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1. 发明专利

TWI417715B 用於製程真空環境之電子診斷之系統及方法有权
简体标题：用于制程真空环境之电子诊断之系统及方法
公开(公告)号：TWI417715B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW095129874
申请日：2006-08-15
申请人：布魯克機械公司 , BROOKS AUTOMATION, INC.
发明人：約瑟夫D 亞魯達 , ARRUDA, JOSEPH D. , 凱瑟琳D 契 , KEAY, KATHLEEN D. , 葛倫 F.R. 吉爾克利斯特 , GILCHRIST, GLEN F.R.
IPC分类号： G06F11/30
CPC分类号： G01M3/3236 , H01J2237/18

2. 发明专利

TWI225272B 精確控制離子佈値濃度之方法及同步控制壓力補償因子之方法 METHOD OF CONTROLLING IMPLANTING DOSAGE AND METHOD OF CONTROLLING PRESSURE COMPENSATE FACTOR IN-SITU 失效
简体标题：精确控制离子布値浓度之方法及同步控制压力补偿因子之方法 METHOD OF CONTROLLING IMPLANTING DOSAGE AND METHOD OF CONTROLLING PRESSURE COMPENSATE FACTOR IN-SITU
公开(公告)号：TWI225272B
公开(公告)日：2004-12-11
申请号：TW092130762
申请日：2003-11-04
申请人：茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：許恆凱 HSU, HENG KAI , 陳昱企 CHEN, YU CHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/004 , H01J2237/18 , H01J2237/31703 , H01J2237/31705
摘要：一種精確控制離子佈值濃度之方法，其係首先分析一離子佈植機中之殘餘氣體，之後量測這些殘餘氣體在離子佈植機內之分壓，其中若有三種殘留氣體殘留在離子佈植機內，則第一、第二、第三殘餘氣體之分壓分別為P1、 P2、P3，且第一、第二、第三殘餘氣體之K常數分別為 K1、K2、K3，其中K表示殘餘氣體與離子束產生電荷交換作用的能力。之後，量測離子束之電流值Im，因此離子束實際佈植量Ir為： Im=Ir×e-(K1P1+K2P2+K3P3)。因本發明將離子佈植機內各種殘餘氣體的分壓以及與離子束產生電荷交換作用之能力都列入考量，因此可以精確的控制離子佈植之濃度。
简体摘要：一种精确控制离子布值浓度之方法，其系首先分析一离子布植机中之残余气体，之后量测这些残余气体在离子布植机内之分压，其中若有三种残留气体残留在离子布植机内，则第一、第二、第三残余气体之分压分别为P1、 P2、P3，且第一、第二、第三残余气体之K常数分别为 K1、K2、K3，其中K表示残余气体与离子束产生电荷交换作用的能力。之后，量测离子束之电流值Im，因此离子束实际布植量Ir为： Im=Ir×e-(K1P1+K2P2+K3P3)。因本发明将离子布植机内各种残余气体的分压以及与离子束产生电荷交换作用之能力都列入考量，因此可以精确的控制离子布植之浓度。

3. 发明专利

TW201530603A 離子植入裝置及離子植入裝置之控制方法审中-公开
简体标题：离子植入设备及离子植入设备之控制方法
公开(公告)号：TW201530603A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103143675
申请日：2014-12-15
申请人：斯伊恩股份有限公司 , SEN CORPORATION
发明人：大浦正英 , OOURA, MASAHIDE , 今井大輔 , IMAI, DAISUKE , 二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/3002 , H01J2237/0206 , H01J2237/18 , H01J2237/304 , H01J2237/30472
摘要：本發明提供一種離子植入裝置以及離子植入裝置之控制方法，其課題在於提供一種在因負載電流的產生而產生過電流時保護電源之技術。在本發明的離子植入裝置(10)中，遮斷手段在射束路線的中途遮斷離子束(B)。電漿紛灑裝置(40)設置於比遮斷手段更靠射束路線的下游側。控制部(60)在電漿紛灑裝置(40)的點火開始期間，使遮斷手段遮斷離子束(B)。遮斷手段可以設置於比高電壓電場式電極部更靠射束路線的上游側，前述高電壓電場式電極部設置至少一個以上。氣體供給手段可以向電漿紛灑裝置(40)供給源氣體。控制部(60)可以在使遮斷手段遮斷離子束(B)之後，使氣體供給手段開始供給源氣體。
简体摘要：本发明提供一种离子植入设备以及离子植入设备之控制方法，其课题在于提供一种在因负载电流的产生而产生过电流时保护电源之技术。在本发明的离子植入设备(10)中，遮断手段在射束路线的中途遮断离子束(B)。等离子纷洒设备(40)设置于比遮断手段更靠射束路线的下游侧。控制部(60)在等离子纷洒设备(40)的点火开始期间，使遮断手段遮断离子束(B)。遮断手段可以设置于比高电压电场式电极部更靠射束路线的上游侧，前述高电压电场式电极部设置至少一个以上。气体供给手段可以向等离子纷洒设备(40)供给源气体。控制部(60)可以在使遮断手段遮断离子束(B)之后，使气体供给手段开始供给源气体。

