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1. 发明专利

TWI483089B 流體控制裝置有权
简体标题：流体控制设备
公开(公告)号：TWI483089B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW099105894
申请日：2010-03-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 富士金股份有限公司 , FUJIKIN INCORPORATED
发明人：廣瀨潤 , HIROSE, JUN , 手塚一幸 , TEZUKA, KAZUYUKI , 內田陽平 , UCHIDA, YOHEI , 小艾睦典 , KOYOMOGI, MUTSUNORI , 松田隆博 , MATSUDA, TAKAHIRO , 土肥亮介 , DOHI, RYOUSUKE , 西野功二 , NISHINO, KOUJI , 池田信一 , IKEDA, NOBUKAZU
IPC分类号： G05D7/06
CPC分类号： C23C16/45561 , H01L21/67017 , Y10T137/0396

2. 发明专利

TWI611039B 氣體供給裝置及基板處理裝置有权
简体标题：气体供给设备及基板处理设备
公开(公告)号：TWI611039B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW102116612
申请日：2013-05-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：內田陽平 , UCHIDA, YOHEI
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , H01J37/32091 , H01J37/3244

3. 发明专利

TWI576953B 載置台構造及保持聚焦環之方法有权
简体标题：载置台构造及保持聚焦环之方法
公开(公告)号：TWI576953B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW102142910
申请日：2013-11-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：內田陽平 , UCHIDA, YOHEI
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32642 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01L21/6831

4. 发明专利

TW202015126A 電漿處理裝置及靜電吸附方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及静电吸附方法
公开(公告)号：TW202015126A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108125465
申请日：2019-07-18
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：內田陽平 , UCHIDA, YOHEI , 佐藤徹治 , SATO, TETSUJI , 矢幡将二郎 , YAHATA, SHOJIRO , 高瀨均 , TAKASE, TAIRA
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H02N13/00
摘要：本發明之課題為抑制由上部電極之消耗所造成之上部電極與冷卻板之密接性之降低。本發明之電漿處理裝置具有：冷卻板，其具有固定上部電極之固定面，於固定面設置有以與施加電壓對應之吸附力吸附上部電極之靜電吸盤；電源部，其對靜電吸盤施加電壓；及電源控制部，其以根據上部電極之消耗程度，而使施加於靜電吸盤之電壓之絕對值增加之方式控制電源部。
简体摘要：本发明之课题为抑制由上部电极之消耗所造成之上部电极与冷却板之密接性之降低。本发明之等离子处理设备具有：冷却板，其具有固定上部电极之固定面，于固定面设置有以与施加电压对应之吸附力吸附上部电极之静电吸盘；电源部，其对静电吸盘施加电压；及电源控制部，其以根据上部电极之消耗程度，而使施加于静电吸盘之电压之绝对值增加之方式控制电源部。

5. 发明专利

TWI490940B 混合氣體之供給方法及混合氣體之供給裝置有权
简体标题：混合气体之供给方法及混合气体之供给设备
公开(公告)号：TWI490940B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW098143917
申请日：2009-12-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：內田陽平 , UCHIDA, YOHEI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： F17D1/04

6. 发明专利

TW202030758A 供電構造及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：供电构造及等离子处理设备
公开(公告)号：TW202030758A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108144418
申请日：2019-12-05
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木康晴 , SASAKI, YASUHARU , 內田陽平 , UCHIDA, YOHEI
IPC分类号： H01J37/02 , H01J1/88 , H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：吾人期待有一種供電構造及電漿處理裝置，可以使得電漿的面內分佈平均化。為達成前述目的，本發明提供一種供電構造，其具備第1連接構件群以及第1端子區域。第1連接構件群，由沿著聚焦環之周向配置的複數個連接構件所構成，以對配置於電漿處理裝置用之處理容器內的聚焦環給予偏壓電位。第1端子區域，呈環圈狀，且電性連接至複數個連接構件。
简体摘要：吾人期待有一种供电构造及等离子处理设备，可以使得等离子的面内分布平均化。为达成前述目的，本发明提供一种供电构造，其具备第1连接构件群以及第1端子区域。第1连接构件群，由沿着聚焦环之周向配置的复数个连接构件所构成，以对配置于等离子处理设备用之处理容器内的聚焦环给予偏压电位。第1端子区域，呈环圈状，且电性连接至复数个连接构件。

