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1. 发明专利

TW296535B 電漿處理方法及電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW296535B
公开(公告)日：1997-01-21
申请号：TW084106133
申请日：1995-06-15
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：瀨圭三 , 小美野光明 , 友安昌幸 , 永關一也 , 竹中裕人 , 西川浩 , ?本禎男
IPC分类号： H05H
摘要：本發明係關於電漿處理方法，降低製造室內之壓力，並排氣，將晶圓裝置於電納上，由噴射式電極朝向晶圓來供應處理用氣體，對電納來施加比處理用氣體的固有之下端離子遷移頻率更低的第1頻率CC之高周波電力，及對噴射式電極來施加比處理用氣體的固有之上端離子遷移頻率更高的第2頻率CC之高周波電力。
简体摘要：本发明系关于等离子处理方法，降低制造室内之压力，并排气，将晶圆设备于电纳上，由喷射式电极朝向晶圆来供应处理用气体，对电纳来施加比处理用气体的固有之下端离子迁移频率更低的第1频率CC之高周波电力，及对喷射式电极来施加比处理用气体的固有之上端离子迁移频率更高的第2频率CC之高周波电力。

2. 发明专利

TW294819B 電漿處理裝置及電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW294819B
公开(公告)日：1997-01-01
申请号：TW083111996
申请日：1994-12-21
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：土屋一雄 , 小野勝彥 , 西川浩 , 荒槷正司
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： C23C16/466 , C23C16/4586 , H01J37/32431 , H01J2237/2001
摘要：本發明之電漿處理裝置﹐係在電漿產生中﹐使用熱交換氣體來增進由感應器所賦與被處理基板之冷卻效率的電漿處理裝置﹐其特徵為具備有﹕
第１通道﹐開口於感應器上面之周緣部﹔
第１氣體供給機構﹐藉該第１通道來供熱交換氣體給予形成在感應器和被處理基板之間的微小間隙用﹔
第１排氣機構﹐藉第１通道來予以排氣形成在感應器和被處理基板之間的微小間隙內用﹔
第２通道﹐開口於感應器上面之中央部﹔
第２氣體供給機構﹐藉該第２通道來供熱交換氣體給予形成痽感應器和被處理基板之間的微小間隙用﹔
第２排氣機構﹐藉第２通道來予以排氣形成在感應器和被處理基板之間的微小間隙內用﹔及
控制機構﹐個別予以控制第１及第２之氣體供給機構以及第１及第２之排氣機構﹐以令申第２氣體供給機構及第２排氣機構所產生於第２通道內之背壓形成較由第１氣體供給機構及第１排氣機構所產生於第１通道內之背壓更低。
简体摘要：本发明之等离子处理设备﹐系在等离子产生中﹐使用热交换气体来增进由感应器所赋与被处理基板之冷却效率的等离子处理设备﹐其特征为具备有﹕ 第１信道﹐开口于感应器上面之周缘部﹔ 第１气体供给机构﹐藉该第１信道来供热交换气体给予形成在感应器和被处理基板之间的微小间隙用﹔ 第１排气机构﹐藉第１信道来予以排气形成在感应器和被处理基板之间的微小间隙内用﹔ 第２信道﹐开口于感应器上面之中央部﹔ 第２气体供给机构﹐藉该第２信道来供热交换气体给予形成痽感应器和被处理基板之间的微小间隙用﹔ 第２排气机构﹐藉第２信道来予以排气形成在感应器和被处理基板之间的微小间隙内用﹔及控制机构﹐个别予以控制第１及第２之气体供给机构以及第１及第２之排气机构﹐以令申第２气体供给机构及第２排气机构所产生于第２信道内之背压形成较由第１气体供给机构及第１排气机构所产生于第１信道内之背压更低。

