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1. 发明专利

TW201733736A 在化學機械拋光期間具有冷凝氣體的原位溫度控制审中-公开
简体标题：在化学机械抛光期间具有冷凝气体的原位温度控制
公开(公告)号：TW201733736A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106102307
申请日：2017-01-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：布朗布萊恩J , BROWN, BRIAN J.
IPC分类号： B24B37/015
CPC分类号： B24B37/015 , B24B37/34 , B24B49/14 , B24B55/02 , B24C1/003
摘要：本發明的實施普遍涉及在基板上及在形成於基板上的層上的表面之平面化，包含在拋光期間用於原位溫度控制的設備，及使用它們的方法。更具體來說，本發明的實施涉及在化學機械拋光(CMP)處理期間具有冷凝氣體的原位溫度控制。在一個實施中，方法包含在拋光處理期間在拋光液的存在下將對著拋光表面的一或更多個基板進行拋光，以移除形成於該一或更多個基板上的材料之一部分。監控在拋光處理期間的拋光表面的溫度。回應於所監控的溫度，來將二氧化碳雪輸送到拋光表面，以在拋光處理期間將拋光表面的溫度維持在目標值。
简体摘要：本发明的实施普遍涉及在基板上及在形成于基板上的层上的表面之平面化，包含在抛光期间用于原位温度控制的设备，及使用它们的方法。更具体来说，本发明的实施涉及在化学机械抛光(CMP)处理期间具有冷凝气体的原位温度控制。在一个实施中，方法包含在抛光处理期间在抛光液的存在下将对着抛光表面的一或更多个基板进行抛光，以移除形成于该一或更多个基板上的材料之一部分。监控在抛光处理期间的抛光表面的温度。回应于所监控的温度，来将二氧化碳雪输送到抛光表面，以在抛光处理期间将抛光表面的温度维持在目标值。

2. 发明专利

TWI579104B 改良的研磨頭定位環的方法及設備有权
简体标题：改良的研磨头定位环的方法及设备
公开(公告)号：TWI579104B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW102102500
申请日：2013-01-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳宏志 , CHEN, HUNG CHIH , 古魯薩米傑 , GURUSAMY, JAY , 丹達維特果譚S , DANDAVATE, GAUTAM S. , 徐主強 , HSU, SAMUEL CHU-CHIANG
IPC分类号： B24B37/04
CPC分类号： B24B37/32 , B24B37/34

3. 发明专利

TWI566883B 基板研磨裝置、基板研磨方法及用於研磨裝置之研磨墊之研磨表面調溫裝置有权
简体标题：基板研磨设备、基板研磨方法及用于研磨设备之研磨垫之研磨表面调温设备
公开(公告)号：TWI566883B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW099145434
申请日：2010-12-23
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：曾根忠一 , SONE, TADAKAZU , 本島靖之 , MOTOSHIMA, YASUYUKI , 丸山徹 , MARUYAMA, TORU , 大野勝俊 , ONO, KATSUTOSHI , 鹽川陽一 , SHIOKAWA, YOICHI
IPC分类号： B24B37/015 , B24B49/14
CPC分类号： B24B37/015 , B24B37/042 , B24B37/10 , B24B37/34 , B24B55/02

