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    • 2. 发明专利
    • 壓力式流量控制裝置之孔口阻塞偵知方法及偵知裝置
    • 压力式流量控制设备之孔口阻塞侦知方法及侦知设备
    • TW432267B
    • 2001-05-01
    • TW088114058
    • 1999-08-17
    • 富士金股份有限公司東京威力科創股份有限公司大見忠弘
    • 大見忠弘加賀爪哲廣瀨潤西野功二池田信一山路道雄土肥亮介
    • G05D
    • G05D7/0635Y10T137/0396Y10T137/7759Y10T137/7761Y10T137/8326
    • 本發明有關於壓力式流量控制裝置之孔口阻塞偵知方法及該孔口阻塞偵知裝置。
      (課題)本發明係利用孔口之流量控制裝置中,不需要分解之下藉由上游側壓力之檢出而實施孔口之阻塞之偵知(檢出)由而延長流量控制裝置之壽命及提高安全性。
      (解決手段)將上游側壓力P1保持於下游側壓力P2之約2倍以上而將下游側之流量QvC以QvC=KP1(K:常數)來計算,而以此計算流量QvC與設定流量Qs之相差訊號QvY來實施控制閥(CV)之開閉控制之流量控制裝置中,其特徵為,由:記憶了該在孔口(2)沒有阻塞之條件下,由高設定流量QvSH切換至低設定流量QvSL而所測定之上游側壓力P1之基準壓力減衰數據Y(t)之記憶裝置 M,及在孔口(2)之實際條件下由高設定量量QvSH而切換至低設定流量QvSL以資測定上游側壓力P1之壓力減衰數據P(t)之上述壓力檢出器(14);及將壓力減衰數據P(t)與基準壓力減衰數據Y(t)實施對比計算之中央計算處理裝置CPU;以及當壓力減衰數據P(t)之自基準壓力減衰數據Y(t)而離開有規定度以上時,即據以告知有阻塞之警報電路(46)構成孔口阻塞偵出裝置。(選擇圖)第l圖。
    • 本发明有关于压力式流量控制设备之孔口阻塞侦知方法及该孔口阻塞侦知设备。 (课题)本发明系利用孔口之流量控制设备中,不需要分解之下借由上游侧压力之检出而实施孔口之阻塞之侦知(检出)由而延长流量控制设备之寿命及提高安全性。 (解决手段)将上游侧压力P1保持于下游侧压力P2之约2倍以上而将下游侧之流量QvC以QvC=KP1(K:常数)来计算,而以此计算流量QvC与设置流量Qs之相差信号QvY来实施控制阀(CV)之开闭控制之流量控制设备中,其特征为,由:记忆了该在孔口(2)没有阻塞之条件下,由高设置流量QvSH切换至低设置流量QvSL而所测定之上游侧压力P1之基准压力减衰数据Y(t)之记忆设备 M,及在孔口(2)之实际条件下由高设置量量QvSH而切换至低设置流量QvSL以资测定上游侧压力P1之压力减衰数据P(t)之上述压力检出器(14);及将压力减衰数据P(t)与基准压力减衰数据Y(t)实施对比计算之中央计算处理设备CPU;以及当压力减衰数据P(t)之自基准压力减衰数据Y(t)而离开有规定度以上时,即据以告知有阻塞之警报电路(46)构成孔口阻塞侦出设备。(选择图)第l图。
    • 5. 发明专利
    • 平行分流式流體供應裝置與使用該裝置之流體可變型壓力式流量控制方法及流體可變型壓力式流量控制裝置
    • 平行分流式流体供应设备与使用该设备之流体可变型压力式流量控制方法及流体可变型压力式流量控制设备
    • TW445401B
    • 2001-07-11
    • TW089107095
    • 2000-04-15
    • 富士金股份有限公司東京威力科創股份有限公司大見忠弘
    • 大見忠弘加賀爪哲廣瀨潤杉山一彥深澤和夫小泉浩長岡秀樹皆見幸男西野功二土肥亮介米華克典池田信一山路道雄森本明弘宇野富雄出田英二松本篤志上野山豊已
    • G05D
    • G05D7/0658G05D7/0664Y10S438/935Y10T137/0396Y10T137/7759Y10T137/7761Y10T137/86389Y10T137/87877Y10T137/87917
    • 一種平行分流式流體供應裝置與使用該裝置之流體的可變型壓力式流量控制方法及流體可變型壓力式流量控制裝置,從壓力調整用的l個調整器平行配設複數條流路之流體供應裝置中,使各流路之流體供應的開關操作不致對其他流路之穩態供應造成過大的變動。因此,在各流路上配設流量控制用質量流控制器MFC或壓力式流量控制裝置FCS,某流路之流體供給自關閉而開啟時,構成從其流路之質量流控制器MFC動作開始僅延遲預定的延遲時間△t到達設定流量Qs。
      又,利用l台壓力式流量控制裝置可高精度流量控制複數氣體種類及實現其裝置。因此,以臨界壓力比以下的條件理論性導出通過孔口的氣體流量,根據該式定義流動係數,利用該流動係數形成可對應多數之氣體種類者。
      亦即,將孔口8的上游側壓力P1保持在下游壓力P2約2倍以上的狀態下,通過孔口的氣體運算流量Qc以 Qc=KP1(K為常數)運算之流量控制方法中,各種類氣體係以FF=(k/γs){2/(κ+l)}](x.1)〔κ/{(κ十l)R}〕1/2計算流動係數FF,氣體種類A的運算流量為QA時,在同一孔口、同一上游側壓力及同一上游側溫度的條件下使氣體種類B流通時,以其運算流量QvB作為QvB(EFvB/EFvA)QvA算出。其中,γS為氣體的標準狀態密度,κ為氣體的比熱比,R為氣體常數,k為未依據氣體種類之比例常數,FFvA.FFvB為氣體種類A.B的流動係數。
