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1. 发明专利

TW201804509A 具備氧化物單結晶薄膜的複合晶圓之製造方法审中-公开
简体标题：具备氧化物单结晶薄膜的复合晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW201804509A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106110875
申请日：2017-03-30
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/425
CPC分类号： B23K20/00 , B23K20/24 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/312
摘要：本發明之課題在於提供一種複合晶圓，其係在支持晶圓與氧化物單結晶薄膜之貼合界面沒有破裂或剝落，在支持晶圓上之全面上轉印有作為鉭酸鋰或鈮酸鋰的氧化物單結晶之薄膜。本發明之解決手段為一種複合晶圓之製造方法，其至少包含：在氧化物單結晶晶圓之內部形成離子注入層之步驟，及對於氧化物單結晶晶圓之經離子注入的表面與支持晶圓的表面之至少一者，施予表面活性化處理之步驟，及貼合氧化物單結晶晶圓之經離子注入的表面與支持晶圓的表面而得到接合體之步驟，及於90℃以上之不發生破裂的溫度，第1熱處理接合體之步驟，及對於前述離子注入層，給予機械衝擊之步驟，與將轉印有氧化物單結晶薄膜的支持晶圓在250℃~600℃進行第2熱處理，得到複合晶圓之步驟。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种复合晶圆，其系在支持晶圆与氧化物单结晶薄膜之贴合界面没有破裂或剥落，在支持晶圆上之全面上转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单结晶之薄膜。本发明之解决手段为一种复合晶圆之制造方法，其至少包含：在氧化物单结晶晶圆之内部形成离子注入层之步骤，及对于氧化物单结晶晶圆之经离子注入的表面与支持晶圆的表面之至少一者，施予表面活性化处理之步骤，及贴合氧化物单结晶晶圆之经离子注入的表面与支持晶圆的表面而得到接合体之步骤，及于90℃以上之不发生破裂的温度，第1热处理接合体之步骤，及对于前述离子注入层，给予机械冲击之步骤，与将转印有氧化物单结晶薄膜的支持晶圆在250℃~600℃进行第2热处理，得到复合晶圆之步骤。

2. 发明专利

TW201733228A 鈀合金管之集束接頭結構及其製造方法审中-公开
简体标题：钯合金管之集束接头结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201733228A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105107873
申请日：2016-03-15
申请人：莊建勛 , CHUANG, CHIEN HSUN , 蔡幸樺 , TSAI, HSING HUA
发明人：莊建勛 , CHUANG, CHIEN HSUN , 蔡幸樺 , TSAI, HSING HUA
IPC分类号： H01R24/86 , H01R9/05 , H01R9/22 , H01R13/03
CPC分类号： B01D53/22 , B01D53/0407 , B01D2053/223 , B01D2253/1122 , B01D2256/16 , B01D2257/102 , B23K1/008 , B23K20/008 , B23K20/16 , B23K20/24 , B23K2201/06 , B23K2201/34 , B23K2203/04 , B23K2203/08 , B23K2203/18 , B23K2203/26 , C01B3/505 , C22C5/04 , C22F1/14 , C23C14/165 , C23C14/24 , C23C14/34 , C25D5/48 , C25D7/04
摘要：本揭露是關於鈀合金管之集束接頭結構及其製造方法。上述鈀合金管之集束接頭結構包括一具有複數個孔洞之集束接頭；複數個鈀合金管插入上述複數個孔洞中；以及介金屬化合物層，位於上述複數個孔洞之內側壁及複數個鈀合金管之間。
简体摘要：本揭露是关于钯合金管之集束接头结构及其制造方法。上述钯合金管之集束接头结构包括一具有复数个孔洞之集束接头；复数个钯合金管插入上述复数个孔洞中；以及介金属化合物层，位于上述复数个孔洞之内侧壁及复数个钯合金管之间。