4. 发明专利

TW201638504A 多流路型旋轉接頭审中-公开
简体标题：多流路型旋转接头
公开(公告)号：TW201638504A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105105422
申请日：2016-02-24
申请人：日本皮拉工業股份有限公司 , NIPPON PILLAR PACKING CO., LTD.
发明人：坂倉博之 , SAKAKURA, HIROYUKI , 谷口恵実 , TANIGUCHI, MEGUMI , 大賀光治 , OHGA, MITSUHARU
IPC分类号： F16J15/34 , F16J15/40
CPC分类号： F16L27/08 , B24B37/00 , B24B37/34 , F16J15/34 , F16J15/3484 , F16L39/04
摘要：本發明之多流路型旋轉接頭係，於可相對自由旋轉地連結之罩體(1)與旋轉軸體(2)之對向周面間配設有4個以上之機械軸封(3)，該等機械軸封(3)係藉由設於罩體(1)之靜止密封環(32)與設於旋轉軸體(2)之旋轉密封環(31)的對向端面(31a、32a)之相對旋轉滑接作用而進行密封，從而形成藉由鄰接之機械軸封(3、3)密封之通路連接空間(4)，且形成經由各通路連接空間(4)而連通於兩體(1、2)之流體通路(7、8)，將鄰接之機械軸封(3、3)之旋轉密封環(31、31)兼用作1個旋轉密封環(31A)；該多流路型旋轉接頭中，於兼用之旋轉密封環(31A)之兩端面(31a、31a)形成有由導熱係數及硬度均大於該旋轉密封環(31A)之構成材料之材料構成的塗布層(10a、10a)。
简体摘要：本发明之多流路型旋转接头系，于可相对自由旋转地链接之罩体(1)与旋转轴体(2)之对向周面间配设有4个以上之机械轴封(3)，该等机械轴封(3)系借由设于罩体(1)之静止密封环(32)与设于旋转轴体(2)之旋转密封环(31)的对向端面(31a、32a)之相对旋转滑接作用而进行密封，从而形成借由邻接之机械轴封(3、3)密封之通路连接空间(4)，且形成经由各通路连接空间(4)而连通于两体(1、2)之流体通路(7、8)，将邻接之机械轴封(3、3)之旋转密封环(31、31)兼用作1个旋转密封环(31A)；该多流路型旋转接头中，于兼用之旋转密封环(31A)之两端面(31a、31a)形成有由导热系数及硬度均大于该旋转密封环(31A)之构成材料之材料构成的涂布层(10a、10a)。

5. 发明专利

TW201629467A 化學機械拋光墊、拋光層分析器及方法审中-公开
简体标题：化学机械抛光垫、抛光层分析器及方法
公开(公告)号：TW201629467A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104140851
申请日：2015-12-04
申请人：陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC , 羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：亞科拉法蘭西斯 V , ACHOLLA, FRANCIS V. , 汪克安德魯 , WANK, ANDREW , 蓋茲馬克 , GAZZE, MARK , 張淵琮 , CHANG, SCOTT , 蔡汶諺 , TSAI, JEFF , 海斯成威廉 A , HEESCHEN, WILLIAM A. , 泰特詹姆士大衛 , TATE, JAMES DAVID , 蔣浩天 , CHIANG, LEO H. , 曾瑞婷 , CHIN, SWEE-TENG
IPC分类号： G01N21/27 , G01N21/88
CPC分类号： B24B37/11 , B24B37/22 , B24B37/24 , B24B37/34 , B24D99/00 , G01N21/94
摘要：提供一種化學機械拋光墊、拋光層分析器，其中所述分析器經配置以偵測聚合薄片的宏觀不均勻性且將所述聚合薄片分類成可接受或待檢。
简体摘要：提供一种化学机械抛光垫、抛光层分析器，其中所述分析器经配置以侦测聚合薄片的宏观不均匀性且将所述聚合薄片分类成可接受或待检。

6. 发明专利

TW201544250A 研磨方法及研磨裝置审中-公开
简体标题：研磨方法及研磨设备
公开(公告)号：TW201544250A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104112177
申请日：2015-04-16
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI , 八木圭太 , YAGI, KEITA , 木下将毅 , KINOSHITA, MASAKI , 塩川陽一 , SHIOKAWA, YOICHI
IPC分类号： B24B49/12
CPC分类号： B24B49/05 , B24B37/013 , B24B37/105 , B24B37/32 , B24B37/34 , B24B49/02 , B24B49/03 , B24B49/12 , H01L21/67 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要：本發明係關於一種依據來自晶圓等基板之反射光所含的光學資訊測定膜厚，而且研磨該基板之研磨方法及研磨裝置者。研磨方法準備分別包含對應於不同膜厚之複數個參考光譜的複數個光譜群，在基板上照射光，而且接收來自該基板之反射光，從反射光生成抽樣光譜，選擇抽樣光譜中包含形狀最接近之參考光譜的光譜群，來研磨基板而且生成測定光譜，並從選出之光譜群選擇基板研磨中所生成之測定光譜中形狀最接近的參考光譜，而取得對應於選出之參考光譜的膜厚。
简体摘要：本发明系关于一种依据来自晶圆等基板之反射光所含的光学信息测定膜厚，而且研磨该基板之研磨方法及研磨设备者。研磨方法准备分别包含对应于不同膜厚之复数个参考光谱的复数个光谱群，在基板上照射光，而且接收来自该基板之反射光，从反射光生成抽样光谱，选择抽样光谱中包含形状最接近之参考光谱的光谱群，来研磨基板而且生成测定光谱，并从选出之光谱群选择基板研磨中所生成之测定光谱中形状最接近的参考光谱，而取得对应于选出之参考光谱的膜厚。

