L
CPC分类号： G05D7/0635 , G01D3/022 , G01F1/50 , G01F15/046 , G01L9/025
摘要：本發明之技術課題在於開發自動修正壓力感測器的溫度偏移，不管溫度變動如何，均可正確檢測壓力的壓力感測器、壓力控制裝置及流量控制裝置。
本發明之解決手段在於，本發明壓力式流量控制裝置之溫度偏移修正裝置在孔板4與控制閥22之間設置檢測上游側壓力P1的上游側壓力感測器10，一面以上游側壓力P1運算孔板通過流量，一面藉由控制閥22的啟開控制孔板通過流量的壓力式流量控制裝置中，包括溫度感測器14，其測定流體溫度；記憶手段64，其儲存流體溫度T與上游側壓力感測器10的輸出偏移的關係；以及溫度偏移修正手段，其在流體溫度T變化情形下，根據記憶手段64的資料，運算上游側壓力感測器10的輸出偏移量，以此運算輸出偏移量消去並修正上游側壓力感測器10的輸出偏移。藉此構造，自動修正壓力感測器的溫度偏移，可作正確的流量控制。
简体摘要：本发明之技术课题在于开发自动修正压力传感器的温度偏移，不管温度变动如何，均可正确检测压力的压力传感器、压力控制设备及流量控制设备。本发明之解决手段在于，本发明压力式流量控制设备之温度偏移修正设备在孔板4与控制阀22之间设置检测上游侧压力P1的上游侧压力传感器10，一面以上游侧压力P1运算孔板通过流量，一面借由控制阀22的启开控制孔板通过流量的压力式流量控制设备中，包括温度传感器14，其测定流体温度；记忆手段64，其存储流体温度T与上游侧压力传感器10的输出偏移的关系；以及温度偏移修正手段，其在流体温度T变化情形下，根据记忆手段64的数据，运算上游侧压力传感器10的输出偏移量，以此运算输出偏移量消去并修正上游侧压力传感器10的输出偏移。借此构造，自动修正压力传感器的温度偏移，可作正确的流量控制。

6. 发明专利

TW463076B 壓力式流量控制裝置之流量異常檢知方法有权
简体标题：压力式流量控制设备之流量异常检知方法
公开(公告)号：TW463076B
公开(公告)日：2001-11-11
申请号：TW089116036
申请日：2000-08-09
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘 , 飯田精一
发明人：大見忠弘 , 飯田精一 , 加賀爪哲 , 廣瀨潤 , 深澤和夫 , 小泉浩 , 長岡秀樹 , 宇野富雄 , 西野功二 , 池田信一 , 土肥亮介 , 出田英二
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05B23/0235 , G05B23/0256 , G05D7/0635 , Y10T137/0396 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8326
摘要：於利用孔口(orifice)之壓力式流量控制裝置，有關邊控制流量也可用簡單構成進行檢知孔口堵塞之技術。
本發明之解決手段，係將上游側壓力Pl保持為下游側壓力P2之大約2倍以上將下游側之流量Qc以Qc= KPl(K:常數)演算，藉此演算流量Qc與設定流量 Qs之差值訊號QY以開閉控制控制閥CV之流量控制裝置FCS，提案一種從另設之檢定電路或流量設定電路輸出具有檢定振幅VO之檢定用訊號△QS，而應答於此來測定上游側壓力Pl之變動壓力△Pl之壓力振幅V，當此壓力振幅V變成較界限振幅Vt為小時告知孔口堵塞之流量異常檢知方法。
若從檢定電路或流量設定流量重疊於恒常設定流量 QSO輸出檢定用訊號△QS時，由恒常設定流量QSO邊控制流量就可檢知流量異常。
简体摘要：于利用孔口(orifice)之压力式流量控制设备，有关边控制流量也可用简单构成进行检知孔口堵塞之技术。本发明之解决手段，系将上游侧压力Pl保持为下游侧压力P2之大约2倍以上将下游侧之流量Qc以Qc= KPl(K:常数)演算，借此演算流量Qc与设置流量 Qs之差值信号QY以开闭控制控制阀CV之流量控制设备FCS，提案一种从另设之检定电路或流量设置电路输出具有检定振幅VO之检定用信号△QS，而应答于此来测定上游侧压力Pl之变动压力△Pl之压力振幅V，当此压力振幅V变成较界限振幅Vt为小时告知孔口堵塞之流量异常检知方法。若从检定电路或流量设置流量重叠于恒常设置流量 QSO输出检定用信号△QS时，由恒常设置流量QSO边控制流量就可检知流量异常。

