专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201801179A 利用無晶片乾式清潔之光學放射光譜進行的乾式蝕刻處理特徵控制审中-公开
简体标题：利用无芯片干式清洁之光学放射光谱进行的干式蚀刻处理特征控制
公开(公告)号：TW201801179A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106110455
申请日：2017-03-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：科帕布萊恩 J , COPPA, BRIAN J. , 維大卡蘭姆迪帕克 , VEDHACHALAM, DEEPAK , 達薩帕弗朗索瓦 C , DASSAPA, FRANCOIS C.
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/66 , H01L21/02 , H01L21/67 , H05H1/46
CPC分类号： B08B7/0035 , B08B9/0865 , G01N21/73 , G01N21/94 , H01J37/32146 , H01J37/32669 , H01J37/32697 , H01J37/32862 , H01J37/32972 , H01J37/32981 , H01J2237/335 , H01L21/67023 , H01L21/67069 , H01L22/12
摘要：本文中描述了藉由將乾式清潔氣體流入電漿處理系統的電漿處理腔室中並於電漿處理腔室中點燃電漿以啟動無晶圓乾式清潔處理而從光學放射光譜儀系統取得光學放射光譜的結構、平台、及方法。
简体摘要：本文中描述了借由将干式清洁气体流入等离子处理系统的等离子处理腔室中并于等离子处理腔室中点燃等离子以启动无晶圆干式清洁处理而从光学放射光谱仪系统取得光学放射光谱的结构、平台、及方法。

2. 发明专利

TW201602555A 金屬試料中之氮之分析方法，金屬試料中之氮之分析裝置，熔鋼中之氮濃度調整方法及鋼之製造方法审中-公开
简体标题：金属试料中之氮之分析方法，金属试料中之氮之分析设备，熔钢中之氮浓度调整方法及钢之制造方法
公开(公告)号：TW201602555A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104121645
申请日：2015-07-03
申请人：杰富意鋼鐵股份有限公司 , JFE STEEL CORPORATION
发明人：城代哲史 , KINOSHIRO, SATOSHI , 豬瀨匡生 , INOSE, MASAO
IPC分类号： G01N21/67 , C21C7/00 , B22D11/11
CPC分类号： G01N21/67 , B22D11/001 , B22D11/108 , B22D11/11 , B22D11/16 , C21C7/10 , C22C38/002 , C22C38/02 , C22C38/04 , G01N21/73 , G01N33/0036 , G01N33/203 , G01N33/206
摘要：本發明係提供：正確且低成本定量金屬試料中之氮含有率的金屬試料中之氮之分析方法、金屬試料中之氮之分析裝置、熔鋼中之氮濃度調整方法及鋼之製造方法。本發明的金屬試料中之氮之分析方法，係包括有：在氬氣環境下利用脈衝加熱使含有氮成分的金屬試料熔融，而使上述氮成分氣化的熔融步驟；以及針對因上述熔融步驟所生成的氮氣及上述氬氣，利用氣體放電發光法進行分析，而定量上述金屬試料中之氮的分析步驟。利用以上的分析方法，分析從熔鋼所採取到之試料的氮濃度，再根據從分析所獲得的氮分析值，決定調整氮濃度的處理條件，並調整熔鋼中之氮濃度。
简体摘要：本发明系提供：正确且低成本定量金属试料中之氮含有率的金属试料中之氮之分析方法、金属试料中之氮之分析设备、熔钢中之氮浓度调整方法及钢之制造方法。本发明的金属试料中之氮之分析方法，系包括有：在氩气环境下利用脉冲加热使含有氮成分的金属试料熔融，而使上述氮成分气化的熔融步骤；以及针对因上述熔融步骤所生成的氮气及上述氩气，利用气体放电发光法进行分析，而定量上述金属试料中之氮的分析步骤。利用以上的分析方法，分析从熔钢所采取到之试料的氮浓度，再根据从分析所获得的氮分析值，决定调整氮浓度的处理条件，并调整熔钢中之氮浓度。

