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1. 发明专利

TW201519274A 離子生成裝置及離子生成方法审中-公开
简体标题：离子生成设备及离子生成方法
公开(公告)号：TW201519274A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103138554
申请日：2014-11-06
申请人：斯伊恩股份有限公司 , SEN CORPORATION
发明人：佐藤正輝 , SATO, MASATERU
IPC分类号： H01J27/08 , H01J27/20 , H01J37/08
CPC分类号： H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/31705
摘要：本發明為有鑑於該種情況而完成者，其目的為提供一種在離子植入過程中減少重金屬離子的污染、且生成高生產率的離子之技術。離子生成裝置(10)具備：電弧腔室( 12)，係至少一部份由含有碳之材料構成；熱電子放出部(14)，係向電弧腔室(12)內放出熱電子；及氣體導入口(24)，係將來源氣體及複合氣體導入電弧腔室(12)內。導入電弧腔室中之來源氣體中含有鹵化物氣體，導入電弧腔室中之複合氣體中含有具有碳原子及氫原子之化合物。
简体摘要：本发明为有鉴于该种情况而完成者，其目的为提供一种在离子植入过程中减少重金属离子的污染、且生成高生产率的离子之技术。离子生成设备(10)具备：电弧腔室( 12)，系至少一部份由含有碳之材料构成；热电子放出部(14)，系向电弧腔室(12)内放出热电子；及气体导入口(24)，系将来源气体及复合气体导入电弧腔室(12)内。导入电弧腔室中之来源气体中含有卤化物气体，导入电弧腔室中之复合气体中含有具有碳原子及氢原子之化合物。

2. 发明专利

TWI671778B 離子束裝置、離子植入裝置、離子束放出方法有权
简体标题：离子束设备、离子植入设备、离子束放出方法
公开(公告)号：TWI671778B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW105108279
申请日：2016-03-17
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：佐佐木徳康 , SASAKI, NARUYASU , 東明男 , HIGASHI, AKIO
IPC分类号： H01J37/08 , H01J27/20

3. 发明专利

TW201737285A 間接加熱式陰極離子源與用於離子源室內的斥拒極审中-公开
简体标题：间接加热式阴极离子源与用于离子源室内的斥拒极
公开(公告)号：TW201737285A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105143255
申请日：2016-12-27
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：李威廉戴維斯 , LEE, WILLIAM DAVIS , 培爾艾力克斯恩德 S. , PEREL, ALEXANDER S. , 斯波德萊大衛 P. , SPORLEDER, DAVID P.
IPC分类号： H01J27/02 , H01J27/20
CPC分类号： H01J27/022 , H01J27/205
摘要：間接加熱式陰極離子源包括離子源室，離子源室具有位於兩個相對的端部上的陰極及斥拒極。斥拒極是由兩個分立的部件製成，兩個分立的部件分別包含不同的材質。斥拒極包括可為碟形組件的斥拒極頭及用以支撐頭的杆。斥拒極頭是由導熱率高於杆的導電材質製成。如此一來，斥拒極頭的溫度會維持為較原本可能的溫度高的溫度。較高的溫度會限制材質在斥拒極頭上的積聚，此會改善間接加熱式陰極離子源的性能。在某些實施例中，斥拒極頭與杆是利用壓入配合進行連接。斥拒極頭與杆的熱膨脹係數的差異可使得壓入配合在越高的溫度下變得越緊。
简体摘要：间接加热式阴极离子源包括离子源室，离子源室具有位于两个相对的端部上的阴极及斥拒极。斥拒极是由两个分立的部件制成，两个分立的部件分别包含不同的材质。斥拒极包括可为碟形组件的斥拒极头及用以支撑头的杆。斥拒极头是由导热率高于杆的导电材质制成。如此一来，斥拒极头的温度会维持为较原本可能的温度高的温度。较高的温度会限制材质在斥拒极头上的积聚，此会改善间接加热式阴极离子源的性能。在某些实施例中，斥拒极头与杆是利用压入配合进行连接。斥拒极头与杆的热膨胀系数的差异可使得压入配合在越高的温度下变得越紧。