3. 发明专利

TW286364B 檢查裝置、運送裝置、及溫度調整裝置失效
简体标题：检查设备、运送设备、及温度调整设备
公开(公告)号：TW286364B
公开(公告)日：1996-09-21
申请号：TW084108150
申请日：1995-08-04
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：古屋邦浩 , 有賀剛 , 米俊裕 , 萩原順一
IPC分类号： G01R , B65G , H05B
CPC分类号： G01R31/2887 , Y10S414/141
摘要：檢查裝置係具備：將被檢查物運送至與拉觸部相對向之位置的運送部，及對接觸部向接離方向移動自如地設於該運送部，且吸附被檢查物並予以保持的吸附保持部，及設成與運送部不同體，推壓吸附保持部而將被檢查物壓接於接觸部的壓接機構，由此，因運送機構係從壓接機構分離，因此可輕量化，壓接機構係可形成最適當之壓接的設定。又，由於藉運送機構將被檢查物裝設在接觸部之狀態施以壓接，因此可縮短時間。又，提供一種不會有破壞被檢查物之虞，可增大耐久性而且不受被運送物或被檢查物之姿劫的影響可穩定地施行吸附，解放動作的運送裝置，而且提供一種可有效率地加熱或冷卻被檢查物，而對種類之不相同之被檢查物共通化載置板部的溫度調整裝置。
简体摘要：检查设备系具备：将被检查物运送至与拉触部相对向之位置的运送部，及对接触部向接离方向移动自如地设于该运送部，且吸附被检查物并予以保持的吸附保持部，及设成与运送部不同体，推压吸附保持部而将被检查物压接于接触部的压接机构，由此，因运送机构系从压接机构分离，因此可轻量化，压接机构系可形成最适当之压接的设置。又，由于藉运送机构将被检查物装设在接触部之状态施以压接，因此可缩短时间。又，提供一种不会有破坏被检查物之虞，可增大耐久性而且不受被运送物或被检查物之姿劫的影响可稳定地施行吸附，解放动作的运送设备，而且提供一种可有效率地加热或冷却被检查物，而对种类之不相同之被检查物共通化载置板部的温度调整设备。

4. 发明专利

TW267245B 探針裝置(二) 失效
简体标题：探针设备(二)
公开(公告)号：TW267245B
公开(公告)日：1996-01-01
申请号：TW083108685
申请日：1994-09-21
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：山田雅幸
IPC分类号： H01L
摘要：半導體晶圓的探針裝置具有放置晶圓的工作台。具有高剛或的印刷配線板位顧工作台上方。支塊裝在印免配線板上以穿過開口。支塊具有正對工作台的凹部，撓性膜狀探針卡可拆卸地裝在支塊上以覆蓋凹部。探針卡具有主區域，質中設置要接觸半導體晶圓電極墊片的接觸元件。剛性矩形框附在探針卡後表面，以包圍主區域，因此使探針卡平坦。推動器設在支塊凹部，以接觸探針卡主區域後側。推重器擺動設在垂直支撐之軸的下端。支塊經由兩個盤形彈簧來支撐軸。
简体摘要：半导体晶圆的探针设备具有放置晶圆的工作台。具有高刚或的印刷配线板位顾工作台上方。支块装在印免配线板上以穿过开口。支块具有正对工作台的凹部，挠性膜状探针卡可拆卸地装在支块上以覆盖凹部。探针卡具有主区域，质中设置要接触半导体晶圆电极垫片的接触组件。刚性矩形框附在探针卡后表面，以包围主区域，因此使探针卡平坦。推动器设在支块凹部，以接触探针卡主区域后侧。推重器摆动设在垂直支撑之轴的下端。支块经由两个盘形弹簧来支撑轴。