3. 发明专利

TWI584363B 貼合裝置及貼合基板之製造方法有权
简体标题：贴合设备及贴合基板之制造方法
公开(公告)号：TWI584363B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW103111297
申请日：2014-03-26
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：林航之介 , HAYASHI, KONOSUKE , 松島大輔 , MATSUSHIMA, DAISUKE
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B32B41/00 , B23K20/02 , B23K20/233 , B23K20/24 , B23K20/26 , B23K2201/40 , B32B37/003 , B32B37/10 , B32B37/18 , B32B2309/72 , B32B2313/00 , B32B2315/08 , B32B2457/14 , H01L21/67092

4. 发明专利

TW201637072A 接合裝置、接合系統及接合方法审中-公开
简体标题：接合设备、接合系统及接合方法
公开(公告)号：TW201637072A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105101029
申请日：2016-01-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 新加坡科技研究局 , AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：兒玉宗久 , KODAMA, MUNEHISA , 大塚慶崇 , OTSUKA, YOSHITAKA , 山口恭滿 , YAMAGUCHI, KIYOMITSU , 山崎穰 , YAMASAKI, YUTAKA , 威克拉瑪納雅卡蘇尼爾 , WICKRAMANAYAKA, SUNIL
IPC分类号： H01L21/02 , B23K20/00 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/6831 , B23K20/023 , B23K20/24 , B23K20/26 , H01L21/67092 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/681
摘要：本發明提供一種接合裝置、接合系統及接合方法，實現高精度的接合。一實施形態之接合裝置，具備第1保持部、第2保持部、腔室、拍攝部、光源、水平位置調整部及控制裝置。第1保持部，吸附保持第1基板。第2保持部，吸附保持與第1基板接合之第2基板。拍攝部，配置於腔室之外部，自腔室之外部通過形成於腔室及第1保持部的貫通孔而拍攝設置於第1基板及第2基板的對準用標記。光源，配置於腔室之外部，自腔室之外部通過形成於腔室及第2保持部的貫通孔照射光線。控制裝置，在將腔室之內部減壓的狀態下，對拍攝部實行拍攝第1基板及第2基板之對準用標記的拍攝處理，而後，依據拍攝部之拍攝結果而使水平位置調整部實行調整第1保持部之水平位置的調整處理。
简体摘要：本发明提供一种接合设备、接合系统及接合方法，实现高精度的接合。一实施形态之接合设备，具备第1保持部、第2保持部、腔室、拍摄部、光源、水平位置调整部及控制设备。第1保持部，吸附保持第1基板。第2保持部，吸附保持与第1基板接合之第2基板。拍摄部，配置于腔室之外部，自腔室之外部通过形成于腔室及第1保持部的贯通孔而拍摄设置于第1基板及第2基板的对准用标记。光源，配置于腔室之外部，自腔室之外部通过形成于腔室及第2保持部的贯通孔照射光线。控制设备，在将腔室之内部减压的状态下，对拍摄部实行拍摄第1基板及第2基板之对准用标记的拍摄处理，而后，依据拍摄部之拍摄结果而使水平位置调整部实行调整第1保持部之水平位置的调整处理。

5. 发明专利

TW201633367A 基板重合裝置及基板重合方法审中-公开
简体标题：基板重合设备及基板重合方法
公开(公告)号：TW201633367A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104141471
申请日：2015-12-10
申请人：尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人：菅谷功 , SUGAYA, ISAO , 岡本和也 , OKAMOTO, KAZUYA , 三石創 , MITSUISHI, HAJIME , 福田稔 , FUKUDA, MINORU
IPC分类号： H01L21/02 , B23K20/00 , H01L21/677
CPC分类号： H01L23/544 , B23K20/002 , B23K20/023 , B23K20/24 , B23K37/0408 , B23K2201/40 , B65H31/34 , H01L21/67092 , H01L21/67288 , H01L21/68 , H01L21/681 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , H01L24/94 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2223/54493
摘要：本發明之基板重合裝置係將一部分接觸之第一基板及第二基板的接觸區域從一部分擴大而彼此重合第一基板與第二基板，接觸區域擴大時，至少在第一基板之複數個方向產生的變形量不同，且具備抑制部，其係抑制因變形量差異造成第一基板及第二基板間之位置偏差。上述基板重合裝置中，抑制部亦可以位置偏差量低於指定值之方式抑制位置偏差。
简体摘要：本发明之基板重合设备系将一部分接触之第一基板及第二基板的接触区域从一部分扩大而彼此重合第一基板与第二基板，接触区域扩大时，至少在第一基板之复数个方向产生的变形量不同，且具备抑制部，其系抑制因变形量差异造成第一基板及第二基板间之位置偏差。上述基板重合设备中，抑制部亦可以位置偏差量低于指定值之方式抑制位置偏差。