4. 发明专利

TW201810338A 用於增益型離子化的離子源审中-公开
简体标题：用于增益型离子化的离子源
公开(公告)号：TW201810338A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106118510
申请日：2017-06-05
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：泰格爾丹尼爾 R. , TIEGER, DANIEL R. , 貝克可勞斯 , BECKER, KLAUS , 艾凡瑞朵丹尼爾 , ALVARADO, DANIEL
IPC分类号： H01J17/26 , H01J27/02 , H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/205 , H01J37/3233 , H01J37/32449 , H01J37/3255 , H01J37/3266 , H01J2237/082
摘要：本發明公開一種具有改善的壽命的離子源。在某些實施例中，離子源是間接加熱式陰極離子源，間接加熱式陰極離子源包括腔室，腔室具有多個導電壁，間接加熱式陰極離子源具有陰極，陰極電連接到離子源的壁。在離子源的一個或多個壁上設置有電極。電極中的至少一個被相對於腔室的壁施加偏壓。在某些實施例中，被吸引到陰極的正離子較少，從而減少陰極經歷的濺射量。有利的是，使用這種技術會改善陰極的壽命。在另一實施例中，離子源包括伯納斯離子源，伯納斯離子源包括具有細絲的腔室，細絲的一個引線連接到離子源的壁。
简体摘要：本发明公开一种具有改善的寿命的离子源。在某些实施例中，离子源是间接加热式阴极离子源，间接加热式阴极离子源包括腔室，腔室具有多个导电壁，间接加热式阴极离子源具有阴极，阴极电连接到离子源的壁。在离子源的一个或多个壁上设置有电极。电极中的至少一个被相对于腔室的壁施加偏压。在某些实施例中，被吸引到阴极的正离子较少，从而减少阴极经历的溅射量。有利的是，使用这种技术会改善阴极的寿命。在另一实施例中，离子源包括伯纳斯离子源，伯纳斯离子源包括具有细丝的腔室，细丝的一个引线连接到离子源的壁。

5. 发明专利

TW201705179A 離子束裝置、離子植入裝置、離子束放出方法审中-公开
简体标题：离子束设备、离子植入设备、离子束放出方法
公开(公告)号：TW201705179A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105108279
申请日：2016-03-17
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：佐佐木徳康 , SASAKI, NARUYASU , 東明男 , HIGASHI, AKIO
IPC分类号： H01J37/08 , H01J27/20
摘要：本發明關於離子束裝置、離子植入裝置、離子束放出方法。除去堆積於引出電極的反應副生成物，以便能夠立即恢復為離子束照射。設定對引出電極(34)施加正電壓的正電壓期間，在離子源(33)的內部生成電子，從離子源(33)引出電子，使其照射到引出電極(34)來對引出電極(34)進行加熱。在真空氛圍中，反應副生成物層(27)進行蒸發，除去反應副生成物層(27)。向離子源(33)導入潔淨氣體來生成潔淨氣體的正離子，設定對引出電極(34)施加負電壓的負電壓期間，將潔淨氣體的正離子向引出電極(34)照射，通過濺射或蝕刻反應來除去反應副生成物層(27)也可。
简体摘要：本发明关于离子束设备、离子植入设备、离子束放出方法。除去堆积于引出电极的反应副生成物，以便能够立即恢复为离子束照射。设置对引出电极(34)施加正电压的正电压期间，在离子源(33)的内部生成电子，从离子源(33)引出电子，使其照射到引出电极(34)来对引出电极(34)进行加热。在真空氛围中，反应副生成物层(27)进行蒸发，除去反应副生成物层(27)。向离子源(33)导入洁净气体来生成洁净气体的正离子，设置对引出电极(34)施加负电压的负电压期间，将洁净气体的正离子向引出电极(34)照射，通过溅射或蚀刻反应来除去反应副生成物层(27)也可。

