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1. 发明专利

TW201834050A 晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201834050A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107105867
申请日：2018-02-22
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：北川幸司 , KITAGAWA, KOJI , 佐藤三千登 , SATO, MICHITO
IPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明提供一種晶圓的製造方法，係藉由將半導體單晶棒切斷而製造晶圓的方法，其中在使用線鋸將該半導體單晶棒予以切片而得到晶圓狀的工件之後，藉由使用雷射將該晶圓狀的工件予以於厚度方向分割，而自個別的該晶圓狀的工件得到複數個晶圓。藉此提供在將矽晶棒或化合物半導體晶棒等的半導體單晶棒與以切斷成晶圓狀的方法中，不會使生產性大幅度低下，能降低鋸口加工量的晶圓的製造方法。
简体摘要：本发明提供一种晶圆的制造方法，系借由将半导体单晶棒切断而制造晶圆的方法，其中在使用线锯将该半导体单晶棒予以切片而得到晶圆状的工件之后，借由使用激光将该晶圆状的工件予以于厚度方向分割，而自个别的该晶圆状的工件得到复数个晶圆。借此提供在将硅晶棒或化合物半导体晶棒等的半导体单晶棒与以切断成晶圆状的方法中，不会使生产性大幅度低下，能降低锯口加工量的晶圆的制造方法。

2. 发明专利

TW201636156A 研磨裝置审中-公开
简体标题：研磨设备
公开(公告)号：TW201636156A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105106425
申请日：2016-03-03
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：上野淳一 , UENO, JUNICHI , 佐藤三千登 , SATO, MICHITO , 石井薰 , ISHII, KAORU
IPC分类号： B24B55/06 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/04 , B24B55/06 , H01L21/304 , H01L21/677
摘要：本發明提供一種研磨裝置，包含研磨頭及研磨布，研磨頭在支承晶圓的同時將晶圓送至下方，研磨布接觸被研磨頭送至下方的晶圓的表面而研磨晶圓的表面，其中研磨裝置進一步包含洗淨部及位置控制部，洗淨部接觸被研磨頭送至下方的晶圓的表面而洗淨晶圓的表面，位置控制部於晶圓進行研磨時，藉由使研磨頭、研磨布或是兩者移動，以使研磨頭位於研磨布的上方，以及於晶圓研磨後，使研磨頭、洗淨部或是兩者移動，以使研磨頭位於洗淨部的上方。藉此，不但能夠抑制晶圓的表面的平滑性的惡化及生產力的惡化，並能夠使晶圓的表面的洗淨效果提升。
简体摘要：本发明提供一种研磨设备，包含研磨头及研磨布，研磨头在支承晶圆的同时将晶圆送至下方，研磨布接触被研磨头送至下方的晶圆的表面而研磨晶圆的表面，其中研磨设备进一步包含洗净部及位置控制部，洗净部接触被研磨头送至下方的晶圆的表面而洗净晶圆的表面，位置控制部于晶圆进行研磨时，借由使研磨头、研磨布或是两者移动，以使研磨头位于研磨布的上方，以及于晶圆研磨后，使研磨头、洗净部或是两者移动，以使研磨头位于洗净部的上方。借此，不但能够抑制晶圆的表面的平滑性的恶化及生产力的恶化，并能够使晶圆的表面的洗净效果提升。

3. 发明专利

TW201627103A 硏磨裝置审中-公开
简体标题：研磨设备
公开(公告)号：TW201627103A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104134404
申请日：2015-10-20
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. , 不二越機械工業股份有限公司 , FUJIKOSHI MACHINERY CORP.
发明人：上野淳一 , UENO, JUNICHI , 佐藤三千登 , SATO, MICHITO , 石井薰 , ISHII, KAORU , 岸田敬實 , KISHIDA, HIROMI , 金井洋介 , KANAI, YOSUKE , 中西勇矢 , NAKANISHI, YUYA
IPC分类号： B24B37/34 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/0053 , B24B37/10 , B24B37/34 , B24B49/12 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種研磨裝置，其具備：複數個研磨頭，其用以保持晶圓；可旋轉的平台，其貼附有用以研磨前述晶圓之研磨布；平台驅動機構，其使該平台旋轉；及，複數個晶圓檢測感測器，其在研磨中檢測前述晶圓從前述研磨頭露出的情況；該研磨裝置的特徵在於：前述晶圓檢測感測器，關於各個前述研磨頭，被設置在前述平台的旋轉方向的下游側且在前述研磨頭的外周部的周邊的上方。藉此，提供一種研磨裝置，能夠在研磨中更早(更快)檢測前述晶圓從前述研磨頭露出的情況，以防止晶圓的破損。
简体摘要：本发明提供一种研磨设备，其具备：复数个研磨头，其用以保持晶圆；可旋转的平台，其贴附有用以研磨前述晶圆之研磨布；平台驱动机构，其使该平台旋转；及，复数个晶圆检测传感器，其在研磨中检测前述晶圆从前述研磨头露出的情况；该研磨设备的特征在于：前述晶圆检测传感器，关于各个前述研磨头，被设置在前述平台的旋转方向的下游侧且在前述研磨头的外周部的周边的上方。借此，提供一种研磨设备，能够在研磨中更早(更快)检测前述晶圆从前述研磨头露出的情况，以防止晶圆的破损。

