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1. 发明专利

TW201737308A 多重帶電粒子束曝光方法及多重帶電粒子束曝光裝置审中-公开
简体标题：多重带电粒子束曝光方法及多重带电粒子束曝光设备
公开(公告)号：TW201737308A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105141434
申请日：2016-12-14
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：松本裕史 , MATSUMOTO, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/3023 , H01J37/20 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/30472
摘要：本發明的一態樣的多重帶電粒子束曝光方法，在利用多重束在每束對相同照射位置連續進行複數次的束的射擊的多重曝光中，對至少1次曝光處理，設定至少包含1個相異的時脈週期的複數時脈週期，以控制多重束的各束的照射時間的時脈週期與其他曝光處理相異；在每個曝光處理中，利用包含至少1個相異時脈週期的複數時脈週期中被設定的時脈週期，控制在該曝光處理中的照射時間，利用多重束將試料上分別對應的照射位置作曝光。
简体摘要：本发明的一态样的多重带电粒子束曝光方法，在利用多重束在每束对相同照射位置连续进行复数次的束的射击的多重曝光中，对至少1次曝光处理，设置至少包含1个相异的时脉周期的复数时脉周期，以控制多重束的各束的照射时间的时脉周期与其他曝光处理相异；在每个曝光处理中，利用包含至少1个相异时脉周期的复数时脉周期中被设置的时脉周期，控制在该曝光处理中的照射时间，利用多重束将试料上分别对应的照射位置作曝光。

2. 发明专利

TWI592977B 離子植入方法以及離子植入裝置有权
简体标题：离子植入方法以及离子植入设备
公开(公告)号：TWI592977B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW102124921
申请日：2013-07-11
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO , 越智昭浩 , OCHI, AKIHIRO
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/304 , H01J37/302
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/3023 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/30483

3. 发明专利

TW201717244A 執行劑量調變之方法，特別是用於電子束微影审中-公开
简体标题：运行剂量调制之方法，特别是用于电子束微影
公开(公告)号：TW201717244A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105122756
申请日：2016-07-19
申请人：艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：賽伯莫哈梅德 , SAIB, MOHAMED , 史亞方派翠克 , SCHIAVONE, PATRICK , 費格羅迪亞哥 , FIGUEIRO, THIAGO
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3023 , H01J37/3174 , H01J2237/24507 , H01J2237/30461 , H01J2237/31769
摘要：一種用於藉由粒子或光子束(21)手段直接寫入而將圖案(PT)轉移至基板(10)上的方法，該方法包含：- 產生劑量圖的步驟，將劑量與所述圖案之複數個基本形狀中每一個相關聯；以及- 根據取決於所述劑量圖之該圖案與空間相依的發射劑量，曝光該基板的步驟；其特徵在於所述產生劑量圖的步驟包括：-對於該些基本形狀中每一者計算該圖案之至少第一和第二度量，該第一度量表示在來自所述基本形狀之第一範圍內的該圖案的特徵，以及該第二度量表示在來自該些基本形狀大於該第一範圍的第二範圍內的該圖案的特徵；以及判定有關於該圖案之所述基本形狀中每一者的該發射的劑量作為所述度量之函數。一種用於執行此種方法或至少所述產生劑量圖的步驟的電腦程式產品。
简体摘要：一种用于借由粒子或光子束(21)手段直接写入而将图案(PT)转移至基板(10)上的方法，该方法包含：- 产生剂量图的步骤，将剂量与所述图案之复数个基本形状中每一个相关联；以及- 根据取决于所述剂量图之该图案与空间相依的发射剂量，曝光该基板的步骤；其特征在于所述产生剂量图的步骤包括：-对于该些基本形状中每一者计算该图案之至少第一和第二度量，该第一度量表示在来自所述基本形状之第一范围内的该图案的特征，以及该第二度量表示在来自该些基本形状大于该第一范围的第二范围内的该图案的特征；以及判定有关于该图案之所述基本形状中每一者的该发射的剂量作为所述度量之函数。一种用于运行此种方法或至少所述产生剂量图的步骤的电脑进程产品。

4. 发明专利

TWI581297B 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法有权
简体标题：带电粒子束描绘设备及带电粒子束描绘方法
公开(公告)号：TWI581297B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104116968
申请日：2015-05-27
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：鶴卷秀幸 , TSURUMAKI, HIDEYUKI
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/20 , H01J37/06 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3174 , H01J37/3023 , H01J2237/20285 , H01J2237/31766 , H01J2237/31776