7. 发明专利

TW202004906A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW202004906A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108117292
申请日：2019-05-20
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：內田陽平 , UCHIDA, YOHEI , 水野雄介 , MIZUNO, YUSUKE
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：本發明之課題在於抑制隨著邊緣環之消耗而形成於被處理體上之洞之斜率之變動。本發明之電漿處理裝置具備處理室、載置台、邊緣環、遮蔽構件及變更部。處理室對被處理體進行電漿處理。載置台設置於處理室之內部，具有載置被處理體之載置面。邊緣環以包圍載置於載置面之被處理體之方式設置於載置台之周圍。遮蔽構件能夠遮蔽邊緣環之表面之一部分以避免產生於處理室內之電漿。變更部藉由使遮蔽構件相對於邊緣環移動而變更暴露於電漿中之邊緣環之面積。
简体摘要：本发明之课题在于抑制随着边缘环之消耗而形成于被处理体上之洞之斜率之变动。本发明之等离子处理设备具备处理室、载置台、边缘环、屏蔽构件及变更部。处理室对被处理体进行等离子处理。载置台设置于处理室之内部，具有载置被处理体之载置面。边缘环以包围载置于载置面之被处理体之方式设置于载置台之周围。屏蔽构件能够屏蔽边缘环之表面之一部分以避免产生于处理室内之等离子。变更部借由使屏蔽构件相对于边缘环移动而变更暴露于等离子中之边缘环之面积。

8. 发明专利

TWI492295B 混合氣體之供給方法及混合氣體之供給裝置有权
简体标题：混合气体之供给方法及混合气体之供给设备
公开(公告)号：TWI492295B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW098144120
申请日：2009-12-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：內田陽平 , UCHIDA, YOHEI , 山本高弘 , YAMAMOTO, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： G05D11/132 , Y10T137/0363 , Y10T137/8122 , Y10T137/87684

9. 发明专利

TW201434104A 載置台構造及保持聚焦環之方法审中-公开
简体标题：载置台构造及保持聚焦环之方法
公开(公告)号：TW201434104A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102142910
申请日：2013-11-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：內田陽平 , UCHIDA, YOHEI
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32642 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01L21/6831
摘要：一種實施形態的載置台構造中係在聚焦環與載置台的基部之間介設有導熱性薄板。該載置台構造之按壓構件係具有將聚焦環朝向基部來按壓之按壓面與朝向下方而在周圍方向中以既定間隔所設置之複數接面。又，與基部連結之支撐部係具有複數第1被接面及複數第2被接面。複數第1被接面係在周圍方向中以既定之間隔所設置。複數第2被接面係與複數第1被接面在周圍方向中以既定之間隔交互地設置。複數第1被接面與複數第2被接面係設置於高度方向中之相異位置。複數接面係以較複數第1被接面與複數第2被接面之前述高度方向中的距離要大之距離，從按壓構件的其他部分突出。
简体摘要：一种实施形态的载置台构造中系在聚焦环与载置台的基部之间介设有导热性薄板。该载置台构造之按压构件系具有将聚焦环朝向基部来按压之按压面与朝向下方而在周围方向中以既定间隔所设置之复数接面。又，与基部链接之支撑部系具有复数第1被接面及复数第2被接面。复数第1被接面系在周围方向中以既定之间隔所设置。复数第2被接面系与复数第1被接面在周围方向中以既定之间隔交互地设置。复数第1被接面与复数第2被接面系设置于高度方向中之相异位置。复数接面系以较复数第1被接面与复数第2被接面之前述高度方向中的距离要大之距离，从按压构件的其他部分突出。

10. 发明专利

TW201408812A 氣體供給裝置及基板處理裝置审中-公开
简体标题：气体供给设备及基板处理设备
公开(公告)号：TW201408812A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102116612
申请日：2013-05-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：內田陽平 , UCHIDA, YOHEI
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , H01J37/32091 , H01J37/3244
摘要：提供一種在處理空間中可更均勻地將電漿加以分布之氣體供給裝置。從處理氣體供給源或附加氣體供給源將將處理氣體或附加氣體朝處理空間供給的噴淋頭(氣體供給裝置)係具備有複數之氣體分配板、冷卻板、蓋板，將氣體分配板、冷卻板及蓋板加以層積，於最下層之氣體分配板形成有周緣氣體擴散室及最外氣體擴散室，氣體分配板各自形成有從處理氣體供給源或附加氣體供給源將處理氣體或附加氣體朝周緣氣體擴散室及最外氣體擴散室之任一者供給之1個氣體供給道，例如，氣體分配板之氣體供給道係分歧成複數分歧道，而處理氣體供給源至各分歧道前端的距離乃為相同。
简体摘要：提供一种在处理空间中可更均匀地将等离子加以分布之气体供给设备。从处理气体供给源或附加气体供给源将将处理气体或附加气体朝处理空间供给的喷淋头(气体供给设备)系具备有复数之气体分配板、冷却板、盖板，将气体分配板、冷却板及盖板加以层积，于最下层之气体分配板形成有周缘气体扩散室及最外气体扩散室，气体分配板各自形成有从处理气体供给源或附加气体供给源将处理气体或附加气体朝周缘气体扩散室及最外气体扩散室之任一者供给之1个气体供给道，例如，气体分配板之气体供给道系分歧成复数分歧道，而处理气体供给源至各分歧道前端的距离乃为相同。

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