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1. 发明专利

TWI696214B 離子植入方法及離子植入裝置有权
简体标题：离子植入方法及离子植入设备
公开(公告)号：TWI696214B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW106106854
申请日：2017-03-02
申请人：日商住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：川崎洋司 , KAWASAKI, YOJI , 佐野信 , SANO, MAKOTO , 原一孝 , TSUKAHARA, KAZUTAKA
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317

2. 外观设计

TWD200219S 離子注入裝置的電弧腔室有权
简体标题：离子注入设备的电弧腔室
公开(公告)号：TWD200219S
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW107305448D01
申请日：2018-09-14
申请人：日商住友重機械離子科技股份有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
设计人：石田勇二 , ISHIDA, YUUJI , 川口宏 , KAWAGUCHI, HIROSHI , 高橋裕二 , TAKAHASHI, YUUJI , 佐藤正輝 , SATO, MASATERU

3. 发明专利

TWI672735B 離子植入裝置及使用該裝置的複數片晶圓的處理方法有权
简体标题：离子植入设备及使用该设备的复数片晶圆的处理方法
公开(公告)号：TWI672735B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW105123764
申请日：2016-07-27
申请人：日商住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：工藤哲也 , KUDO, TETSUYA , 戎真志 , EBISU, SHINJI , 藤井嘉人 , FUJII, YOSHITO
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/425

4. 发明专利

TW201903808A 離子植入裝置及離子植入方法审中-公开
简体标题：离子植入设备及离子植入方法
公开(公告)号：TW201903808A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107118110
申请日：2018-05-28
申请人：日商住友重機械離子科技股份有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：松下浩 , MATSUSHITA, HIROSHI , 大北義明 , OOGITA, YOSHIAKI
IPC分类号： H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/317
摘要：本發明的課題在於應對由於使用具有比較高之能量的離子束而有可能產生之核反應。本發明的離子植入裝置(100)具備：離子源，構成為生成包含第1非放射性核種的離子之離子束；射束線，構成為支撐由包含與第1非放射性核種不同之第2非放射性核種的固體材料形成之離子束被照射體(70)；及控制裝置(50)，構成為運算藉由第1非放射性核種與第2非放射性核種的核反應而產生之放射線的推斷線量與放射性核種的推斷生成量中的至少一個。
简体摘要：本发明的课题在于应对由于使用具有比较高之能量的离子束而有可能产生之核反应。本发明的离子植入设备(100)具备：离子源，构成为生成包含第1非放射性核种的离子之离子束；射束线，构成为支撑由包含与第1非放射性核种不同之第2非放射性核种的固体材料形成之离子束被照射体(70)；及控制设备(50)，构成为运算借由第1非放射性核种与第2非放射性核种的核反应而产生之放射线的推断线量与放射性核种的推断生成量中的至少一个。

5. 发明专利

TW201841183A 離子植入裝置审中-公开
简体标题：离子植入设备
公开(公告)号：TW201841183A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107106132
申请日：2018-02-23
申请人：日商住友重機械離子科技股份有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：佐佐木玄 , SASAKI, HARUKA , 藤田勝士 , FUJITA, KATSUSHI
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/10 , H01J37/317
摘要：本發明提供一種離子植入裝置。其課題在於提高離子植入裝置中之射束能量測定的校正精度。離子植入裝置（100）具備：離子源（10），能夠輸出包含具有與引出電壓相應之已知的能量之多價離子之校正用離子束；上游射束線（102），包括質量分析磁鐵（22a）和高能量多段直線加速單元（14）；能量分析磁鐵（24）；射束能量測定裝置（200），在能量分析磁鐵（24）的下游測定校正用離子束的能量；及校正序列部，制作表示已知的能量與藉由射束能量測定裝置（200）測定出之校正用離子束的能量之間的對應關係之能量校正表。上游射束線壓力在離子植入處理期間被調整為第1壓力，在製作能量校正表之期間被調整為高於第1壓力的第2壓力。
简体摘要：本发明提供一种离子植入设备。其课题在于提高离子植入设备中之射束能量测定的校正精度。离子植入设备（100）具备：离子源（10），能够输出包含具有与引出电压相应之已知的能量之多价离子之校正用离子束；上游射束线（102），包括质量分析磁铁（22a）和高能量多段直线加速单元（14）；能量分析磁铁（24）；射束能量测定设备（200），在能量分析磁铁（24）的下游测定校正用离子束的能量；及校正串行部，制作表示已知的能量与借由射束能量测定设备（200）测定出之校正用离子束的能量之间的对应关系之能量校正表。上游射束线压力在离子植入处理期间被调整为第1压力，在制作能量校正表之期间被调整为高于第1压力的第2压力。

