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1. 发明专利

TW296535B 電漿處理方法及電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW296535B
公开(公告)日：1997-01-21
申请号：TW084106133
申请日：1995-06-15
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：瀨圭三 , 小美野光明 , 友安昌幸 , 永關一也 , 竹中裕人 , 西川浩 , ?本禎男
IPC分类号： H05H
摘要：本發明係關於電漿處理方法，降低製造室內之壓力，並排氣，將晶圓裝置於電納上，由噴射式電極朝向晶圓來供應處理用氣體，對電納來施加比處理用氣體的固有之下端離子遷移頻率更低的第1頻率CC之高周波電力，及對噴射式電極來施加比處理用氣體的固有之上端離子遷移頻率更高的第2頻率CC之高周波電力。
简体摘要：本发明系关于等离子处理方法，降低制造室内之压力，并排气，将晶圆设备于电纳上，由喷射式电极朝向晶圆来供应处理用气体，对电纳来施加比处理用气体的固有之下端离子迁移频率更低的第1频率CC之高周波电力，及对喷射式电极来施加比处理用气体的固有之上端离子迁移频率更高的第2频率CC之高周波电力。

2. 发明专利

TW294819B 電漿處理裝置及電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW294819B
公开(公告)日：1997-01-01
申请号：TW083111996
申请日：1994-12-21
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：土屋一雄 , 小野勝彥 , 西川浩 , 荒槷正司
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： C23C16/466 , C23C16/4586 , H01J37/32431 , H01J2237/2001
摘要：本發明之電漿處理裝置﹐係在電漿產生中﹐使用熱交換氣體來增進由感應器所賦與被處理基板之冷卻效率的電漿處理裝置﹐其特徵為具備有﹕
第１通道﹐開口於感應器上面之周緣部﹔
第１氣體供給機構﹐藉該第１通道來供熱交換氣體給予形成在感應器和被處理基板之間的微小間隙用﹔
第１排氣機構﹐藉第１通道來予以排氣形成在感應器和被處理基板之間的微小間隙內用﹔
第２通道﹐開口於感應器上面之中央部﹔
第２氣體供給機構﹐藉該第２通道來供熱交換氣體給予形成痽感應器和被處理基板之間的微小間隙用﹔
第２排氣機構﹐藉第２通道來予以排氣形成在感應器和被處理基板之間的微小間隙內用﹔及
控制機構﹐個別予以控制第１及第２之氣體供給機構以及第１及第２之排氣機構﹐以令申第２氣體供給機構及第２排氣機構所產生於第２通道內之背壓形成較由第１氣體供給機構及第１排氣機構所產生於第１通道內之背壓更低。
简体摘要：本发明之等离子处理设备﹐系在等离子产生中﹐使用热交换气体来增进由感应器所赋与被处理基板之冷却效率的等离子处理设备﹐其特征为具备有﹕ 第１信道﹐开口于感应器上面之周缘部﹔ 第１气体供给机构﹐藉该第１信道来供热交换气体给予形成在感应器和被处理基板之间的微小间隙用﹔ 第１排气机构﹐藉第１信道来予以排气形成在感应器和被处理基板之间的微小间隙内用﹔ 第２信道﹐开口于感应器上面之中央部﹔ 第２气体供给机构﹐藉该第２信道来供热交换气体给予形成痽感应器和被处理基板之间的微小间隙用﹔ 第２排气机构﹐藉第２信道来予以排气形成在感应器和被处理基板之间的微小间隙内用﹔及控制机构﹐个别予以控制第１及第２之气体供给机构以及第１及第２之排气机构﹐以令申第２气体供给机构及第２排气机构所产生于第２信道内之背压形成较由第１气体供给机构及第１排气机构所产生于第１信道内之背压更低。

3. 发明专利

TW273068B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW273068B
公开(公告)日：1996-03-21
申请号：TW083109725
申请日：1994-10-20
申请人：東京電子股份有限公司
发明人：今橋一成 , 田原好文 , 石井信雄 , 西川浩 , 輿水地
IPC分类号： H05H , H01L
摘要：本發明係一種高頻感應型電漿處理裝置。此電漿處理裝置具備：一具有氣體流入口及氣體流出口，且其中規定有處理室之處理容器，一配設於該處理室，用以支持具有被處理面的被處理體之支持機構，一對於上述處理室供給高頻能量，而在該處理室內產生感應電漿之機構，一對於該高頻能量產生機構施加高頻電壓之機構，一在上述電漿產生中，測定上述處理室內之壓力，並輸出對應該壓力變動的信號之機構，以及一根據來自上述測定機構之信號，控制上述高頻電流施加機構，而將施加電壓作可變控制之機構。
简体摘要：本发明系一种高频感应型等离子处理设备。此等离子处理设备具备：一具有气体流入口及气体流出口，且其中规定有处理室之处理容器，一配设于该处理室，用以支持具有被处理面的被处理体之支持机构，一对于上述处理室供给高频能量，而在该处理室内产生感应等离子之机构，一对于该高频能量产生机构施加高频电压之机构，一在上述等离子产生中，测定上述处理室内之压力，并输出对应该压力变动的信号之机构，以及一根据来自上述测定机构之信号，控制上述高频电流施加机构，而将施加电压作可变控制之机构。

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