基本信息:
- 专利标题: 高能量離子植入裝置
- 专利标题(中):高能量离子植入设备
- 申请号:TW103113408 申请日:2014-04-11
- 公开(公告)号:TWI621149B 公开(公告)日:2018-04-11
- 发明人: 椛澤光昭 , KABASAWA, MITSUAKI , 渡邉一浩 , WATANABE, KAZUHIRO , 佐佐木玄 , SASAKI, HARUKA , 稲田耕二 , INADA, KOUJI , 佐野信 , SANO, MAKOTO
- 申请人: 住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
- 专利权人: 住友重機械離子技術有限公司,SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
- 当前专利权人: 住友重機械離子技術有限公司,SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
- 代理人: 林志剛
- 优先权: 2013-111364 20130527
- 主分类号: H01J37/317
- IPC分类号: H01J37/317
公开/授权文献:
- TW201445608A 高能量離子植入裝置 公开/授权日:2014-12-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01J | 放电管或放电灯 |
------H01J37/00 | 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,如为了对其检验或加工的 |
--------H01J37/02 | .零部件 |
----------H01J37/317 | ..用于改变物体的特性或在其上加上薄层的,如离子注入 |