5. 发明专利

TWI562185B 多重帶電粒子束描繪方法及多重帶電粒子束描繪裝置有权
简体标题：多重带电粒子束描绘方法及多重带电粒子束描绘设备
公开(公告)号：TWI562185B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW104116483
申请日：2015-05-22
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：松本裕史 , MATSUMOTO, HIROSHI
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/06 , H01J37/317 , H01J37/20
CPC分类号： H01J37/1472 , G11B9/10 , H01J37/06 , H01J37/20 , H01J37/3023 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/30483 , H01J2237/31762 , H01J2237/31766

6. 发明专利

TW201535462A 多重荷電粒子束描繪裝置及多重荷電粒子束描繪方法审中-公开
简体标题：多重荷电粒子束描绘设备及多重荷电粒子束描绘方法
公开(公告)号：TW201535462A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103141794
申请日：2014-12-02
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：吉川良一 , YOSHIKAWA, RYOICHI , 松本裕史 , MATSUMOTO, HIROSHI
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/304 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3177 , H01J37/045 , H01J37/1471 , H01J37/243 , H01J37/3023 , H01J2237/0437
摘要：本發明之其中一種形態之多重荷電粒子束描繪裝置，其特徵為，係具備有：分割擊射資料產生部，係對於由荷電粒子束所致之多重束的每一擊射，而以將各束之1個擊射之量的照射分割成照射時間互為相異之複數次之分割擊射的方式，來產生複數次之分割擊射的資料；和個別遮沒機構，係依據複數次之分割擊射的資料，而對於多重束之各束個別地進行遮沒控制；和伸縮率修正值取得部，係針對分割擊射之每一者，而取得因應於多重束之ON束的數量來對於多重束全體之像的伸縮率進行修正之伸縮率修正值；和透鏡，係針對分割擊射之每一者，而使用伸縮率修正值來對於多重束全體之像的伸縮率作修正。
简体摘要：本发明之其中一种形态之多重荷电粒子束描绘设备，其特征为，系具备有：分割击射数据产生部，系对于由荷电粒子束所致之多重束的每一击射，而以将各束之1个击射之量的照射分割成照射时间互为相异之复数次之分割击射的方式，来产生复数次之分割击射的数据；和个别遮没机构，系依据复数次之分割击射的数据，而对于多重束之各束个别地进行遮没控制；和伸缩率修正值取得部，系针对分割击射之每一者，而取得因应于多重束之ON束的数量来对于多重束全体之像的伸缩率进行修正之伸缩率修正值；和透镜，系针对分割击射之每一者，而使用伸缩率修正值来对于多重束全体之像的伸缩率作修正。

7. 发明专利

TW201502715A 繪畫裝置和物品的製造方法审中-公开
简体标题：绘画设备和物品的制造方法
公开(公告)号：TW201502715A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103119550
申请日：2014-06-05
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：村木真人 , MURAKI, MASATO , 森田知之 , MORITA, TOMOYUKI
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3177 , H01J37/045 , H01J37/244 , H01J37/3007 , H01J37/3023 , H01J2237/31766
摘要：本發明係有關一種繪畫裝置和製造物品的方法。所述繪畫裝置用以利用帶電粒子束而在基板上實施繪畫，包括：控制器，被配置成基於所述帶電粒子束在所述基板上的多個位置中的每一個相對於與所述多個位置中的每一個相對應的目標位置的位移的資訊、以及與所述多個位置中的每一個相對應的目標位置處的所述帶電粒子束的目標劑量，以控制所述多個位置中的每一個處的所述帶電粒子束的劑量。
简体摘要：本发明系有关一种绘画设备和制造物品的方法。所述绘画设备用以利用带电粒子束而在基板上实施绘画，包括：控制器，被配置成基于所述带电粒子束在所述基板上的多个位置中的每一个相对于与所述多个位置中的每一个相对应的目标位置的位移的信息、以及与所述多个位置中的每一个相对应的目标位置处的所述带电粒子束的目标剂量，以控制所述多个位置中的每一个处的所述带电粒子束的剂量。