7. 发明专利

TW445401B 平行分流式流體供應裝置與使用該裝置之流體可變型壓力式流量控制方法及流體可變型壓力式流量控制裝置有权
简体标题：平行分流式流体供应设备与使用该设备之流体可变型压力式流量控制方法及流体可变型压力式流量控制设备
公开(公告)号：TW445401B
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：TW089107095
申请日：2000-04-15
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 加賀爪哲 , 廣瀨潤 , 杉山一彥 , 深澤和夫 , 小泉浩 , 長岡秀樹 , 皆見幸男 , 西野功二 , 土肥亮介 , 米華克典 , 池田信一 , 山路道雄 , 森本明弘 , 宇野富雄 , 出田英二 , 松本篤志 , 上野山豊已
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05D7/0658 , G05D7/0664 , Y10S438/935 , Y10T137/0396 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/86389 , Y10T137/87877 , Y10T137/87917
摘要：一種平行分流式流體供應裝置與使用該裝置之流體的可變型壓力式流量控制方法及流體可變型壓力式流量控制裝置，從壓力調整用的l個調整器平行配設複數條流路之流體供應裝置中，使各流路之流體供應的開關操作不致對其他流路之穩態供應造成過大的變動。因此，在各流路上配設流量控制用質量流控制器MFC或壓力式流量控制裝置FCS，某流路之流體供給自關閉而開啟時，構成從其流路之質量流控制器MFC動作開始僅延遲預定的延遲時間△t到達設定流量Qs。
又，利用l台壓力式流量控制裝置可高精度流量控制複數氣體種類及實現其裝置。因此，以臨界壓力比以下的條件理論性導出通過孔口的氣體流量，根據該式定義流動係數，利用該流動係數形成可對應多數之氣體種類者。
亦即，將孔口8的上游側壓力P1保持在下游壓力P2約2倍以上的狀態下，通過孔口的氣體運算流量Qc以 Qc=KP1(K為常數)運算之流量控制方法中，各種類氣體係以FF=(k/γs){2/(κ+l)}](x.1)〔κ/{(κ十l)R}〕1/2計算流動係數FF，氣體種類A的運算流量為QA時，在同一孔口、同一上游側壓力及同一上游側溫度的條件下使氣體種類B流通時，以其運算流量QvB作為QvB(EFvB/EFvA)QvA算出。其中，γS為氣體的標準狀態密度，κ為氣體的比熱比，R為氣體常數，k為未依據氣體種類之比例常數，FFvA.FFvB為氣體種類A.B的流動係數。
简体摘要：一种平行分流式流体供应设备与使用该设备之流体的可变型压力式流量控制方法及流体可变型压力式流量控制设备，从压力调整用的l个调整器平行配设复数条流路之流体供应设备中，使各流路之流体供应的开关操作不致对其他流路之稳态供应造成过大的变动。因此，在各流路上配设流量控制用质量流控制器MFC或压力式流量控制设备FCS，某流路之流体供给自关闭而打开时，构成从其流路之质量流控制器MFC动作开始仅延迟预定的延迟时间△t到达设置流量Qs。又，利用l台压力式流量控制设备可高精度流量控制复数气体种类及实现其设备。因此，以临界压力比以下的条件理论性导出通过孔口的气体流量，根据该式定义流动系数，利用该流动系数形成可对应多数之气体种类者。亦即，将孔口8的上游侧压力P1保持在下游压力P2约2倍以上的状态下，通过孔口的气体运算流量Qc以 Qc=KP1(K为常数)运算之流量控制方法中，各种类气体系以FF=(k/γs){2/(κ+l)}](x.1)〔κ/{(κ十l)R}〕1/2计算流动系数FF，气体种类A的运算流量为QA时，在同一孔口、同一上游侧压力及同一上游侧温度的条件下使气体种类B流通时，以其运算流量QvB作为QvB(EFvB/EFvA)QvA算出。其中，γS为气体的标准状态密度，κ为气体的比热比，R为气体常数，k为未依据气体种类之比例常数，FFvA.FFvB为气体种类A.B的流动系数。