4. 发明专利

TW200516650A 精確控制離子佈値濃度之方法及同步控制壓力補償因子之方法 METHOD OF CONTROLLING IMPLANTING DOSAGE AND METHOD OF CONTROLLING PRESSURE COMPENSATE FACTOR IN-SITU 失效
简体标题：精确控制离子布値浓度之方法及同步控制压力补偿因子之方法 METHOD OF CONTROLLING IMPLANTING DOSAGE AND METHOD OF CONTROLLING PRESSURE COMPENSATE FACTOR IN-SITU
公开(公告)号：TW200516650A
公开(公告)日：2005-05-16
申请号：TW092130762
申请日：2003-11-04
申请人：茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：許恆凱 HSU, HENG KAI , 陳昱企 CHEN, YU CHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/004 , H01J2237/18 , H01J2237/31703 , H01J2237/31705
摘要：一種精確控制離子佈值濃度之方法，其係首先分析一離子佈植機中之殘餘氣體，之後量測這些殘餘氣體在離子佈植機內之分壓，其中若有三種殘留氣體殘留在離子佈植機內，則第一、第二、第三殘餘氣體之分壓分別為P1、P2、P3，且第一、第二、第三殘餘氣體之K常數分別為K1、K2、K3，其中K表示殘餘氣體與離子束產生電荷交換作用的能力。之後，量測離子束之電流值Im，因此離子束實際佈植量Ir為：Im＝Ir×e^-(K1P1＋K2P2＋K3P3)。因本發明將離子佈植機內各種殘餘氣體的分壓以及與離子束產生電荷交換作用之能力都列入考量，因此可以精確的控制離子佈植之濃度。
简体摘要：一种精确控制离子布值浓度之方法，其系首先分析一离子布植机中之残余气体，之后量测这些残余气体在离子布植机内之分压，其中若有三种残留气体残留在离子布植机内，则第一、第二、第三残余气体之分压分别为P1、P2、P3，且第一、第二、第三残余气体之K常数分别为K1、K2、K3，其中K表示残余气体与离子束产生电荷交换作用的能力。之后，量测离子束之电流值Im，因此离子束实际布植量Ir为：Im＝Ir×e^-(K1P1＋K2P2＋K3P3)。因本发明将离子布植机内各种残余气体的分压以及与离子束产生电荷交换作用之能力都列入考量，因此可以精确的控制离子布植之浓度。

5. 发明专利

TW201621965A 具有載台的電子顯微鏡审中-公开
简体标题：具有载台的电子显微镜
公开(公告)号：TW201621965A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW103143021
申请日：2014-12-10
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：李信宏 , LEE, HSIN HUNG , 李正宇 , LEE, CHENG YU , 江俊霖 , CHIANG, CHUN LIN , 蔡昆志 , TSAI, KUN CHIH , 林文地 , LIN, WIN TI
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/20
CPC分类号： H01J37/20 , G01N35/1095 , H01J37/28 , H01J2237/18 , H01J2237/2004 , H01J2237/2065
摘要：一種電子顯微鏡，包括一載台、一第一驅動單元、一穩流單元及一電子源。載台承載一待測物。第一驅動單元驅動一第一液體沿一第一流動路徑流動，其中第一流動路徑通過待測物。穩流單元配置於第一流動路徑上以對第一液體進行穩流，其中第一液體依序流經穩流單元及載台。電子源提供一電子束至待測物。
简体摘要：一种电子显微镜，包括一载台、一第一驱动单元、一稳流单元及一电子源。载台承载一待测物。第一驱动单元驱动一第一液体沿一第一流动路径流动，其中第一流动路径通过待测物。稳流单元配置于第一流动路径上以对第一液体进行稳流，其中第一液体依序流经稳流单元及载台。电子源提供一电子束至待测物。