8. 发明专利

TW201250795A 離子植入方法及離子植入裝置 ION IMPLANTATION METHOD AND ION IMPLANTATION APPARATUS 审中-公开
简体标题：离子植入方法及离子植入设备 ION IMPLANTATION METHOD AND ION IMPLANTATION APPARATUS
公开(公告)号：TW201250795A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101110836
申请日：2012-03-28
申请人：斯伊恩股份有限公司
发明人：二宮史郎 , 越智昭浩 , 木村靖彥 , 岡本泰治 , 弓山敏男
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J37/3172 , H01J2237/30483 , H01J2237/31701 , H01J2237/31706
摘要：構成為在機械掃描方向上將晶圓面內的植入區域分割為複數個,對於射束掃描方向的射束掃描速度能夠按各植入區域進行可變設定;並且構成為根據藉由按各植入區域的離子植入量分佈對應之射束掃描速度的可變設定來計算之速度模式對射束掃描速度進行變更控制,藉由按各植入區域控制晶圓掃描速度,從而控制晶圓面內的各植入區域的離子植入量,並且使按前述各植入區域控制射束掃描速度時的射束掃描頻率和射束掃描振幅恆定,從而實現在各植入區域具有所希望之離子植入量分佈的離子植入。
简体摘要：构成为在机械扫描方向上将晶圆面内的植入区域分割为复数个,对于射束扫描方向的射束扫描速度能够按各植入区域进行可变设置;并且构成为根据借由按各植入区域的离子植入量分布对应之射束扫描速度的可变设置来计算之速度模式对射束扫描速度进行变更控制,借由按各植入区域控制晶圆扫描速度,从而控制晶圆面内的各植入区域的离子植入量,并且使按前述各植入区域控制射束扫描速度时的射束扫描频率和射束扫描振幅恒定,从而实现在各植入区域具有所希望之离子植入量分布的离子植入。

9. 发明专利

TW201032264A 離子植入期間降低植入電壓 REDUCED IMPLANT VOLTAGE DURING ION IMPLANTATION 审中-公开
简体标题：离子植入期间降低植入电压 REDUCED IMPLANT VOLTAGE DURING ION IMPLANTATION
公开(公告)号：TW201032264A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：TW098133557
申请日：2009-10-02
申请人：瓦里安半導體設備公司
发明人：漢特曼克里斯多夫R , 葛特盧多維克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/304 , H01J2237/30433 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701 , H01J2237/31703
摘要：本發明提供了一種離子植入方法,此方法包括在進行植入製程時,降低植入能量位準。這樣,能夠獲得盒狀輪廓或者具有更高保留劑量的輪廓,以在相同的接面深度下得到增强的活化。在一個實施例中,初始的植入能量被用於植入約25%的劑量。植入能量位準接著被降低以及植入另外50%的劑量。植入能量隨後再次被降低以及植入剩餘的劑量。劑量的初始部分能夠在諸如極冷溫度之冷環境下任意進行,以最大化基板的非晶化。
简体摘要：本发明提供了一种离子植入方法,此方法包括在进行植入制程时,降低植入能量位准。这样,能够获得盒状轮廓或者具有更高保留剂量的轮廓,以在相同的接面深度下得到增强的活化。在一个实施例中,初始的植入能量被用于植入约25%的剂量。植入能量位准接着被降低以及植入另外50%的剂量。植入能量随后再次被降低以及植入剩余的剂量。剂量的初始部分能够在诸如极冷温度之冷环境下任意进行,以最大化基板的非晶化。

10. 发明专利

TW200818230A 荷電粒子光束裝置审中-公开
简体标题：荷电粒子光束设备
公开(公告)号：TW200818230A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096130001
申请日：2007-08-14
申请人：精工電子納米科技有限公司 SII NANOTECHNOLOGY INC.
发明人：小川貴志 OGAWA, TAKASHI
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/026 , H01J37/153 , H01J37/3023 , H01J37/3056 , H01J2237/004 , H01J2237/047 , H01J2237/1202 , H01J2237/1534 , H01J2237/31749
摘要：提供可降低像差來對試料照射荷電粒子光束,而且,對試料之表面導入氣體時,亦可不會發生放電而照射荷電粒子光束之荷電粒子光束裝置。荷電粒子光束裝置1係具備:用以釋放荷電粒子光束I之荷電粒子源9;由配列於照射方向之用以實施荷電粒子光束I之補正.偏向之補正.偏向手段19、二個外側電極16a、16b、以及夾於外側電極16a、16b之至少一個中間電極16c所構成,具有用以集中荷電粒子光束I並照射於試料M之接物鏡16之荷電粒子光束光學系11;以及接物鏡控制電源36,以相對於外側電極16a、16b產生正負任一之電位差之方式,切換電壓並施加於荷電粒子光束光學系11之接物鏡16之中間電極16c。
简体摘要：提供可降低像差来对试料照射荷电粒子光束,而且,对试料之表面导入气体时,亦可不会发生放电而照射荷电粒子光束之荷电粒子光束设备。荷电粒子光束设备1系具备:用以释放荷电粒子光束I之荷电粒子源9;由配列于照射方向之用以实施荷电粒子光束I之补正.偏向之补正.偏向手段19、二个外侧电极16a、16b、以及夹于外侧电极16a、16b之至少一个中间电极16c所构成,具有用以集中荷电粒子光束I并照射于试料M之接物镜16之荷电粒子光束光学系11;以及接物镜控制电源36,以相对于外侧电极16a、16b产生正负任一之电位差之方式,切换电压并施加于荷电粒子光束光学系11之接物镜16之中间电极16c。

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