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    • 2. 发明专利
    • 研磨裝置
    • 研磨设备
    • TW201636156A
    • 2016-10-16
    • TW105106425
    • 2016-03-03
    • 信越半導體股份有限公司SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
    • 上野淳一UENO, JUNICHI佐藤三千登SATO, MICHITO石井薰ISHII, KAORU
    • B24B55/06H01L21/304
    • B24B37/04B24B55/06H01L21/304H01L21/677
    • 本發明提供一種研磨裝置,包含研磨頭及研磨布,研磨頭在支承晶圓的同時將晶圓送至下方,研磨布接觸被研磨頭送至下方的晶圓的表面而研磨晶圓的表面,其中研磨裝置進一步包含洗淨部及位置控制部,洗淨部接觸被研磨頭送至下方的晶圓的表面而洗淨晶圓的表面,位置控制部於晶圓進行研磨時,藉由使研磨頭、研磨布或是兩者移動,以使研磨頭位於研磨布的上方,以及於晶圓研磨後,使研磨頭、洗淨部或是兩者移動,以使研磨頭位於洗淨部的上方。藉此,不但能夠抑制晶圓的表面的平滑性的惡化及生產力的惡化,並能夠使晶圓的表面的洗淨效果提升。
    • 本发明提供一种研磨设备,包含研磨头及研磨布,研磨头在支承晶圆的同时将晶圆送至下方,研磨布接触被研磨头送至下方的晶圆的表面而研磨晶圆的表面,其中研磨设备进一步包含洗净部及位置控制部,洗净部接触被研磨头送至下方的晶圆的表面而洗净晶圆的表面,位置控制部于晶圆进行研磨时,借由使研磨头、研磨布或是两者移动,以使研磨头位于研磨布的上方,以及于晶圆研磨后,使研磨头、洗净部或是两者移动,以使研磨头位于洗净部的上方。借此,不但能够抑制晶圆的表面的平滑性的恶化及生产力的恶化,并能够使晶圆的表面的洗净效果提升。
    • 6. 发明专利
    • 晶圓的硏磨方法
    • 晶圆的研磨方法
    • TW201517144A
    • 2015-05-01
    • TW103116862
    • 2014-05-13
    • 信越半導體股份有限公司SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
    • 佐藤三千登SATO, MICHITO上野淳一UENO, JUNICHI石井薰ISHII, KAORU
    • H01L21/304B24B37/00
    • H01L21/02024H01L21/02052
    • 本發明提供一種晶圓的研磨方法,是索引式的研磨方法,其使用複數個用以保持晶圓之研磨頭、及複數個貼有用以研磨晶圓的研磨布之磨盤,藉由使研磨頭旋轉動,一邊切換磨盤,一邊從研磨劑供給機構將研磨劑供給到各個磨盤上,且一邊同時研磨複數個晶圓,磨盤是用於研磨以研磨頭保持之晶圓,其中:將每次切換磨盤時,從晶圓的研磨中斷後到再度開始研磨為止的時間設為30秒以內,且將從晶圓的研磨結束後到把晶圓由研磨頭剝離的動作開始為止的時間設為30秒以內,在晶圓的研磨中斷後及研磨結束後,一邊使研磨頭旋轉,一邊從噴嘴噴射純水或親水劑來去除附著於晶圓的研磨面上的研磨劑的泡沫。藉此,提供一種晶圓的研磨方法,該晶圓的研磨方法能夠有效防止索引式的研磨裝置特有的霧狀不均或蝕刻不均,而這種特有的霧狀不均或蝕刻不均是在研磨步驟中途、及從研磨結束後到剝離動作開始為止時產生的。
    • 本发明提供一种晶圆的研磨方法,是索引式的研磨方法,其使用复数个用以保持晶圆之研磨头、及复数个贴有用以研磨晶圆的研磨布之磨盘,借由使研磨头旋转动,一边切换磨盘,一边从研磨剂供给机构将研磨剂供给到各个磨盘上,且一边同时研磨复数个晶圆,磨盘是用于研磨以研磨头保持之晶圆,其中:将每次切换磨盘时,从晶圆的研磨中断后到再度开始研磨为止的时间设为30秒以内,且将从晶圆的研磨结束后到把晶圆由研磨头剥离的动作开始为止的时间设为30秒以内,在晶圆的研磨中断后及研磨结束后,一边使研磨头旋转,一边从喷嘴喷射纯水或亲水剂来去除附着于晶圆的研磨面上的研磨剂的泡沫。借此,提供一种晶圆的研磨方法,该晶圆的研磨方法能够有效防止索引式的研磨设备特有的雾状不均或蚀刻不均,而这种特有的雾状不均或蚀刻不均是在研磨步骤中途、及从研磨结束后到剥离动作开始为止时产生的。