3. 发明专利

TW200902744A 用於反應環境視口視窗減少視窗模糊效應的方法和裝置 METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING THE EFFECTS OF WINDOW CLOUDING ON A VIEWPORT WINDOW IN A REACTIVE ENVIRONMENT 审中-公开
简体标题：用于反应环境视口窗口减少窗口模煳效应的方法和设备 METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING THE EFFECTS OF WINDOW CLOUDING ON A VIEWPORT WINDOW IN A REACTIVE ENVIRONMENT
公开(公告)号：TW200902744A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097115708
申请日：2008-04-29
申请人：真實儀器公司 VERITY INSTRUMENTS, INC.
发明人：凱尼斯哈飛 KENNETH C. HARVEY
IPC分类号： C23C , G01J , B01J
CPC分类号： G01J5/02 , G01J5/0007 , G01J5/026 , G01J5/04 , G01J5/08 , G01J5/0859 , G01J5/0875 , G01J5/0893 , G01N21/15 , G01N21/359 , G01N21/55 , G01N21/73 , G01N2021/151 , G01N2021/8411
摘要：提供了多通道陣列結構和一種機制,用於在多通道陣列中建立黏滯流來阻止導致視窗模糊的微粒流入。提供反應腔體用於將反應壓力限制在反應容積中,沿著該腔體具有視口視窗用於查看至少部分反應容積。在反應腔體中設置有進入口,連接至反應容積,用於在反應容積中接收反應氣體,而排出口設置在反應腔體中,連接至反應容積用於從反應容積提取出氣體流。多通道陣列(MCA)設置在視口視窗和反應腔體的反應容積之間。MCA具有多個通道,每個通道具有直徑和長度。
简体摘要：提供了多信道数组结构和一种机制,用于在多信道数组中创建黏滞流来阻止导致窗口模煳的微粒流入。提供反应腔体用于将反应压力限制在反应容积中,沿着该腔体具有视口窗口用于查看至少部分反应容积。在反应腔体中设置有进入口,连接至反应容积,用于在反应容积中接收反应气体,而排出口设置在反应腔体中,连接至反应容积用于从反应容积提取出气体流。多信道数组(MCA)设置在视口窗口和反应腔体的反应容积之间。MCA具有多个信道,每个信道具有直径和长度。

4. 发明专利

TW280083B 檢測電漿處理之終點方法及其裝置失效
简体标题：检测等离子处理之终点方法及其设备
公开(公告)号：TW280083B
公开(公告)日：1996-07-01
申请号：TW084100083
申请日：1994-03-03
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：齋藤進
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32935 , G01N21/73 , H01J37/32963 , H01J37/3299
摘要：擬提供一種不必回應於個個處理過程或個個被處理體來設定門限（低限）值，即使為不同電漿處理條件，亦能正確地檢測電漿之終點之具備普遍性之檢測終點方法及檢測終點裝置者。
使用本發明之檢測終點裝置之檢測終點方法，而由光檢測器依順序檢測使用電漿Ｐ來實施半導體晶片Ｗ之電漿處理時之發光光譜，而依據該發光光譜之特定波長之發光強度Ｉ之變化來檢測電漿處理之終點時，在電漿處理之初期所定時間Ｔ1 內，將以平均值．分散值運算器來求出上述發光強度Ｉ之平均值ｍ及分散值σ２，並在經過初期所定時間Ｔ1 後，則由運算器求出該發光強度Ｉ與該平均值ｍ之差，而後以比較器來比較該差和該分散值σ２，並在該比率超過基準值時之當時，由判定器來判定為電漿處理之終點者。
简体摘要：拟提供一种不必回应于个个处理过程或个个被处理体来设置门限（低限）值，即使为不同等离子处理条件，亦能正确地检测等离子之终点之具备普遍性之检测终点方法及检测终点设备者。使用本发明之检测终点设备之检测终点方法，而由光检测器依顺序检测使用等离子Ｐ来实施半导体芯片Ｗ之等离子处理时之发光光谱，而依据该发光光谱之特定波长之发光强度Ｉ之变化来检测等离子处理之终点时，在等离子处理之初期所定时间Ｔ1 内，将以平均值．分散值运算器来求出上述发光强度Ｉ之平均值ｍ及分散值σ２，并在经过初期所定时间Ｔ1 后，则由运算器求出该发光强度Ｉ与该平均值ｍ之差，而后以比较器来比较该差和该分散值σ２，并在该比率超过基准值时之当时，由判定器来判定为等离子处理之终点者。

5. 发明专利

TWI580946B 金屬試料中之氮之分析方法，金屬試料中之氮之分析裝置，熔鋼中之氮濃度調整方法及鋼之製造方法有权
简体标题：金属试料中之氮之分析方法，金属试料中之氮之分析设备，熔钢中之氮浓度调整方法及钢之制造方法
公开(公告)号：TWI580946B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104121645
申请日：2015-07-03
申请人：杰富意鋼鐵股份有限公司 , JFE STEEL CORPORATION
发明人：城代哲史 , KINOSHIRO, SATOSHI , 豬瀨匡生 , INOSE, MASAO
IPC分类号： G01N21/67 , C21C7/00 , B22D11/11
CPC分类号： G01N21/67 , B22D11/001 , B22D11/108 , B22D11/11 , B22D11/16 , C21C7/10 , C22C38/002 , C22C38/02 , C22C38/04 , G01N21/73 , G01N33/0036 , G01N33/203 , G01N33/206