5. 发明专利

TW260857B 檢測電漿處理之終點方法及其裝置失效
简体标题：检测等离子处理之终点方法及其设备
公开(公告)号：TW260857B
公开(公告)日：1995-10-21
申请号：TW083101846
申请日：1994-03-03
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：齋藤進
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32935 , G01N21/73 , H01J37/32963 , H01J37/3299
摘要：擬提供一種不必回應於個個處理過程或個個被處理體來設定門限（低限）值，即使為不同電漿處理條件，亦能正確地檢測電漿之終點之具備普遍性之檢測終點方法及檢測終點裝置者。
使用本發明之檢測終點裝置之檢測終點方法，而由光檢測器依順序檢測使用電漿Ｐ來實施半導體晶片Ｗ之電漿處理時之發光光譜，而依據該發光光譜之特定波長之發光強度Ｉ之變化來檢測電漿處理之終點時，在電漿處理之初期所定時間Ｔ１內，將以平均值．分散值運算器來求出上述發光強度Ｉ之平均值ｍ及分散值σ２，並在經過初期所定時間Ｔ１後，則由運算器求出該發光強度Ｉ與該平均值ｍ之差，而後以比較器來比較該差和該分散值σ２，並在該比率超過基準值時之當時，由判定器來判定為電漿處理之終點者。
简体摘要：拟提供一种不必回应于个个处理过程或个个被处理体来设置门限（低限）值，即使为不同等离子处理条件，亦能正确地检测等离子之终点之具备普遍性之检测终点方法及检测终点设备者。使用本发明之检测终点设备之检测终点方法，而由光检测器依顺序检测使用等离子Ｐ来实施半导体芯片Ｗ之等离子处理时之发光光谱，而依据该发光光谱之特定波长之发光强度Ｉ之变化来检测等离子处理之终点时，在等离子处理之初期所定时间Ｔ１内，将以平均值．分散值运算器来求出上述发光强度Ｉ之平均值ｍ及分散值σ２，并在经过初期所定时间Ｔ１后，则由运算器求出该发光强度Ｉ与该平均值ｍ之差，而后以比较器来比较该差和该分散值σ２，并在该比率超过基准值时之当时，由判定器来判定为等离子处理之终点者。

6. 发明专利

TW407300B 電槳處理裝置失效
简体标题：电桨处理设备
公开(公告)号：TW407300B
公开(公告)日：2000-10-01
申请号：TW087116180
申请日：1998-09-29
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 科學技術振興事業團
发明人：輿水地鹽
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01J37/32633
摘要：誘導(感應)結合型之蝕刻裝置(100)，具有配設在處理室(102)之天井部的介電體壁(108)上之RF天線(l10)。處理室(102)由中間電極(128)之區隔部(154)而分割為電漿生成空間(132)及處理空間(134)。在處理空間(１34)內有配設載置半導體晶圓W之載置台(116)。區隔部(154)具有連通電漿生成空間(132)及處理空間(134)用之開口(130)，而該區隔部(154)乃由配置成為放射狀之多數的導電束(156)所形成。導電束(156)對於由RF天線(l10)所形成之電場方向，約以直角延伸並且為緩衝熱應力而具有彎曲。
简体摘要：诱导(感应)结合型之蚀刻设备(100)，具有配设在处理室(102)之天井部的介电体壁(108)上之RF天线(l10)。处理室(102)由中间电极(128)之区隔部(154)而分割为等离子生成空间(132)及处理空间(134)。在处理空间(１34)内有配设载置半导体晶圆W之载置台(116)。区隔部(154)具有连通等离子生成空间(132)及处理空间(134)用之开口(130)，而该区隔部(154)乃由配置成为放射状之多数的导电束(156)所形成。导电束(156)对于由RF天线(l10)所形成之电场方向，约以直角延伸并且为缓冲热应力而具有弯曲。