7. 发明专利

TW201537632A 硏磨洗淨機構、基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：研磨洗净机构、基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201537632A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103138044
申请日：2014-11-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：久保明広 , KUBO, AKIHIRO , 福田昌弘 , FUKUDA, MASAHIRO , 山本太郎 , YAMAMOTO, TARO , 矢田健二 , YADA, KENZI , 榎本正志 , ENOMOTO, MASASHI , 中島昇 , NAKASHIMA, NOBORU
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027 , G03F7/30
CPC分类号： B24B37/005 , B24B25/00 , B24B27/0061 , B24B37/34 , B24B47/16 , B24D7/18 , H01L21/0209 , H01L21/30625 , H01L21/67046 , H01L21/67253
摘要：適當地進行基板背面之研磨處理和洗淨處理。一種研磨洗淨機構，係為與被保持在將晶圓(W)之背面作保持的基板保持部處之晶圓(W)的背面相接觸，並進行晶圓(W)背面之研磨處理以及洗淨處理之研磨洗淨機構，其特徵為，係具備有：研磨構件(50)，係對於晶圓(W)之背面進行研磨；和洗淨構件(51)，係對於晶圓(W)之背面進行洗淨；和支持構件(52)，係以使研磨構件(50)以及洗淨構件(51)會與被基板保持部所保持之晶圓(W)之背面相對向的方式，來支持研磨構件(50)以及洗淨構件(51)，研磨構件(50)處之與晶圓(W)相對向之面、和洗淨構件(51)處之與晶圓(W)相對向之面，此兩者之相對性的高度係為相異。
简体摘要：适当地进行基板背面之研磨处理和洗净处理。一种研磨洗净机构，系为与被保持在将晶圆(W)之背面作保持的基板保持部处之晶圆(W)的背面相接触，并进行晶圆(W)背面之研磨处理以及洗净处理之研磨洗净机构，其特征为，系具备有：研磨构件(50)，系对于晶圆(W)之背面进行研磨；和洗净构件(51)，系对于晶圆(W)之背面进行洗净；和支持构件(52)，系以使研磨构件(50)以及洗净构件(51)会与被基板保持部所保持之晶圆(W)之背面相对向的方式，来支持研磨构件(50)以及洗净构件(51)，研磨构件(50)处之与晶圆(W)相对向之面、和洗净构件(51)处之与晶圆(W)相对向之面，此两者之相对性的高度系为相异。

8. 发明专利

TW201528354A 使用磁性反應複合物的ＣＭＰ設備审中-公开
简体标题：使用磁性反应复合物的ＣＭＰ设备
公开(公告)号：TW201528354A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103129213
申请日：2014-08-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬哈珍尤戴 , MAHAJAN, UDAY , 巴札拉吉菲 , BAJAJ, RAJEEV , 瑞德格佛瑞德康萊德 , REDEKER, FRED CONRAD , 穆罕默德阿布道爾瓦哈 , MOHAMMED, ABDUL WAHAB
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3105 , H01L21/321 , B24B49/16 , B24B53/00 , B24B37/34 , B24B37/04
CPC分类号： B24B41/04 , B24B37/14 , B24B37/20 , B24B37/22 , B24B37/34 , H01F7/0273
摘要：本發明所述的實施例一般係關於用於磁性反應化學機械研磨的裝置與方法。在一個實施例中，提供一種包括具有一或多個磁場產生器的支撐件之裝置，一或多個磁場產生器在支撐件中形成。磁場產生器可以產生至少一個磁場。磁性反應複合物經定位而與磁場產生器磁性連接。當磁性反應複合物接收來自磁場產生器的磁場時，磁性反應複合物改變形狀。
简体摘要：本发明所述的实施例一般系关于用于磁性反应化学机械研磨的设备与方法。在一个实施例中，提供一种包括具有一或多个磁场产生器的支撑件之设备，一或多个磁场产生器在支撑件中形成。磁场产生器可以产生至少一个磁场。磁性反应复合物经定位而与磁场产生器磁性连接。当磁性反应复合物接收来自磁场产生器的磁场时，磁性反应复合物改变形状。