6. 发明专利

TWI407476B 離子源有权
简体标题：离子源
公开(公告)号：TWI407476B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW099123357
申请日：2010-07-15
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：柳鵬 , LIU, PENG , 周段亮 , ZHOU, DUAN-LIANG , 陳丕瑾 , CHEN, PI-JIN , 胡昭复 , HU, ZHAO-FU , 郭彩林 , GUO, CAI-LIN , 杜秉初 , DU, BING-CHU , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： H01J27/20

7. 发明专利

TW201903808A 離子植入裝置及離子植入方法审中-公开
简体标题：离子植入设备及离子植入方法
公开(公告)号：TW201903808A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107118110
申请日：2018-05-28
申请人：日商住友重機械離子科技股份有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：松下浩 , MATSUSHITA, HIROSHI , 大北義明 , OOGITA, YOSHIAKI
IPC分类号： H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/317
摘要：本發明的課題在於應對由於使用具有比較高之能量的離子束而有可能產生之核反應。本發明的離子植入裝置(100)具備：離子源，構成為生成包含第1非放射性核種的離子之離子束；射束線，構成為支撐由包含與第1非放射性核種不同之第2非放射性核種的固體材料形成之離子束被照射體(70)；及控制裝置(50)，構成為運算藉由第1非放射性核種與第2非放射性核種的核反應而產生之放射線的推斷線量與放射性核種的推斷生成量中的至少一個。
简体摘要：本发明的课题在于应对由于使用具有比较高之能量的离子束而有可能产生之核反应。本发明的离子植入设备(100)具备：离子源，构成为生成包含第1非放射性核种的离子之离子束；射束线，构成为支撑由包含与第1非放射性核种不同之第2非放射性核种的固体材料形成之离子束被照射体(70)；及控制设备(50)，构成为运算借由第1非放射性核种与第2非放射性核种的核反应而产生之放射线的推断线量与放射性核种的推断生成量中的至少一个。

8. 发明专利

TWI569299B 負離子源裝置有权
简体标题：负离子源设备
公开(公告)号：TWI569299B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105101231
申请日：2016-01-15
申请人：住友重機械工業股份有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：衞藤晴彦 , ETO, HARUHIKO
IPC分类号： H01J27/20 , H01J37/08 , G21K1/00

9. 发明专利

TW201628041A 負離子源裝置审中-公开
简体标题：负离子源设备
公开(公告)号：TW201628041A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW105101231
申请日：2016-01-15
申请人：住友重機械工業股份有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：衞藤晴彦 , ETO, HARUHIKO
IPC分类号： H01J27/20 , H01J37/08 , G21K1/00
摘要：本發明提供一種能夠增加負離子的生成量之負離子源裝置。本發明的負離子源裝置(100)具有：生成遮蔽預定能量以上的電子的磁場之過濾磁場生成部(110B)；及設置於生成磁場之磁場區域亦即負離子生成區域(E2)內，且增加附著促進物質的部分的面積之促進物質附著面積增加部(117)。在藉由過濾磁場生成部(110B)生成之磁場區域內，由於遮蔽預定能量以上的電子的侵入，因此在該磁場區域不會受到高能量的電子的破壞，而生成負離子。在該磁場區域內附著有促進物質的部分的表面，功函數因促進物質而下降，藉此進行負離子的表面生成。因此，藉由在磁場區域設置促進物質附著面積增加部，能增加負離子的表面生成之部分的面積。
简体摘要：本发明提供一种能够增加负离子的生成量之负离子源设备。本发明的负离子源设备(100)具有：生成屏蔽预定能量以上的电子的磁场之过滤磁场生成部(110B)；及设置于生成磁场之磁场区域亦即负离子生成区域(E2)内，且增加附着促进物质的部分的面积之促进物质附着面积增加部(117)。在借由过滤磁场生成部(110B)生成之磁场区域内，由于屏蔽预定能量以上的电子的侵入，因此在该磁场区域不会受到高能量的电子的破坏，而生成负离子。在该磁场区域内附着有促进物质的部分的表面，功函数因促进物质而下降，借此进行负离子的表面生成。因此，借由在磁场区域设置促进物质附着面积增加部，能增加负离子的表面生成之部分的面积。

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