7. 发明专利

TW382743B 半導體處理系統中之電漿處理方法失效
简体标题：半导体处理系统中之等离子处理方法
公开(公告)号：TW382743B
公开(公告)日：2000-02-21
申请号：TW087110081
申请日：1998-06-23
申请人：科學技術振興事業團 , 東京電子山梨股份有限公司
发明人：石原博之 , 川村剛平
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24B37/013 , G01N21/68 , H01J37/32935 , H01J37/32963 , H01L22/26
摘要：於其上係置放有一晶圓的晶座和一上電極係被配置在一蝕刻裝置的處理室中俾可彼此相對。一光學傳輸窗被置放於該處理室的側壁。該上電極和該晶座係分別被供應有來自一第二RF電源供應器和一第一RF電源供應器的RF電力，俾可激動該處理室中的電漿。電漿的發射係由一光學偵測器透過該光學傳輸窗來偵測，而且資料係被取樣。在一CPU中，該取樣資料係以偉伯分佈函數為基礎作嘗試，藉此得到一估計方程式，而更進一步，該估計方程式的微分方程式被獲得。蝕刻的虛擬終點係從該估計方程式和微分方程式被預期。
简体摘要：于其上系置放有一晶圆的晶座和一上电极系被配置在一蚀刻设备的处理室中俾可彼此相对。一光学传输窗被置放于该处理室的侧壁。该上电极和该晶座系分别被供应有来自一第二RF电源供应器和一第一RF电源供应器的RF电力，俾可激动该处理室中的等离子。等离子的发射系由一光学侦测器透过该光学传输窗来侦测，而且数据系被采样。在一CPU中，该采样数据系以伟伯分布函数为基础作尝试，借此得到一估计方进程，而更进一步，该估计方进程的微分方进程被获得。蚀刻的虚拟终点系从该估计方进程和微分方进程被预期。

8. 发明专利

TW278140B 探針系統及檢測方法失效
简体标题：探针系统及检测方法
公开(公告)号：TW278140B
公开(公告)日：1996-06-11
申请号：TW084103365
申请日：1995-04-08
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：久慈基弘 , 吉岡晴彥 , 赤池伸二 , 高橋茂昭
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R31/2887 , G01R1/07314
摘要：本發明的探針系統是用以檢測在半導體晶圓（wafer）上排成行列狀的晶片（chip）的電特性。為接觸各晶片的電極片（pad），在具有複數個探針（probe）的探針片（probe card）之下，設有可在三度空間移動的ＸＹＺ移動台（stage）。在ＸＹＺ移動台之上，設有可在水平面上轉動的晶圓搭載台。為了拍攝探針，使可視區向上，在ＸＹＺ移動台上安裝上第１照相器。為了拍攝晶圓，使可視區向下，在搭載台上方設有第２照相器。相對於探針片下方的使用位置，第２照相器可在水平方向移動，進入，退出。為了對準第１及第２照相器的焦點位置及光軸，使用了標的（target），此標的是由安裝在ＸＹＺ移動台上的驅動部品來支持而移動。此標的在第１照相器的可視區內的進入位置及其可視區外的退出位置之間移動。在進入位置，此標的提供了與第一照相器的焦點位置對齊的基準點。搭載台、移動台及前述第１及第２照相器與控制及處理部相連接。控制及處理部則基於設定的３度空間座標，依編碼器（encoder）的脈衝（pulse）數來控制移動台的位置。
简体摘要：本发明的探针系统是用以检测在半导体晶圆（wafer）上排成行列状的芯片（chip）的电特性。为接触各芯片的电极片（pad），在具有复数个探针（probe）的探针片（probe card）之下，设有可在三度空间移动的ＸＹＺ移动台（stage）。在ＸＹＺ移动台之上，设有可在水平面上转动的晶圆搭载台。为了拍摄探针，使可视区向上，在ＸＹＺ移动台上安装上第１照相器。为了拍摄晶圆，使可视区向下，在搭载台上方设有第２照相器。相对于探针片下方的使用位置，第２照相器可在水平方向移动，进入，退出。为了对准第１及第２照相器的焦点位置及光轴，使用了标的（target），此标的是由安装在ＸＹＺ移动台上的驱动部品来支持而移动。此标的在第１照相器的可视区内的进入位置及其可视区外的退出位置之间移动。在进入位置，此标的提供了与第一照相器的焦点位置对齐的基准点。搭载台、移动台及前述第１及第２照相器与控制及处理部相连接。控制及处理部则基于设置的３度空间座标，依编码器（encoder）的脉冲（pulse）数来控制移动台的位置。