    • 一种平行分流式流体供应设备与使用该设备之流体的可变型压力式流量控制方法及流体可变型压力式流量控制设备,从压力调整用的l个调整器平行配设复数条流路之流体供应设备中,使各流路之流体供应的开关操作不致对其他流路之稳态供应造成过大的变动。因此,在各流路上配设流量控制用质量流控制器MFC或压力式流量控制设备FCS,某流路之流体供给自关闭而打开时,构成从其流路之质量流控制器MFC动作开始仅延迟预定的延迟时间△t到达设置流量Qs。 又,利用l台压力式流量控制设备可高精度流量控制复数气体种类及实现其设备。因此,以临界压力比以下的条件理论性导出通过孔口的气体流量,根据该式定义流动系数,利用该流动系数形成可对应多数之气体种类者。 亦即,将孔口8的上游侧压力P1保持在下游压力P2约2倍以上的状态下,通过孔口的气体运算流量Qc以 Qc=KP1(K为常数)运算之流量控制方法中,各种类气体系以FF=(k/γs){2/(κ+l)}](x.1)〔κ/{(κ十l)R}〕1/2计算流动系数FF,气体种类A的运算流量为QA时,在同一孔口、同一上游侧压力及同一上游侧温度的条件下使气体种类B流通时,以其运算流量QvB作为QvB(EFvB/EFvA)QvA算出。其中,γS为气体的标准状态密度,κ为气体的比热比,R为气体常数,k为未依据气体种类之比例常数,FFvA.FFvB为气体种类A.B的流动系数。
    • 6. 发明专利
    • 壓力偵知器的安裝構造
    • 压力侦知器的安装构造
    • TW466336B
    • 2001-12-01
    • TW089120571
    • 2000-10-03
    • 富士金股份有限公司東京威力科創股份有限公司大見忠弘
    • 大見忠弘廣瀨隆出田英二池田信一上肥亮介西野功二吉川和博加賀爪哲廣瀨潤深澤和夫小泉浩長岡秀樹
    • G01L
    • G01L19/0023G01L19/0645G01L19/145G01L19/147
    • 為提供一種將隔膜型壓力偵知器組裝於設在管路或機器等安裝用具時,可防止加於壓力偵知器之應力所起隔膜之變形,及組裝前之特性較大變化之壓力偵知器的安裝構造。
      因此,本發明係在將具隔膜之隔膜座,與內藏有藉上述隔膜變位而移動之感測元件的感測元件座組合所成壓力偵知器,介由墊片插設於配管路或機械裝置所設安裝用具本體之插設孔內,且藉自上方插入於插設孔之抑壓構件壓任促使壓力偵知器以氣密固定之壓力偵知器的安裝構造,使抑壓構件抵觸於上述隔膜座本體部上面及使墊片抵觸於隔膜座本體部底面同時,在上述本體部底面與墊片抵觸部內側位置形成環狀淺槽,而藉該淺槽吸收因抑壓構件之抑押所產生之變形。
    • 为提供一种将隔膜型压力侦知器组装于设在管路或机器等安装用具时,可防止加于压力侦知器之应力所起隔膜之变形,及组装前之特性较大变化之压力侦知器的安装构造。 因此,本发明系在将具隔膜之隔膜座,与内藏有藉上述隔膜变位而移动之传感组件的传感组件座组合所成压力侦知器,介由垫片插设于配管路或机械设备所设安装用具本体之插设孔内,且藉自上方插入于插设孔之抑压构件压任促使压力侦知器以气密固定之压力侦知器的安装构造,使抑压构件抵触于上述隔膜座本体部上面及使垫片抵触于隔膜座本体部底面同时,在上述本体部底面与垫片抵触部内侧位置形成环状浅槽,而藉该浅槽吸收因抑压构件之抑押所产生之变形。
    • 7. 发明专利
    • 電漿處理方法
    • 等离子处理方法
    • TW201907478A
    • 2019-02-16
    • TW107118073
    • 2018-05-28
    • 日商東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 金子健吾KANEKO, KENGO廣瀨潤HIROSE, JUN
    • H01L21/3065H01L21/683H05H1/00H05H1/46
    • [課題] 本發明提供一種電漿處理方法,使用單一之電漿處理裝置,來執行向基座所供給之高頻波的電力及所要求之基板之面內溫度分布相異的複數之步驟。 [解決手段] 依本發明一實施形態之電漿處理方法包含:第1電漿處理應用步驟,在腔室內對基板應用第1電漿處理;及第2電漿處理應用步驟,在腔室內對基板應用第2電漿處理。在該第1電漿處理應用步驟,驅動靜電夾頭之夾頭本體內的複數之第1加熱器,並驅動該夾頭本體內的複數之第2加熱器。在該第2電漿處理應用步驟,至少停止複數之第2加熱器的驅動。
    • [课题] 本发明提供一种等离子处理方法,使用单一之等离子处理设备,来运行向基座所供给之高频波的电力及所要求之基板之面内温度分布相异的复数之步骤。 [解决手段] 依本发明一实施形态之等离子处理方法包含:第1等离子处理应用步骤,在腔室内对基板应用第1等离子处理;及第2等离子处理应用步骤,在腔室内对基板应用第2等离子处理。在该第1等离子处理应用步骤,驱动静电夹头之夹头本体内的复数之第1加热器,并驱动该夹头本体内的复数之第2加热器。在该第2等离子处理应用步骤,至少停止复数之第2加热器的驱动。