4. 发明专利

TW201505761A 模板組件及模板組件的製造方法审中-公开
简体标题：模板组件及模板组件的制造方法
公开(公告)号：TW201505761A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103108183
申请日：2014-03-10
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：佐藤三千登 , SATO, MICHITO
IPC分类号： B24B37/34 , H01L21/304
CPC分类号： B24B31/12 , B24B37/30
摘要：本發明是一種模板組件，在研磨工件時用以保持該工件，該模板組件的特徵在於：具有PET(聚對苯二甲酸乙二酯)基材；環狀的模板部，其被黏結在該PET基材的底面的外周部；及，圓盤狀的襯墊，其被黏結在前述PET基材的底面的中央部；並且，在前述模板部的內面與前述襯墊的底面，形成有在研磨時收容並保持前述工件之凹部，且在前述模板部的內面上部形成有環狀的缺口部，在該缺口部卡合有前述襯墊的周緣部。藉此，能夠一邊抑制工件的刮痕或缺陷等的發生，一邊減低凹部的深度的面內偏差來能夠提升研磨後的工件的平坦度。
简体摘要：本发明是一种模板组件，在研磨工件时用以保持该工件，该模板组件的特征在于：具有PET(聚对苯二甲酸乙二酯)基材；环状的模板部，其被黏结在该PET基材的底面的外周部；及，圆盘状的衬垫，其被黏结在前述PET基材的底面的中央部；并且，在前述模板部的内面与前述衬垫的底面，形成有在研磨时收容并保持前述工件之凹部，且在前述模板部的内面上部形成有环状的缺口部，在该缺口部卡合有前述衬垫的周缘部。借此，能够一边抑制工件的刮痕或缺陷等的发生，一边减低凹部的深度的面内偏差来能够提升研磨后的工件的平坦度。

5. 发明专利

TWI700146B 研磨方法有权
公开(公告)号：TWI700146B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105139687
申请日：2016-12-01
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：大關正彬 , OSEKI, MASAAKI , 佐藤三千登 , SATO, MICHITO , 石井薰 , ISHII, KAORU
IPC分类号： B24B37/015 , B24B49/14 , H01L21/304

6. 发明专利

TWI633972B 硏磨裝置有权
简体标题：研磨设备
公开(公告)号：TWI633972B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW104134404
申请日：2015-10-20
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. , 日商不二越機械工業股份有限公司 , FUJIKOSHI MACHINERY CORP.
发明人：上野淳一 , UENO, JUNICHI , 佐藤三千登 , SATO, MICHITO , 石井薰 , ISHII, KAORU , 岸田敬實 , KISHIDA, HIROMI , 金井洋介 , KANAI, YOSUKE , 中西勇矢 , NAKANISHI, YUYA
IPC分类号： B24B37/34 , B24B49/12 , H01L21/304

7. 发明专利

TWI577501B 模板組件及模板組件的製造方法有权
简体标题：模板组件及模板组件的制造方法
公开(公告)号：TWI577501B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW103108183
申请日：2014-03-10
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：佐藤三千登 , SATO, MICHITO
IPC分类号： B24B37/34 , H01L21/304
CPC分类号： B24B31/12 , B24B37/30

8. 发明专利

TW201637775A 研磨頭的製造方法、研磨頭以及研磨裝置审中-公开
简体标题：研磨头的制造方法、研磨头以及研磨设备
公开(公告)号：TW201637775A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105106852
申请日：2016-03-07
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：大關正彬 , OSEKI, MASAAKI , 佐藤三千登 , SATO, MICHITO
IPC分类号： B24B37/20 , B24B41/047 , B24D3/34
CPC分类号： B24B37/26 , B24B37/24 , B24B37/30 , B24B41/06 , B24D18/0045
摘要：本發明的研磨頭的製造方法，包含下列步驟：於中板的下端面形成自非壓縮性流體的注入口延伸至中板的外周部的溝槽與自空氣的排出口延伸至中板的外周部的溝槽；在剛性環的下端面貼附彈性膜並且將剛性環的上端面與中板的下端面結合後將空間部內減壓；在減壓步驟後，自注入口注入非壓縮性流體至空間部的同時，自排出口排出空間部內的空氣，藉由封閉注入口與排出口將非壓縮性流體封裝於空間部。藉此在製造於空間部封裝非壓縮性流體的研磨頭的情況下，作業性佳，易於控制非壓縮性流體量，並且能降低殘留在空間部的空氣量。
简体摘要：本发明的研磨头的制造方法，包含下列步骤：于中板的下端面形成自非压缩性流体的注入口延伸至中板的外周部的沟槽与自空气的排出口延伸至中板的外周部的沟槽；在刚性环的下端面贴附弹性膜并且将刚性环的上端面与中板的下端面结合后将空间部内减压；在减压步骤后，自注入口注入非压缩性流体至空间部的同时，自排出口排出空间部内的空气，借由封闭注入口与排出口将非压缩性流体封装于空间部。借此在制造于空间部封装非压缩性流体的研磨头的情况下，作业性佳，易于控制非压缩性流体量，并且能降低残留在空间部的空气量。