6. 外观设计

TWD193437S 離子注入裝置用前細縫板有权
简体标题：离子注入设备用前细缝板
公开(公告)号：TWD193437S
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW107300606
申请日：2018-01-31
申请人：日商住友重機械離子科技股份有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
设计人：石田勇二 , ISHIDA, YUUJI , 川口宏 , KAWAGUCHI, HIROSHI , 高橋裕二 , TAKAHASHI, YUUJI , 佐藤正輝 , SATO, MASATERU

7. 发明专利

TWI621149B 高能量離子植入裝置有权
简体标题：高能量离子植入设备
公开(公告)号：TWI621149B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103113408
申请日：2014-04-11
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：椛澤光昭 , KABASAWA, MITSUAKI , 渡邉一浩 , WATANABE, KAZUHIRO , 佐佐木玄 , SASAKI, HARUKA , 稲田耕二 , INADA, KOUJI , 佐野信 , SANO, MAKOTO
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01L21/26506 , H01J37/05 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01J2237/04737 , H01J2237/053 , H01J2237/057

8. 发明专利

TWI613695B 高能量離子植入裝置有权
简体标题：高能量离子植入设备
公开(公告)号：TWI613695B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW103113411
申请日：2014-04-11
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：椛澤光昭 , KABASAWA, MITSUAKI , 渡邉一浩 , WATANABE, KAZUHIRO , 佐佐木玄 , SASAKI, HARUKA , 加藤浩二 , KATO, KOUJI , 安藤一志 , ANDO, HITOSHI
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/02
CPC分类号： H01J37/3172 , A61N5/1044 , G21K1/10 , H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/3007 , H01J37/3171

9. 发明专利

TW201801155A 離子植入方法及離子植入裝置审中-公开
简体标题：离子植入方法及离子植入设备
公开(公告)号：TW201801155A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106106854
申请日：2017-03-02
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：川崎洋司 , KAWASAKI, YOJI , 佐野信 , SANO, MAKOTO , 原一孝 , TSUKAHARA, KAZUTAKA
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01L21/26586 , H01J37/3171 , H01L21/26513 , H01L22/12 , H01L22/14 , H01L29/045 , H01L29/36 , H01L29/66575
摘要：本發明提供一種用於更加準確地評價離子束的植入角度分佈之技術。離子植入方法中，向以滿足規定的面溝道效應條件的方式配置之晶圓照射離子束，測定射束照射後的晶圓表面的規定特性，並使用特性的測定結果評價離子束的植入角度分佈。晶圓可以取向成具有平行於規定的基準面之溝道效應面(98)，但不具有與基準面正交且與基準軌道方向平行之溝道效應面，前述規定的基準面與入射於晶圓之離子束的基準軌道方向平行。
简体摘要：本发明提供一种用于更加准确地评价离子束的植入角度分布之技术。离子植入方法中，向以满足规定的面沟道效应条件的方式配置之晶圆照射离子束，测定射束照射后的晶圆表面的规定特性，并使用特性的测定结果评价离子束的植入角度分布。晶圆可以取向成具有平行于规定的基准面之沟道效应面(98)，但不具有与基准面正交且与基准轨道方向平行之沟道效应面，前述规定的基准面与入射于晶圆之离子束的基准轨道方向平行。

10. 发明专利

TWI575550B 離子佈植設備及離子佈植方法有权
简体标题：离子布植设备及离子布植方法
公开(公告)号：TWI575550B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW101137286
申请日：2012-10-09
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO , 月原光国 , TSUKIHARA, MITSUKUNI , 工藤哲也 , KUDO, TETSUYA , 山田達也 , YAMADA, TATSUYA
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/26 , H01J37/3023 , H01J37/304 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01J2237/18 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701 , H01J2237/31703

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