6. 发明专利

TW201448005A 貼合裝置及貼合基板之製造方法审中-公开
简体标题：贴合设备及贴合基板之制造方法
公开(公告)号：TW201448005A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103111297
申请日：2014-03-26
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：林航之介 , HAYASHI, KONOSUKE , 松島大輔 , MATSUSHIMA, DAISUKE
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B32B41/00 , B23K20/02 , B23K20/233 , B23K20/24 , B23K20/26 , B23K2201/40 , B32B37/003 , B32B37/10 , B32B37/18 , B32B2309/72 , B32B2313/00 , B32B2315/08 , B32B2457/14 , H01L21/67092
摘要：根據本發明之實施形態，提供一種貼合裝置，其特徵為：其係貼合第1基板與第2基板者，且包含：基板保持部，其保持第2基板；壓頭，其藉由進行上升動作而加壓上述第2基板之背面；基板支持部，其具有支持爪，該支持爪支持可以與上述第2基板空開特定間隔而對向之方式保持之第1基板之周緣部；且上述壓頭加壓上述第2基板之特定一點，該特定一點對應於如下位置：上述第1基板之貼合面與上述第2基板之貼合面之距離小於自上述第1基板之貼合面之周端部至上述第2基板之貼合面之距離之位置。
简体摘要：根据本发明之实施形态，提供一种贴合设备，其特征为：其系贴合第1基板与第2基板者，且包含：基板保持部，其保持第2基板；压头，其借由进行上升动作而加压上述第2基板之背面；基板支持部，其具有支持爪，该支持爪支持可以与上述第2基板空开特定间隔而对向之方式保持之第1基板之周缘部；且上述压头加压上述第2基板之特定一点，该特定一点对应于如下位置：上述第1基板之贴合面与上述第2基板之贴合面之距离小于自上述第1基板之贴合面之周端部至上述第2基板之贴合面之距离之位置。

7. 发明专利

TW200303244A 用於半導體製程設備之耐電漿焊接鋁結構 PLASMA RESISTANT WELDED ALUMINUM STRUCTURES FOR USE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS 失效
简体标题：用于半导体制程设备之耐等离子焊接铝结构 PLASMA RESISTANT WELDED ALUMINUM STRUCTURES FOR USE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW200303244A
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW092103172
申请日：2003-02-14
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：山恩薩奇 SENH THACH , 吳孫(傑克森) SHUN JACKSON WU , 柯利佛德C 史托 CLIFFORD C. STOW , 杰妮弗Y 桑 JENNIFER Y. SUN , 林宜新 YIXING LIN
IPC分类号： B23K , B23K103 , H01L
CPC分类号： B23K20/24 , B23K20/12 , B23K20/129 , B23K20/2336 , B23K2201/40 , B23K2203/10 , Y10T428/12736
摘要：吾等已發現一種製造一具複合形狀之鋁合金物件的方法，其係利用焊接方式形成該物件，而一包括焊接點之電鍍鋁塗層係形成並披覆於該物件表面，且該電鍍鋁塗層呈平坦，可改善習知技術的缺陷而使焊接物件能暴露於腐蝕性的電漿環境下。
简体摘要：吾等已发现一种制造一具复合形状之铝合金对象的方法，其系利用焊接方式形成该对象，而一包括焊接点之电镀铝涂层系形成并披覆于该对象表面，且该电镀铝涂层呈平坦，可改善习知技术的缺陷而使焊接对象能暴露于腐蚀性的等离子环境下。

