专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201841183A 離子植入裝置审中-公开
简体标题：离子植入设备
公开(公告)号：TW201841183A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107106132
申请日：2018-02-23
申请人：日商住友重機械離子科技股份有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：佐佐木玄 , SASAKI, HARUKA , 藤田勝士 , FUJITA, KATSUSHI
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/10 , H01J37/317
摘要：本發明提供一種離子植入裝置。其課題在於提高離子植入裝置中之射束能量測定的校正精度。離子植入裝置（100）具備：離子源（10），能夠輸出包含具有與引出電壓相應之已知的能量之多價離子之校正用離子束；上游射束線（102），包括質量分析磁鐵（22a）和高能量多段直線加速單元（14）；能量分析磁鐵（24）；射束能量測定裝置（200），在能量分析磁鐵（24）的下游測定校正用離子束的能量；及校正序列部，制作表示已知的能量與藉由射束能量測定裝置（200）測定出之校正用離子束的能量之間的對應關係之能量校正表。上游射束線壓力在離子植入處理期間被調整為第1壓力，在製作能量校正表之期間被調整為高於第1壓力的第2壓力。
简体摘要：本发明提供一种离子植入设备。其课题在于提高离子植入设备中之射束能量测定的校正精度。离子植入设备（100）具备：离子源（10），能够输出包含具有与引出电压相应之已知的能量之多价离子之校正用离子束；上游射束线（102），包括质量分析磁铁（22a）和高能量多段直线加速单元（14）；能量分析磁铁（24）；射束能量测定设备（200），在能量分析磁铁（24）的下游测定校正用离子束的能量；及校正串行部，制作表示已知的能量与借由射束能量测定设备（200）测定出之校正用离子束的能量之间的对应关系之能量校正表。上游射束线压力在离子植入处理期间被调整为第1压力，在制作能量校正表之期间被调整为高于第1压力的第2压力。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式