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1. 发明专利

TW201903808A 離子植入裝置及離子植入方法审中-公开
简体标题：离子植入设备及离子植入方法
公开(公告)号：TW201903808A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107118110
申请日：2018-05-28
申请人：日商住友重機械離子科技股份有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：松下浩 , MATSUSHITA, HIROSHI , 大北義明 , OOGITA, YOSHIAKI
IPC分类号： H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/317
摘要：本發明的課題在於應對由於使用具有比較高之能量的離子束而有可能產生之核反應。本發明的離子植入裝置(100)具備：離子源，構成為生成包含第1非放射性核種的離子之離子束；射束線，構成為支撐由包含與第1非放射性核種不同之第2非放射性核種的固體材料形成之離子束被照射體(70)；及控制裝置(50)，構成為運算藉由第1非放射性核種與第2非放射性核種的核反應而產生之放射線的推斷線量與放射性核種的推斷生成量中的至少一個。
简体摘要：本发明的课题在于应对由于使用具有比较高之能量的离子束而有可能产生之核反应。本发明的离子植入设备(100)具备：离子源，构成为生成包含第1非放射性核种的离子之离子束；射束线，构成为支撑由包含与第1非放射性核种不同之第2非放射性核种的固体材料形成之离子束被照射体(70)；及控制设备(50)，构成为运算借由第1非放射性核种与第2非放射性核种的核反应而产生之放射线的推断线量与放射性核种的推断生成量中的至少一个。

2. 发明专利

TW202027120A 離子植入裝置及測定裝置审中-公开
简体标题：离子植入设备及测定设备
公开(公告)号：TW202027120A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108145250
申请日：2019-12-11
申请人：日商住友重機械離子科技股份有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：松下浩 , MATSUSHITA, HIROSHI
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/317
摘要：本發明防止因產生二次電子而引起之計測精度的下降。本發明的離子植入裝置具備測定照射於晶圓之離子束的角度分佈之測定裝置（62）。測定裝置（62）具備：狹縫（66），入射有離子束；中央電極體（70），具有配置於從狹縫（66）向成為離子束的基準之射束行進方向延伸之中心線（C）上之射束測定面（74）；複數個側面電極體（80a～80f），配置於狹縫（66）與中央電極體（70）之間，且各自具有在狹縫（66）的狹縫寬度方向上遠離中心線（C）配置之射束測定面（78a～78f）；及磁鐵裝置（90），對複數個側面電極體（80a～80f）中的至少一個射束測定面施加繞狹縫（66）的狹縫長度方向的軸彎曲之磁場。
简体摘要：本发明防止因产生二次电子而引起之计测精度的下降。本发明的离子植入设备具备测定照射于晶圆之离子束的角度分布之测定设备（62）。测定设备（62）具备：狭缝（66），入射有离子束；中央电极体（70），具有配置于从狭缝（66）向成为离子束的基准之射束行进方向延伸之中心线（C）上之射束测定面（74）；复数个侧面电极体（80a～80f），配置于狭缝（66）与中央电极体（70）之间，且各自具有在狭缝（66）的狭缝宽度方向上远离中心线（C）配置之射束测定面（78a～78f）；及磁铁设备（90），对复数个侧面电极体（80a～80f）中的至少一个射束测定面施加绕狭缝（66）的狭缝长度方向的轴弯曲之磁场。

3. 发明专利

TW201903852A 離子植入裝置、離子束被照射體及離子植入方法审中-公开
简体标题：离子植入设备、离子束被照射体及离子植入方法
公开(公告)号：TW201903852A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107118108
申请日：2018-05-28
申请人：日商住友重機械離子科技股份有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：松下浩 , MATSUSHITA, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/67
摘要：本發明的課題為應對由於使用具有比較高的能量的離子束而有可能產生的核反應。離子植入裝置（100）具備：離子源，構成為生成包含非放射性核種的離子的離子束；射束線，構成為支撐離子束被照射體；控制裝置（50），構成為運算藉由入射於離子束被照射體（70）的非放射性核種的離子與作為之前進行的離子束照射的結果而積蓄在離子束被照射體（70）的非放射性核種的核反應而產生的放射線的推斷線量。
简体摘要：本发明的课题为应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。离子植入设备（100）具备：离子源，构成为生成包含非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支撑离子束被照射体；控制设备（50），构成为运算借由入射于离子束被照射体（70）的非放射性核种的离子与作为之前进行的离子束照射的结果而积蓄在离子束被照射体（70）的非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量。

4. 发明专利

TWI672723B 離子植入裝置有权
简体标题：离子植入设备
公开(公告)号：TWI672723B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW104115249
申请日：2015-05-13
申请人：日商住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：松下浩 , MATSUSHITA, HIROSHI , 椛澤光昭 , KABASAWA, MITSUAKI , 天野吉 , AMANO, YOSHITAKA , 八木田貴典 , YAGITA, TAKANORI
IPC分类号： H01J37/317

5. 发明专利

TWI601180B 用於離子植入裝置之高電壓電極的絕緣結構、高電壓絕緣方法、離子源裝置、以及離子植入裝置有权
简体标题：用于离子植入设备之高电压电极的绝缘结构、高电压绝缘方法、离子源设备、以及离子植入设备
公开(公告)号：TWI601180B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW102144640
申请日：2013-12-05
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：佐藤正輝 , SATO, MASATERU , 松下浩 , MATSUSHITA, HIROSHI
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/248 , H01J2237/032 , H01J2237/036 , H01J2237/038 , H01J2237/08