6. 发明专利

TW201324572A 離子佈植設備及離子佈植方法审中-公开
简体标题：离子布植设备及离子布植方法
公开(公告)号：TW201324572A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101137286
申请日：2012-10-09
申请人：斯伊恩股份有限公司 , SEN CORPORATION
发明人：二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO , 月原光国 , TSUKIHARA, MITSUKUNI , 工藤哲也 , KUDO, TETSUYA , 山田達也 , YAMADA, TATSUYA
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/26 , H01J37/3023 , H01J37/304 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01J2237/18 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701 , H01J2237/31703
摘要：本發明中，在向晶圓佈植離子之過程中，測量離子射束電流，並且獲取根據在真空射束管路室或真空處理室內操作之結構體的位置變化而發生變化之真空電導率的變化，進一步藉由設置在上述真空射束管路室或真空處理室內之真空儀對一處或複數處真空度的變化進行檢測。利用獲取之真空電導率的變化和檢測出之一處或複數處真空度的變化來校正離子射束電流量，並控制佈植於晶圓之劑量。
简体摘要：本发明中，在向晶圆布植离子之过程中，测量离子射束电流，并且获取根据在真空射束管路室或真空处理室内操作之结构体的位置变化而发生变化之真空电导率的变化，进一步借由设置在上述真空射束管路室或真空处理室内之真空仪对一处或复数处真空度的变化进行检测。利用获取之真空电导率的变化和检测出之一处或复数处真空度的变化来校正离子射束电流量，并控制布植于晶圆之剂量。

7. 发明专利

TW200737267A 氦離子泵系統及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR A HELIUM ION PUMP 审中-公开
简体标题：氦离子泵系统及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR A HELIUM ION PUMP
公开(公告)号：TW200737267A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW096109608
申请日：2007-03-20
申请人：艾莉絲公司 ALIS CORPORATION
发明人：比利W 沃德 WARD, BILLY W. , 約翰A 諾提五世 NOTTE, JOHN A. IV
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J41/12 , H01J37/28 , H01J2237/0807 , H01J2237/18
摘要：本發明揭示一種離子泵系統及方法。
简体摘要：本发明揭示一种离子泵系统及方法。

8. 发明专利

TW201743379A 用於排氣冷卻的設備审中-公开
简体标题：用于排气冷却的设备
公开(公告)号：TW201743379A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106112166
申请日：2017-04-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：卡克斯麥克S , COX, MICHAEL S. , 偉斯特布萊恩T , WEST, BRIAN T. , 強森羅傑M , JOHNSON, ROGER M. , 洛正佐研 , ROZENZON, YAN , 索瑪納丁凱許 , SOMANNA, DINKESH , 何文彬 , HO, DUSTIN W.
IPC分类号： H01L21/306 , C23C16/455 , C23C16/54 , F28F13/06 , F28F3/00
CPC分类号： H01J37/32844 , H01J2237/002 , H01J2237/18 , H01J2237/31701 , H01L21/67069 , Y02C20/30
摘要：本案揭露的實施例包括減弱在半導體製程中產生的化合物之減弱系統。減弱系統包括位於電漿源下游的排氣冷卻設備。排氣冷卻設備包括至少一個冷卻板，其是用於將紊流引入到排氣冷卻設備內排氣流動的裝置。該裝置可以是複數個鰭片、具有彎曲頂部的圓柱體或具有斜角葉片的擴散器。排氣冷卻設備內的排氣的紊流使顆粒自排氣中離開，而最小化排氣冷卻設備下游的設備中形成顆粒。
简体摘要：本案揭露的实施例包括减弱在半导体制程中产生的化合物之减弱系统。减弱系统包括位于等离子源下游的排气冷却设备。排气冷却设备包括至少一个冷却板，其是用于将紊流引入到排气冷却设备内排气流动的设备。该设备可以是复数个鳍片、具有弯曲顶部的圆柱体或具有斜角叶片的扩散器。排气冷却设备内的排气的紊流使颗粒自排气中离开，而最小化排气冷却设备下游的设备中形成颗粒。

9. 发明专利

TWI575550B 離子佈植設備及離子佈植方法有权
简体标题：离子布植设备及离子布植方法
公开(公告)号：TWI575550B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW101137286
申请日：2012-10-09
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO , 月原光国 , TSUKIHARA, MITSUKUNI , 工藤哲也 , KUDO, TETSUYA , 山田達也 , YAMADA, TATSUYA
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/26 , H01J37/3023 , H01J37/304 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01J2237/18 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701 , H01J2237/31703

10. 发明专利

TWI546841B 具有載台的電子顯微鏡有权
简体标题：具有载台的电子显微镜
公开(公告)号：TWI546841B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW103143021
申请日：2014-12-10
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：李信宏 , LEE, HSIN HUNG , 李正宇 , LEE, CHENG YU , 江俊霖 , CHIANG, CHUN LIN , 蔡昆志 , TSAI, KUN CHIH , 林文地 , LIN, WIN TI
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/20
CPC分类号： H01J37/20 , G01N35/1095 , H01J37/28 , H01J2237/18 , H01J2237/2004 , H01J2237/2065

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