9. 发明专利

TW273629B 處理裝置失效
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TW273629B
公开(公告)日：1996-04-01
申请号：TW083111516
申请日：1994-12-10
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：戶澤茂樹 , 他力浩 , 細田正 , 遠藤昇佐
IPC分类号： H01L , H05H
摘要：在處理裝置上設置具有環狀壓接面之壓接機構用來壓接載置台上之被處理體之外周緣使之定位於指定位置上。在壓接面之內周側形成有反應生成物附著抑制部用來抑制，防止反應生成物圍靠，附著於壓接面上。如此，則與習知裝置比較可減少附著於壓接面內周上側之反應生成物之與被處理體之接觸。結果，可確實減少因反應生成物之剝離形成微粒進而附著於被處理體上。因此，與習知裝置比較可確實減少反應生成物之洗淨等相關之維護次數，提昇處理效率，同時可提高被處理體之良品率。
简体摘要：在处理设备上设置具有环状压接面之压接机构用来压接载置台上之被处理体之外周缘使之定位于指定位置上。在压接面之内周侧形成有反应生成物附着抑制部用来抑制，防止反应生成物围靠，附着于压接面上。如此，则与习知设备比较可减少附着于压接面内周上侧之反应生成物之与被处理体之接触。结果，可确实减少因反应生成物之剥离形成微粒进而附着于被处理体上。因此，与习知设备比较可确实减少反应生成物之洗净等相关之维护次数，提升处理效率，同时可提高被处理体之良品率。

10. 发明专利

TW269048B 電漿處理裝置及電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW269048B
公开(公告)日：1996-01-21
申请号：TW083110383
申请日：1994-11-09
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：今福光祐 , 內藤幸男 , 永關一也 , 田原一弘 , 百瀨賢次 , 遠藤昇佐 , 本高雄
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4405 , C23C16/4407 , C23C16/4483 , C23C16/4485 , C23C16/4557 , C23C16/5096 , C23C16/517 , H01J37/32082 , H01J37/32155 , H01J37/32165 , H01J37/3244
摘要：本發明之電漿處理裝置，係具備有：被接地之（處理）室；用以排氣該處理室內用之真空泵；載置晶圓用之感應器；被配設成與該感應器相對面於處理室內之簇射電極；從該簇射電極一方朝向感應器上之晶圓供給電漿產生（生成）用氣體之氣體供給裝置；對於感應器及簇射電極兩者個別施加第１頻率ｆ１之高頻電壓用之第１高頻電源；對於感應器及簇射電極之至少一方施加具有較第１頻率ｆ１更高頻率之第２頻率ｆ２的高頻電壓用之第２高頻電源；其一次側被連接於第１高頻電源而其二次側被連接於第１及第２電極各個之變壓器；及配設在該變壓器二次側之電路，而在電漿產生中，雖可令第１頻率ｆ１之高頻電流使之通過，惟對第２頻率ｆ２之高頻電流予以切離（截止）之低通濾波器。
简体摘要：本发明之等离子处理设备，系具备有：被接地之（处理）室；用以排气该处理室内用之真空泵；载置晶圆用之感应器；被配设成与该感应器相对面于处理室内之簇射电极；从该簇射电极一方朝向感应器上之晶圆供给等离子产生（生成）用气体之气体供给设备；对于感应器及簇射电极两者个别施加第１频率ｆ１之高频电压用之第１高频电源；对于感应器及簇射电极之至少一方施加具有较第１频率ｆ１更高频率之第２频率ｆ２的高频电压用之第２高频电源；其一次侧被连接于第１高频电源而其二次侧被连接于第１及第２电极各个之变压器；及配设在该变压器二次侧之电路，而在等离子产生中，虽可令第１频率ｆ１之高频电流使之通过，惟对第２频率ｆ２之高频电流予以切离（截止）之低通滤波器。

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