9. 发明专利

TW201517144A 晶圓的硏磨方法审中-公开
简体标题：晶圆的研磨方法
公开(公告)号：TW201517144A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103116862
申请日：2014-05-13
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：佐藤三千登 , SATO, MICHITO , 上野淳一 , UENO, JUNICHI , 石井薰 , ISHII, KAORU
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： H01L21/02024 , H01L21/02052
摘要：本發明提供一種晶圓的研磨方法，是索引式的研磨方法，其使用複數個用以保持晶圓之研磨頭、及複數個貼有用以研磨晶圓的研磨布之磨盤，藉由使研磨頭旋轉動，一邊切換磨盤，一邊從研磨劑供給機構將研磨劑供給到各個磨盤上，且一邊同時研磨複數個晶圓，磨盤是用於研磨以研磨頭保持之晶圓，其中：將每次切換磨盤時，從晶圓的研磨中斷後到再度開始研磨為止的時間設為30秒以內，且將從晶圓的研磨結束後到把晶圓由研磨頭剝離的動作開始為止的時間設為30秒以內，在晶圓的研磨中斷後及研磨結束後，一邊使研磨頭旋轉，一邊從噴嘴噴射純水或親水劑來去除附著於晶圓的研磨面上的研磨劑的泡沫。藉此，提供一種晶圓的研磨方法，該晶圓的研磨方法能夠有效防止索引式的研磨裝置特有的霧狀不均或蝕刻不均，而這種特有的霧狀不均或蝕刻不均是在研磨步驟中途、及從研磨結束後到剝離動作開始為止時產生的。
简体摘要：本发明提供一种晶圆的研磨方法，是索引式的研磨方法，其使用复数个用以保持晶圆之研磨头、及复数个贴有用以研磨晶圆的研磨布之磨盘，借由使研磨头旋转动，一边切换磨盘，一边从研磨剂供给机构将研磨剂供给到各个磨盘上，且一边同时研磨复数个晶圆，磨盘是用于研磨以研磨头保持之晶圆，其中：将每次切换磨盘时，从晶圆的研磨中断后到再度开始研磨为止的时间设为30秒以内，且将从晶圆的研磨结束后到把晶圆由研磨头剥离的动作开始为止的时间设为30秒以内，在晶圆的研磨中断后及研磨结束后，一边使研磨头旋转，一边从喷嘴喷射纯水或亲水剂来去除附着于晶圆的研磨面上的研磨剂的泡沫。借此，提供一种晶圆的研磨方法，该晶圆的研磨方法能够有效防止索引式的研磨设备特有的雾状不均或蚀刻不均，而这种特有的雾状不均或蚀刻不均是在研磨步骤中途、及从研磨结束后到剥离动作开始为止时产生的。

10. 发明专利

TW202027187A 晶圓平整度的評價方法及評價裝置审中-公开
简体标题：晶圆平整度的评价方法及评价设备
公开(公告)号：TW202027187A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108143891
申请日：2019-12-02
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：上野淳一 , UENO, JUNICHI , 佐藤三千登 , SATO, MICHITO
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/027
摘要：本發明係一種晶圓平整度的評價方法，其包含有下列步驟：將欲評價其平整度之評價對象的晶圓之表面劃分成複數資料柵格；測定該資料柵格內之晶圓形狀；依據該測定結果，算出該晶圓的平整度；在測定該資料柵格內之晶圓形狀的步驟，在該晶圓之中央區域中，在該中央區域所含之該資料柵格中的一部分之該資料柵格進行測定，並且在一部分之該資料柵格不進行測定，在該中央區域之外側的外周區域，使進行測定之資料柵格的密度高於在該中央區域進行測定之密度。藉此，提供可進行高精度之平整度測定，並且抑制測定處理量降低的晶圓平整度的評價方法。
简体摘要：本发明系一种晶圆平整度的评价方法，其包含有下列步骤：将欲评价其平整度之评价对象的晶圆之表面划分成复数数据栅格；测定该数据栅格内之晶圆形状；依据该测定结果，算出该晶圆的平整度；在测定该数据栅格内之晶圆形状的步骤，在该晶圆之中央区域中，在该中央区域所含之该数据栅格中的一部分之该数据栅格进行测定，并且在一部分之该数据栅格不进行测定，在该中央区域之外侧的外周区域，使进行测定之数据栅格的密度高于在该中央区域进行测定之密度。借此，提供可进行高精度之平整度测定，并且抑制测定处理量降低的晶圆平整度的评价方法。

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