8. 发明专利

TWI343592B 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME 有权
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI343592B
公开(公告)日：2011-06-11
申请号：TW093115953
申请日：2004-06-03
申请人：大見忠弘 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/82385 , H01L21/28167 , H01L21/823857 , H01L29/66787 , H01L29/785
摘要：依據本發明，於具有複數個結晶面之立體構造之矽基板表面上，使用電漿形成閘極絕緣膜。電漿閘極絕緣膜於複數個結晶面中亦不會增加界面單位，於立體構造之角部亦具有均勻膜厚。藉由利用電漿形成高品質之閘極絕緣膜而得到良好特性之半導體裝置。
简体摘要：依据本发明，于具有复数个结晶面之三維构造之硅基板表面上，使用等离子形成闸极绝缘膜。等离子闸极绝缘膜于复数个结晶面中亦不会增加界面单位，于三維构造之角部亦具有均匀膜厚。借由利用等离子形成高品质之闸极绝缘膜而得到良好特性之半导体设备。

9. 发明专利

TWI371501B 成膜裝置及成膜方法 DEPOSITION APPARATUS AND DEPOSITION METHOD 有权
简体标题：成膜设备及成膜方法 DEPOSITION APPARATUS AND DEPOSITION METHOD
公开(公告)号：TWI371501B
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW094109705
申请日：2005-03-29
申请人：大見忠弘 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 松岡孝明
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/541 , C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/243 , C23C14/564 , F28D2021/0077 , F28F9/026 , F28F13/08
摘要：本發明旨在提供一種能快速、均勻地成膜，避免原料之浪費的成膜裝置及成膜方法，能利用氣體之氣流控制成膜條件，以輸送氣體之氣流將蒸發之成膜材料送至基板表面，可於大面積之基板上層積均勻的薄膜。亦即，將氣化原料定方向為朝向基板，以提高成膜速度，可均勻地成膜。
简体摘要：本发明旨在提供一种能快速、均匀地成膜，避免原料之浪费的成膜设备及成膜方法，能利用气体之气流控制成膜条件，以输送气体之气流将蒸发之成膜材料送至基板表面，可于大面积之基板上层积均匀的薄膜。亦即，将气化原料定方向为朝向基板，以提高成膜速度，可均匀地成膜。

10. 发明专利

TW498705B 電漿處理用裝置失效
简体标题：等离子处理用设备
公开(公告)号：TW498705B
公开(公告)日：2002-08-11
申请号：TW089103797
申请日：2000-03-03
申请人：大見忠弘 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01L21/67109 , H01J2237/2001 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67069
摘要：一種電漿處理用裝置，其構成乃具有能提供必要之原料氣體以激發電漿之氣體供給系統，及將其排除以降低容器內壓力之排氣系統，此容器中能使電漿產生，並於前述電漿中處理被處理物。此裝置中：於前述容器之內部設有承載被處理物之導電性載物台，前述載物台之構造可施加直流電壓或高頻，前述載物台其內部設有冷卻媒體流路，以冷卻被處理物，為使前述載物合內之熱量能傳遞至前述之冷卻媒體，前述冷卻媒體流路其導熱度高，而為了不使施加於前述載物台處之直流電或高頻傳遞至前述冷卻媒體處，此裝置採用了電絕緣性高之材料。
简体摘要：一种等离子处理用设备，其构成乃具有能提供必要之原料气体以激发等离子之气体供给系统，及将其排除以降低容器内压力之排气系统，此容器中能使等离子产生，并于前述等离子中处理被处理物。此设备中：于前述容器之内部设有承载被处理物之导电性载物台，前述载物台之构造可施加直流电压或高频，前述载物台其内部设有冷却媒体流路，以冷却被处理物，为使前述载物合内之热量能传递至前述之冷却媒体，前述冷却媒体流路其导热度高，而为了不使施加于前述载物台处之直流电或高频传递至前述冷却媒体处，此设备采用了电绝缘性高之材料。

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