9. 发明专利

TW201436939A 研磨裝置、研磨墊貼附方法、及研磨墊佈換方法审中-公开
简体标题：研磨设备、研磨垫贴附方法、及研磨垫布换方法
公开(公告)号：TW201436939A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103103339
申请日：2014-01-29
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：小菅隆一 , KOSUGE, RYUICHI , 曽根忠一 , SONE, TADAKAZU , 磯部壮一 , ISOBE, SOICHI , 櫻井武史 , SAKURAI, TAKESHI , 平井英治 , HIRAI, EIJI , 濱浦薰 , HAMAURA, KAORU , 小倉大 , OGURA, SUGURU
IPC分类号： B24B37/14 , B24B37/11
CPC分类号： B24B37/34 , B24B37/04 , B24B45/006 , Y10T29/4973 , Y10T29/49826
摘要：【課題】輕易進行研磨墊之佈換作業，且抑制研磨台發生熱損害。【解決手段】研磨裝置100具備研磨台110，其係具有貼附用於研磨基板102之研磨墊108的貼附面110a。此外，研磨裝置100具備矽層111，其係設於研磨台110之貼附面110a上，且介於研磨台110與研磨墊108之間。藉由介有矽層111，可輕易剝離、貼附研磨墊108。此外，由於對研磨台110塗佈矽層111之熱處理係在比較低之溫度進行，因此可抑制因熱處理導致研磨台110上發生熱損害。
简体摘要：【课题】轻易进行研磨垫之布换作业，且抑制研磨台发生热损害。【解决手段】研磨设备100具备研磨台110，其系具有贴附用于研磨基板102之研磨垫108的贴附面110a。此外，研磨设备100具备硅层111，其系设于研磨台110之贴附面110a上，且介于研磨台110与研磨垫108之间。借由介有硅层111，可轻易剥离、贴附研磨垫108。此外，由于对研磨台110涂布硅层111之热处理系在比较低之温度进行，因此可抑制因热处理导致研磨台110上发生热损害。

10. 发明专利

TW201408436A 研磨機升降機構及具有該升降機構之研磨機审中-公开
简体标题：研磨机直升电梯构及具有该直升电梯构之研磨机
公开(公告)号：TW201408436A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW101132614
申请日：2012-09-06
申请人：富士康(香港)有限公司 , FIH (HONG KONG) LIMITED
发明人：鞏旭 , GONG, XU , 餘兵 , YU, BING , 金建平 , JIN, JIAN-PING
IPC分类号： B24B7/10 , B24B55/00
CPC分类号： B24B41/007 , B24B37/30 , B24B37/34
摘要：一種研磨機升降機構及具有該升降機構之研磨機，用以掛持研磨用配重塊，其包括驅動氣缸，該研磨機升降機構還包括本體、連接部及三個掛持部，該連接部連接於該本體與驅動氣缸，該三個掛持部包括轉動端、掛持鎖扣及連接轉動端與掛持鎖扣之掛持鏈條，該三個掛持部藉由該轉動端裝設於該本體上，該掛持鎖扣用於掛持配重塊。
简体摘要：一种研磨机直升电梯构及具有该直升电梯构之研磨机，用以挂持研磨用配重块，其包括驱动气缸，该研磨机直升电梯构还包括本体、连接部及三个挂持部，该连接部连接于该本体与驱动气缸，该三个挂持部包括转动端、挂持锁扣及连接转动端与挂持锁扣之挂持链条，该三个挂持部借由该转动端装设于该本体上，该挂持锁扣用于挂持配重块。

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