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    • 5. 发明专利
    • 研磨裝置
    • 研磨设备
    • TW201713461A
    • 2017-04-16
    • TW105125238
    • 2016-08-09
    • 信越半導體股份有限公司SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.不二越機械工業股份有限公司FUJIKOSHI MACHINERY CORP.
    • 佐藤三千登SATO, MICHITO上野淳一UENO, JUNICHI石井薰ISHII, KAORU金井洋介KANAI, YOSUKE中西勇矢NAKANISHI, YUYA
    • B24B57/00B24B57/02H01L21/304
    • B24B37/00B24B37/12B24B57/02H01L21/304Y02P70/177
    • 本發明的研磨裝置,具備:平台,其貼附有研磨布;研磨頭,其用以保持晶圓;槽體,其用以儲藏研磨劑;研磨劑供給機構,其將儲藏在槽體內的研磨劑供給至研磨布;廢液承接器,其回收自平台上流下的研磨劑;及,循環機構,其被連接至廢液承接器,將利用廢液承接器所回收的研磨劑供給至槽體內;並且,利用研磨劑供給機構來將研磨劑自槽體內供給至研磨布,並利用廢液承接器來回收自平台上流下的已使用後的研磨劑,且將已回收後的研磨劑供給至槽體內,藉此一邊使研磨劑循環一邊使利用研磨頭所保持的晶圓的表面與研磨布作滑動接觸來進行研磨;其中,該研磨裝置的特徵在於:廢液承接器被固定在平台上。藉此,提供一種研磨裝置,當回收再利用的研磨劑時,其可以抑制與其他溶液的混合而抑制回收效率的惡化,且維修也容易。
    • 本发明的研磨设备,具备:平台,其贴附有研磨布;研磨头,其用以保持晶圆;槽体,其用以储藏研磨剂;研磨剂供给机构,其将储藏在槽体内的研磨剂供给至研磨布;废液承接器,其回收自平台上流下的研磨剂;及,循环机构,其被连接至废液承接器,将利用废液承接器所回收的研磨剂供给至槽体内;并且,利用研磨剂供给机构来将研磨剂自槽体内供给至研磨布,并利用废液承接器来回收自平台上流下的已使用后的研磨剂,且将已回收后的研磨剂供给至槽体内,借此一边使研磨剂循环一边使利用研磨头所保持的晶圆的表面与研磨布作滑动接触来进行研磨;其中,该研磨设备的特征在于:废液承接器被固定在平台上。借此,提供一种研磨设备,当回收再利用的研磨剂时,其可以抑制与其他溶液的混合而抑制回收效率的恶化,且维修也容易。
    • 8. 发明专利
    • 晶圓的硏磨方法
    • 晶圆的研磨方法
    • TW201517144A
    • 2015-05-01
    • TW103116862
    • 2014-05-13
    • 信越半導體股份有限公司SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
    • 佐藤三千登SATO, MICHITO上野淳一UENO, JUNICHI石井薰ISHII, KAORU
    • H01L21/304B24B37/00
    • H01L21/02024H01L21/02052
    • 本發明提供一種晶圓的研磨方法,是索引式的研磨方法,其使用複數個用以保持晶圓之研磨頭、及複數個貼有用以研磨晶圓的研磨布之磨盤,藉由使研磨頭旋轉動,一邊切換磨盤,一邊從研磨劑供給機構將研磨劑供給到各個磨盤上,且一邊同時研磨複數個晶圓,磨盤是用於研磨以研磨頭保持之晶圓,其中:將每次切換磨盤時,從晶圓的研磨中斷後到再度開始研磨為止的時間設為30秒以內,且將從晶圓的研磨結束後到把晶圓由研磨頭剝離的動作開始為止的時間設為30秒以內,在晶圓的研磨中斷後及研磨結束後,一邊使研磨頭旋轉,一邊從噴嘴噴射純水或親水劑來去除附著於晶圓的研磨面上的研磨劑的泡沫。藉此,提供一種晶圓的研磨方法,該晶圓的研磨方法能夠有效防止索引式的研磨裝置特有的霧狀不均或蝕刻不均,而這種特有的霧狀不均或蝕刻不均是在研磨步驟中途、及從研磨結束後到剝離動作開始為止時產生的。
    • 本发明提供一种晶圆的研磨方法,是索引式的研磨方法,其使用复数个用以保持晶圆之研磨头、及复数个贴有用以研磨晶圆的研磨布之磨盘,借由使研磨头旋转动,一边切换磨盘,一边从研磨剂供给机构将研磨剂供给到各个磨盘上,且一边同时研磨复数个晶圆,磨盘是用于研磨以研磨头保持之晶圆,其中:将每次切换磨盘时,从晶圆的研磨中断后到再度开始研磨为止的时间设为30秒以内,且将从晶圆的研磨结束后到把晶圆由研磨头剥离的动作开始为止的时间设为30秒以内,在晶圆的研磨中断后及研磨结束后,一边使研磨头旋转,一边从喷嘴喷射纯水或亲水剂来去除附着于晶圆的研磨面上的研磨剂的泡沫。借此,提供一种晶圆的研磨方法,该晶圆的研磨方法能够有效防止索引式的研磨设备特有的雾状不均或蚀刻不均,而这种特有的雾状不均或蚀刻不均是在研磨步骤中途、及从研磨结束后到剥离动作开始为止时产生的。
    • 9. 发明专利
    • 晶圓之兩面研磨方法
    • 晶圆之两面研磨方法
    • TW200707571A
    • 2007-02-16
    • TW095125111
    • 2006-07-10
    • 信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
    • 上野淳一小林修一
    • H01L
    • B24B37/08H01L21/02024
    • 一種晶圓之兩面研磨方法,係以貼付研磨布之一上定盤與一下定盤包夾保持於載具之一晶圓,從位於該上定盤之複數個研磨劑供給孔供給研磨劑至該上定盤與該下定盤間,同時研磨該晶圓之兩面,研磨該晶圓之兩面時,相對於該上定盤迴轉中心之外側的研磨劑供給孔供給之研磨劑量,大於內側的研磨劑供給孔供給之研磨劑量,以調整該晶圓外緣部的研磨量,抑制晶圓的外緣缺陷。藉此,進行晶圓之兩面研磨加工時,抑制晶圓的外緣缺陷的發生。
    • 一种晶圆之两面研磨方法,系以贴付研磨布之一上定盘与一下定盘包夹保持于载具之一晶圆,从位于该上定盘之复数个研磨剂供给孔供给研磨剂至该上定盘与该下定盘间,同时研磨该晶圆之两面,研磨该晶圆之两面时,相对于该上定盘回转中心之外侧的研磨剂供给孔供给之研磨剂量,大于内侧的研磨剂供给孔供给之研磨剂量,以调整该晶圆外缘部的研磨量,抑制晶圆的外缘缺陷。借此,进行晶圆之两面研磨加工时,抑制晶圆的外缘缺陷的发生。