6. 发明专利

TWI453821B 監測在實質上不含氧和氮之電漿灰化方法中氧和／或氮物種程度的方法有权
简体标题：监测在实质上不含氧和氮之等离子灰化方法中氧和／或氮物种程度的方法
公开(公告)号：TWI453821B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW096108898
申请日：2007-03-15
申请人：藍姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：帕拉尼庫馬蘭塞提佛 , SAKTHIVEL, PALANIKUMARAN , 湯瑪斯柏克利 , BUCKLEY, THOMAS , 亞倫貝克納 , BECKNELL, ALAN
IPC分类号： H01L21/311 , G03F7/42
CPC分类号： G03F7/427 , G01N21/73 , H01J37/32972 , H01L21/31138

7. 发明专利

TW201325800A 具有電漿檢測機構之雷射加工裝置审中-公开
简体标题：具有等离子检测机构之激光加工设备
公开(公告)号：TW201325800A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101133136
申请日：2012-09-11
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：森數洋司 , MORIKAZU, HIROSHI , 西野曜子 , NISHINO, YOKO
IPC分类号： B23K26/42 , H01L21/66
CPC分类号： B23K26/032 , B23K26/0853 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , G01N21/718 , G01N21/73 , H01L21/67092 , H01L21/67253 , H01L22/26 , H01L33/007 , H01L33/0095
摘要：本發明之課題係提供適合藉從磊晶基板之背面側將雷射光線照射於緩衝層而從光學裝置層將藍寶石基板剝離之具有電漿檢測機構的雷射加工裝置。本發明之雷射加工裝置係從於藍寶石基板之表面隔著緩衝層而積層有光學裝置層之光學裝置晶圓剝離藍寶石基板者，其包含有夾台、雷射光線照射機構、電漿檢測機構、及顯示機構，該夾台係保持光學裝置晶圓者；該雷射光線照射機構係將脈衝雷射光線照射於保持在該夾台之光學裝置晶圓，以破壞該緩衝層者；該電漿檢測機構係檢測藉從該雷射光線照射機構將雷射光線照射於光學裝置晶圓而生成於該緩衝層之電漿光的光強度者；該顯示機構係顯示以該電漿檢測機構所檢測出之電漿光之光強度者；又，該電漿檢測機構可檢測前述電漿光之從形成該緩衝層之物質產生之波長區之電漿光的光強度。
简体摘要：本发明之课题系提供适合藉从磊晶基板之背面侧将激光光线照射于缓冲层而从光学设备层将蓝宝石基板剥离之具有等离子检测机构的激光加工设备。本发明之激光加工设备系从于蓝宝石基板之表面隔着缓冲层而积层有光学设备层之光学设备晶圆剥离蓝宝石基板者，其包含有夹台、激光光线照射机构、等离子检测机构、及显示机构，该夹台系保持光学设备晶圆者；该激光光线照射机构系将脉冲激光光线照射于保持在该夹台之光学设备晶圆，以破坏该缓冲层者；该等离子检测机构系检测藉从该激光光线照射机构将激光光线照射于光学设备晶圆而生成于该缓冲层之等离子光的光强度者；该显示机构系显示以该等离子检测机构所检测出之等离子光之光强度者；又，该等离子检测机构可检测前述等离子光之从形成该缓冲层之物质产生之波长区之等离子光的光强度。

8. 发明专利

TWI376005B 利用近紅外線光譜反射量測術的先進處理感測與控制 ADVANCED PROCESS SENSING AND CONTROL USING NEAR INFRARED SPECTRAL REFLECTOMETRY 失效
简体标题：利用近红外线光谱反射量测术的雪铁龙处理传感与控制 ADVANCED PROCESS SENSING AND CONTROL USING NEAR INFRARED SPECTRAL REFLECTOMETRY
公开(公告)号：TWI376005B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW098106582
申请日：2009-02-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：戴維斯馬修芬頓 , 連磊
IPC分类号： H01L , G01J
CPC分类号： H01L21/67253 , G01N21/73 , G02B6/04 , G02B6/40 , H01J37/32935 , H01J37/32972
摘要：所揭示之實施方式提供一種在使用電漿的基材製造製程中獲取製程資訊之方法及設備。在一實施方式中，提供一具有一或多個光學量測模組之腔室，該些光學量測模組設置成可於實質上垂直的角度上偵測電漿製程的光能量。由偵測到的光能量所獲得之量測資訊可用以決定終點、基材溫度以及監控基材上的關鍵尺寸。
简体摘要：所揭示之实施方式提供一种在使用等离子的基材制造制程中获取制程信息之方法及设备。在一实施方式中，提供一具有一或多个光学量测模块之腔室，该些光学量测模块设置成可于实质上垂直的角度上侦测等离子制程的光能量。由侦测到的光能量所获得之量测信息可用以决定终点、基材温度以及监控基材上的关键尺寸。

