基本信息:

• 专利标题： 離子佈植設備及離子佈植方法
• 专利标题（英）：Ion implantation apparatus and ion implantation method
• 专利标题（中）：离子布植设备及离子布植方法
• 申请号：TW101137286 申请日：2012-10-09
• 公开(公告)号：TWI575550B 公开(公告)日：2017-03-21
• 发明人： 二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO , 月原光国 , TSUKIHARA, MITSUKUNI , 工藤哲也 , KUDO, TETSUYA , 山田達也 , YAMADA, TATSUYA
• 申请人： 住友重機械離子技術有限公司 ,  SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
• 专利权人： 住友重機械離子技術有限公司,SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
• 当前专利权人： 住友重機械離子技術有限公司,SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
• 代理人： 林志剛
• 优先权： 2011-227917 20111017
• 主分类号： H01J37/317
• IPC分类号： H01J37/317 ; H01J37/30

公开/授权文献:

• TW201324572A  離子佈植設備及離子佈植方法 公开/授权日：2013-06-16

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