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1. 发明专利

TW269048B 電漿處理裝置及電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW269048B
公开(公告)日：1996-01-21
申请号：TW083110383
申请日：1994-11-09
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：今福光祐 , 內藤幸男 , 永關一也 , 田原一弘 , 百瀨賢次 , 遠藤昇佐 , 本高雄
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4405 , C23C16/4407 , C23C16/4483 , C23C16/4485 , C23C16/4557 , C23C16/5096 , C23C16/517 , H01J37/32082 , H01J37/32155 , H01J37/32165 , H01J37/3244
摘要：本發明之電漿處理裝置，係具備有：被接地之（處理）室；用以排氣該處理室內用之真空泵；載置晶圓用之感應器；被配設成與該感應器相對面於處理室內之簇射電極；從該簇射電極一方朝向感應器上之晶圓供給電漿產生（生成）用氣體之氣體供給裝置；對於感應器及簇射電極兩者個別施加第１頻率ｆ１之高頻電壓用之第１高頻電源；對於感應器及簇射電極之至少一方施加具有較第１頻率ｆ１更高頻率之第２頻率ｆ２的高頻電壓用之第２高頻電源；其一次側被連接於第１高頻電源而其二次側被連接於第１及第２電極各個之變壓器；及配設在該變壓器二次側之電路，而在電漿產生中，雖可令第１頻率ｆ１之高頻電流使之通過，惟對第２頻率ｆ２之高頻電流予以切離（截止）之低通濾波器。
简体摘要：本发明之等离子处理设备，系具备有：被接地之（处理）室；用以排气该处理室内用之真空泵；载置晶圆用之感应器；被配设成与该感应器相对面于处理室内之簇射电极；从该簇射电极一方朝向感应器上之晶圆供给等离子产生（生成）用气体之气体供给设备；对于感应器及簇射电极两者个别施加第１频率ｆ１之高频电压用之第１高频电源；对于感应器及簇射电极之至少一方施加具有较第１频率ｆ１更高频率之第２频率ｆ２的高频电压用之第２高频电源；其一次侧被连接于第１高频电源而其二次侧被连接于第１及第２电极各个之变压器；及配设在该变压器二次侧之电路，而在等离子产生中，虽可令第１频率ｆ１之高频电流使之通过，惟对第２频率ｆ２之高频电流予以切离（截止）之低通滤波器。

2. 发明专利

TW299559B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW299559B
公开(公告)日：1997-03-01
申请号：TW083112266
申请日：1994-12-28
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：土屋浩 , 今福光? , 內藤幸男 , 友安昌幸 , 永關一也 , 田原一弘 , 遠藤昇佐
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32623
摘要：本發明之目的，係擬提供一種為了良好地來實施高細微之電漿處理加工，而邊採用較簡單之平行平面板形式之裝置結構，邊使電漿在於處理容器內而不朝外面擴散，以關閉於電漿產生區域內來實現高之電漿密度，並極少具有由於污染而予以產生晶圓之污染之虞之電漿處理裝置者。區域周圍，配設用以關閉前述電漿於該電漿產生區域，以令電漿留住於該電漿產生區域，而增進在處理區域之電漿密度，且對於處理容器內壁上亦不產生污染。
简体摘要：本发明之目的，系拟提供一种为了良好地来实施高细微之等离子处理加工，而边采用较简单之平行平皮肤形式之设备结构，边使等离子在于处理容器内而不朝外面扩散，以关闭于等离子产生区域内来实现高之等离子密度，并极少具有由于污染而予以产生晶圆之污染之虞之等离子处理设备者。区域周围，配设用以关闭前述等离子于该等离子产生区域，以令等离子留住于该等离子产生区域，而增进在处理区域之等离子密度，且对于处理容器内壁上亦不产生污染。

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