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1. 发明专利

TW269048B 電漿處理裝置及電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW269048B
公开(公告)日：1996-01-21
申请号：TW083110383
申请日：1994-11-09
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：今福光祐 , 內藤幸男 , 永關一也 , 田原一弘 , 百瀨賢次 , 遠藤昇佐 , 本高雄
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4405 , C23C16/4407 , C23C16/4483 , C23C16/4485 , C23C16/4557 , C23C16/5096 , C23C16/517 , H01J37/32082 , H01J37/32155 , H01J37/32165 , H01J37/3244
摘要：本發明之電漿處理裝置，係具備有：被接地之（處理）室；用以排氣該處理室內用之真空泵；載置晶圓用之感應器；被配設成與該感應器相對面於處理室內之簇射電極；從該簇射電極一方朝向感應器上之晶圓供給電漿產生（生成）用氣體之氣體供給裝置；對於感應器及簇射電極兩者個別施加第１頻率ｆ１之高頻電壓用之第１高頻電源；對於感應器及簇射電極之至少一方施加具有較第１頻率ｆ１更高頻率之第２頻率ｆ２的高頻電壓用之第２高頻電源；其一次側被連接於第１高頻電源而其二次側被連接於第１及第２電極各個之變壓器；及配設在該變壓器二次側之電路，而在電漿產生中，雖可令第１頻率ｆ１之高頻電流使之通過，惟對第２頻率ｆ２之高頻電流予以切離（截止）之低通濾波器。
简体摘要：本发明之等离子处理设备，系具备有：被接地之（处理）室；用以排气该处理室内用之真空泵；载置晶圆用之感应器；被配设成与该感应器相对面于处理室内之簇射电极；从该簇射电极一方朝向感应器上之晶圆供给等离子产生（生成）用气体之气体供给设备；对于感应器及簇射电极两者个别施加第１频率ｆ１之高频电压用之第１高频电源；对于感应器及簇射电极之至少一方施加具有较第１频率ｆ１更高频率之第２频率ｆ２的高频电压用之第２高频电源；其一次侧被连接于第１高频电源而其二次侧被连接于第１及第２电极各个之变压器；及配设在该变压器二次侧之电路，而在等离子产生中，虽可令第１频率ｆ１之高频电流使之通过，惟对第２频率ｆ２之高频电流予以切离（截止）之低通滤波器。

2. 发明专利

TW302508B 電漿處理方法及電漿蝕刻方法失效
简体标题：等离子处理方法及等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TW302508B
公开(公告)日：1997-04-11
申请号：TW084112784
申请日：1995-11-30
申请人：東京電子股份有限公司
发明人：土屋浩 , 今福光祐 , 內藤幸男 , 望月修二 , 深澤義男
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/3299 , H01J2237/3343
摘要：本發明係關於半導體製程之電漿處理方法及電漿蝕刻方法。其構成為，電漿蝕刻裝置，係具備有可設定成減壓狀態之處理容器；該處理容器係配設，有載置半導體晶圓之下側電極，及與下側電極相對之上側電極；下側電極及上側電極，分別連接著RF電源，可施加相位及電力比被分別控制之第１及第２高頻電力；為了使蝕刻率，蝕刻率之面內均一性，及蝕刻選擇比等之蝕刻特性為一定值，選擇第１及第２高頻電力之頻率，電力值及包含相對相位之參數值；在蝕刻中，第１及第２高頻電力，被個別的檢測器所監視．介由控制手段，維持在初始設定值。
简体摘要：本发明系关于半导体制程之等离子处理方法及等离子蚀刻方法。其构成为，等离子蚀刻设备，系具备有可设置成减压状态之处理容器；该处理容器系配设，有载置半导体晶圆之下侧电极，及与下侧电极相对之上侧电极；下侧电极及上侧电极，分别连接着RF电源，可施加相位及电力比被分别控制之第１及第２高频电力；为了使蚀刻率，蚀刻率之面内均一性，及蚀刻选择比等之蚀刻特性为一定值，选择第１及第２高频电力之频率，电力值及包含相对相位之参数值；在蚀刻中，第１及第２高频电力，被个别的检测器所监视．介由控制手段，维持在初始设置值。

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