6. 发明专利

TW201608596A 離子植入裝置审中-公开
简体标题：离子植入设备
公开(公告)号：TW201608596A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104115248
申请日：2015-05-13
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：松下浩 , MATSUSHITA, HIROSHI , 椛澤光昭 , KABASAWA, MITSUAKI , 天野吉 , AMANO, YOSHITAKA , 八木田貴典 , YAGITA, TAKANORI
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/1477 , H01J37/30 , H01J37/3007 , H01J37/317 , H01J2237/15 , H01J2237/1534 , H01J2237/303 , H01J2237/31701
摘要：本發明提供一種能夠在廣泛範圍下使用之離子植入裝置。本發明的離子植入裝置具備掃描單元(1000)，該掃描單元包括：掃描電極裝置(400)，向沿著基準軌道(Z)射入之離子束B施加偏向電場，使離子束(B)在與基準軌道(Z)正交之橫方向掃描；及上游電極裝置(300)，由設置於掃描電極裝置(400)的上游之複數個電極體構成。掃描電極裝置(400)具備隔著基準軌道(Z)橫方向對向而設之一對掃描電極(410R，410L)及隔著基準軌道(Z)而在與橫方向正交之縱方向對向而設之一對射束輸送補正電極(450)。一對射束輸送補正電極(450)，係在掃描電極裝置(400)的入口(402)附近，分別具有朝向基準軌道而沿(Z)縱方向延伸之射束輸送補正入口電極體(454)。
简体摘要：本发明提供一种能够在广泛范围下使用之离子植入设备。本发明的离子植入设备具备扫描单元(1000)，该扫描单元包括：扫描电极设备(400)，向沿着基准轨道(Z)射入之离子束B施加偏向电场，使离子束(B)在与基准轨道(Z)正交之横方向扫描；及上游电极设备(300)，由设置于扫描电极设备(400)的上游之复数个电极体构成。扫描电极设备(400)具备隔着基准轨道(Z)横方向对向而设之一对扫描电极(410R，410L)及隔着基准轨道(Z)而在与横方向正交之纵方向对向而设之一对射束输送补正电极(450)。一对射束输送补正电极(450)，系在扫描电极设备(400)的入口(402)附近，分别具有朝向基准轨道而沿(Z)纵方向延伸之射束输送补正入口电极体(454)。

7. 发明专利

TWI671780B 離子植入裝置有权
简体标题：离子植入设备
公开(公告)号：TWI671780B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104115248
申请日：2015-05-13
申请人：日商住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：松下浩 , MATSUSHITA, HIROSHI , 椛澤光昭 , KABASAWA, MITSUAKI , 天野吉 , AMANO, YOSHITAKA , 八木田貴典 , YAGITA, TAKANORI
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/317

8. 发明专利

TW201545197A 離子植入裝置审中-公开
简体标题：离子植入设备
公开(公告)号：TW201545197A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104115249
申请日：2015-05-13
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：松下浩 , MATSUSHITA, HIROSHI , 椛澤光昭 , KABASAWA, MITSUAKI , 天野吉 , AMANO, YOSHITAKA , 八木田貴典 , YAGITA, TAKANORI
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/1477 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/30483
摘要：本發明提供一種能夠在廣泛範圍下使用之離子植入裝置。本發明的離子植入裝置具備掃描單元(1000)，該掃描單元包括：掃描電極裝置(400)，向沿著基準軌道(Z)射入之離子束(B)施加偏轉電場，以向與基準軌道(Z)正交之橫方向掃描離子束(B)；及下游電極裝置(500)，配置於掃描電極裝置(400)的下游，且設有供橫方向掃描之離子束(B)通過之開口部。掃描電極裝置(400)具有隔著基準軌道(Z)在橫方向對向而設之一對掃描電極(410R，410L)。下游電極裝置(500)的開口部具有電極體，該電極體構成為，與基準軌道(Z)及橫方向雙向正交之縱方向開口寬度和/或沿著基準軌道(Z)之方向的厚度，係在基準軌道(Z)所處之中央部和與掃描電極(410R，410L)的下游端部(422)對向之位置附近不同。
简体摘要：本发明提供一种能够在广泛范围下使用之离子植入设备。本发明的离子植入设备具备扫描单元(1000)，该扫描单元包括：扫描电极设备(400)，向沿着基准轨道(Z)射入之离子束(B)施加偏转电场，以向与基准轨道(Z)正交之横方向扫描离子束(B)；及下游电极设备(500)，配置于扫描电极设备(400)的下游，且设有供横方向扫描之离子束(B)通过之开口部。扫描电极设备(400)具有隔着基准轨道(Z)在横方向对向而设之一对扫描电极(410R，410L)。下游电极设备(500)的开口部具有电极体，该电极体构成为，与基准轨道(Z)及横方向双向正交之纵方向开口宽度和/或沿着基准轨道(Z)之方向的厚度，系在基准轨道(Z)所处之中央部和与扫描电极(410R，410L)的下游端部(422)对向之位置附近不同。

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