8. 发明专利

TWI615227B 超音波振動接合裝置有权
简体标题：超音波振动接合设备
公开(公告)号：TWI615227B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105103750
申请日：2016-02-04
申请人：東芝三菱電機產業系統股份有限公司 , TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION
发明人：一瀬明大 , ICHINOSE, AKIHIRO , 山田義人 , YAMADA, YOSHIHITO
IPC分类号： B23K20/10 , H01L21/607 , H05K3/32
CPC分类号： H05K3/328 , B23K20/10 , B23K20/2333 , B23K20/24 , B23K20/26 , B23K2201/42 , B23K2203/10 , B23K2203/18 , B23K2203/54 , H01L2021/607 , H05K3/103 , H05K2203/0285 , H05K2203/049 , H05K2203/0495

9. 发明专利

TWI580133B 鈀合金管之集束接頭結構及其製造方法有权
简体标题：钯合金管之集束接头结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI580133B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW105107873
申请日：2016-03-15
申请人：莊建勛 , CHUANG, CHIEN HSUN , 蔡幸樺 , TSAI, HSING HUA
发明人：莊建勛 , CHUANG, CHIEN HSUN , 蔡幸樺 , TSAI, HSING HUA
IPC分类号： H01R24/86 , H01R9/05 , H01R9/22 , H01R13/03
CPC分类号： B01D53/22 , B01D53/0407 , B01D2053/223 , B01D2253/1122 , B01D2256/16 , B01D2257/102 , B23K1/008 , B23K20/008 , B23K20/16 , B23K20/24 , B23K2201/06 , B23K2201/34 , B23K2203/04 , B23K2203/08 , B23K2203/18 , B23K2203/26 , C01B3/505 , C22C5/04 , C22F1/14 , C23C14/165 , C23C14/24 , C23C14/34 , C25D5/48 , C25D7/04

10. 发明专利

TW201707527A 印刷電路板、印刷電路板用補強構件、及印刷基板审中-公开
简体标题：印刷电路板、印刷电路板用补强构件、及印刷基板
公开(公告)号：TW201707527A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105117490
申请日：2016-06-02
申请人：拓自達電線股份有限公司 , TATSUTA ELECTRIC WIRE & CABLE CO., LTD. , 特殊金屬超越股份有限公司 , TOKUSHU KINZOKU EXCEL CO., LTD.
发明人：春名裕介 , 田島宏 , 渡辺正博 , 小林友香理 , 関口清治 , 細谷佳弘
IPC分类号： H05K1/09 , B32B15/08 , B32B15/18 , B32B15/20
CPC分类号： H05K1/0218 , B23K1/19 , B23K20/002 , B23K20/023 , B23K20/16 , B23K20/227 , B23K20/24 , B23K35/002 , B23K35/0233 , B23K2201/42 , B23K2203/05 , B23K2203/18 , B23K2203/26 , H05K1/02 , H05K1/0215 , H05K1/0281 , H05K1/09 , H05K1/189 , H05K3/321
摘要：本發明可長期以高可靠性維持接地效果及補強之功能。本發明具有：基底構件112，其具備接地用電路圖案115；及印刷電路板用補強構件135，其以導通狀態接合於接地用電路圖案115；且印刷電路板用補強構件135具備：金屬基材層135a；及鎳層135b，其藉由擴散接合而接合於至少與被接合在接地用電路圖案115之側相反之側的金屬基材層135a之表面。
简体摘要：本发明可长期以高可靠性维持接地效果及补强之功能。本发明具有：基底构件112，其具备接地用电路图案115；及印刷电路板用补强构件135，其以导通状态接合于接地用电路图案115；且印刷电路板用补强构件135具备：金属基材层135a；及镍层135b，其借由扩散接合而接合于至少与被接合在接地用电路图案115之侧相反之侧的金属基材层135a之表面。

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