9. 发明专利

TW200802602A 監測在實質上不含氧和氮之電漿灰化方法中氧和/或氮物種程度的方法 PROCESSES FOR MONITORING THE LEVELS OF OXYGEN AND/OR NITROGEN SPECIES IN A SUBSTANTIALLY OXYGEN AND NITROGEN-FREE PLASMA ASHING PROCESS 审中-公开
简体标题：监测在实质上不含氧和氮之等离子灰化方法中氧和/或氮物种程度的方法 PROCESSES FOR MONITORING THE LEVELS OF OXYGEN AND/OR NITROGEN SPECIES IN A SUBSTANTIALLY OXYGEN AND NITROGEN-FREE PLASMA ASHING PROCESS
公开(公告)号：TW200802602A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096108898
申请日：2007-03-15
申请人：艾克塞利斯科技公司 AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：帕拉尼庫馬蘭塞提佛 SAKTHIVEL, PALANIKUMARAN , 湯瑪斯柏克利 BUCKLEY, THOMAS , 亞倫貝克納 BECKNELL, ALAN
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/427 , G01N21/73 , H01J37/32972 , H01L21/31138
摘要：本發明係關於監測在實質上不含氧和氮之電漿灰化方法中氧和/或氮程度的方法,其一般包括利用光發射來監測該電漿。電漿中所存在之低程度氧和/或氮物種對一般含量豐富之其他物種所產生的效應係被監測,並與該電漿中所存在之氧和氮的量加以關聯。這所謂"效應偵測"方法監測與異於氮和/或氧之物種特別有關的光譜因微量氧和/或氮物種的存在所造成的擾動,並用於以1ppm大小(且可能以1ppb大小)之靈敏度來定量測定氧和/或氮之含量。
简体摘要：本发明系关于监测在实质上不含氧和氮之等离子灰化方法中氧和/或氮程度的方法,其一般包括利用光发射来监测该等离子。等离子中所存在之低程度氧和/或氮物种对一般含量丰富之其他物种所产生的效应系被监测,并与该等离子中所存在之氧和氮的量加以关联。这所谓"效应侦测"方法监测与异于氮和/或氧之物种特别有关的光谱因微量氧和/或氮物种的存在所造成的扰动,并用于以1ppm大小(且可能以1ppb大小)之灵敏度来定量测定氧和/或氮之含量。

10. 发明专利

TW200709271A 分時多工程序中終點之波長選擇 SELECTION OF WAVELENGTHS FOR END POINT IN A TIME DIVISION MULTIPLEXED PROCESS 审中-公开
简体标题：时分复用进程中终点之波长选择 SELECTION OF WAVELENGTHS FOR END POINT IN A TIME DIVISION MULTIPLEXED PROCESS
公开(公告)号：TW200709271A
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：TW095129742
申请日：2006-08-14
申请人：尤那西斯美國公司 UNAXIS USA, INC.
发明人：大衛强森 JOHNSON, DAVID , 魯塞爾威斯特曼 WESTERMAN, RUSSELL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01N21/73 , B81C1/00579 , H01J37/32935 , H01J37/32963 , H01L22/26
摘要：本發明提供一種用於在一交替循環蝕刻處理程序或是分時多工處理程序之過程中建立終點的方法。將一基板放置在一電漿室內,並承受於一具有一蝕刻步驟及一沉積步驟之交替循環處理。利用已知的光學發射頻譜測量技術來監視電漿發射强度的變化。由產物基於一來自一蝕刻的電漿發射以選定一第一波長範圍,並且基於一來自一電漿背景的電漿發射選定一第二波長範圍。計算出一該第一波長範圍對該第二波長範圍的比例値,並用以調整一自該分時多工處理程序所產生信號之屬性的監視作業。當在根據該監視步驟之時而觸抵該終點時,即中斷該交替循環處理程序。
简体摘要：本发明提供一种用于在一交替循环蚀刻处理进程或是时分复用处理进程之过程中创建终点的方法。将一基板放置在一等离子室内,并承受于一具有一蚀刻步骤及一沉积步骤之交替循环处理。利用已知的光学发射频谱测量技术来监视等离子发射强度的变化。由产物基于一来自一蚀刻的等离子发射以选定一第一波长范围,并且基于一来自一等离子背景的等离子发射选定一第二波长范围。计算出一该第一波长范围对该第二波长范围的比例値,并用以调整一自该时分复用处理进程所产生信号之属性的监视作业。当在根据该监视步骤之时而触抵该终点时,即中断该交替循环处理进程。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式