专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201842321A 校準曲線作成方法、碳濃度測定方法及矽晶圓製造方法审中-公开
简体标题：校准曲线作成方法、碳浓度测定方法及硅晶圆制造方法
公开(公告)号：TW201842321A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106141698
申请日：2017-11-29
申请人：日商環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBAL WAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：中川聰子 , NAKAGAWA, SATOKO , 永井勇太 , NAGAI, YUTA
IPC分类号： G01N21/64 , H01L21/66 , C30B29/06
摘要：關於包含高濃度氧的矽晶圓，能以少數的校準曲線進行碳濃度測定。校準曲線的作成方法包含以下步驟：準備氧濃度彼此不同的晶圓群，該晶圓群各包含氧濃度相同，碳濃度不同的矽晶圓（S11）；以不同照射量照射電子射線至各矽晶圓的複數區域（S12）；對各區域求得來自矽的第一發光強度與來自碳的第二發光強度的比（S13）；在此獲得的資料，分類成照射量及氧濃度的至少一者彼此不同的複數個資料集，在複數個資料集的各資料集中，照射量及氧濃度相同，對每一資料集作成第一校準曲線（S14）；選擇照射量相同且氧濃度不同的一對第一校準曲線，求得在繪成這些的雙對數坐標圖的情況下的斜率差（S15）；以及使用用於作成選擇的第一校準曲線的資料集所包含的所有資料，來作成第二校準曲線（S16）。
简体摘要：关于包含高浓度氧的硅晶圆，能以少数的校准曲线进行碳浓度测定。校准曲线的作成方法包含以下步骤：准备氧浓度彼此不同的晶圆群，该晶圆群各包含氧浓度相同，碳浓度不同的硅晶圆（S11）；以不同照射量照射电子射线至各硅晶圆的复数区域（S12）；对各区域求得来自硅的第一发光强度与来自碳的第二发光强度的比（S13）；在此获得的数据，分类成照射量及氧浓度的至少一者彼此不同的复数个数据集，在复数个数据集的各数据集中，照射量及氧浓度相同，对每一数据集作成第一校准曲线（S14）；选择照射量相同且氧浓度不同的一对第一校准曲线，求得在绘成这些的双对数坐标图的情况下的斜率差（S15）；以及使用用于作成选择的第一校准曲线的数据集所包含的所有数据，来作成第二校准曲线（S16）。

2. 发明专利

TWI647440B 校準曲線作成方法、碳濃度測定方法及矽晶圓製造方法有权
简体标题：校准曲线作成方法、碳浓度测定方法及硅晶圆制造方法
公开(公告)号：TWI647440B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106141698
申请日：2017-11-29
申请人：日商環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBAL WAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：中川聰子 , NAKAGAWA, SATOKO , 永井勇太 , NAGAI, YUTA
IPC分类号： G01N21/64 , H01L21/66 , C30B29/06

3. 发明专利

TWI689634B 矽單晶的製造方法有权
简体标题：硅单晶的制造方法
公开(公告)号：TWI689634B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107141867
申请日：2018-11-23
申请人：日商環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：松村尚 , MATSUMURA, HISASHI , 坪田寛之 , TSUBOTA, HIROYUKI , 永井勇太 , NAGAI, YUTA , 安部吉亮 , ABE, YOSHIAKI
IPC分类号： C30B15/10 , C30B15/14 , C30B29/06

4. 发明专利

TWI696721B 磊晶矽晶圓的製造方法有权
简体标题：磊晶硅晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI696721B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW108121621
申请日：2019-06-21
申请人：日商環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：山本純 , YAMAMOTO, JUN , 松田信也 , MATSUDA, SHINYA
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B29/06 , H01L21/205

5. 发明专利

TWI684018B 矽晶圓的評價方法有权
简体标题：硅晶圆的评价方法
公开(公告)号：TWI684018B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW107128454
申请日：2018-08-15
申请人：日商環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：須藤治生 , SUDO, HARUO , 荒木延惠 , ARAKI, NOBUE , 岡部和樹 , OKABE, KAZUKI , 荒木浩司 , ARAKI, KOJI
IPC分类号： G01R31/26 , G01N23/083

6. 发明专利

TW201910762A 矽晶圓的電阻率測量方法审中-公开
简体标题：硅晶圆的电阻率测量方法
公开(公告)号：TW201910762A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107119841
申请日：2018-06-08
申请人：日商環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：斎藤広幸 , SAITO, HIROYUKI , 木村珠美 , KIMURA, TAMAMI , 松村尚 , MATSUMURA, HISASHI
IPC分类号： G01N27/14 , G01R31/26
摘要：本發明之矽晶圓的電阻率測量方法正確地求出僅摻雜劑的電阻率。本發明之矽晶圓的電阻率測量方法係包括以下步驟：求出矽晶圓W所具有之氧濃度與熱施體量之關係式；對被收容於縱型晶舟1之製造對象之矽晶圓W施予用以藉由以縱型熱處理爐2進行熱處理而將熱施體消去之施體消除處理，且將前述縱型晶舟自前述縱型熱處理爐以預定速度出爐後，測量矽晶圓的電阻率及氧濃度；根據已測量之前述矽晶圓的電阻率求出包含摻雜劑及熱施體之載體濃度；根據已測量之前述矽晶圓的氧濃度，藉由前述關係式求出前述矽晶圓所具有之熱施體量；求出從已求出之前述載體濃度減去已求出之前述熱施體量之摻雜劑量；以及將已求出之前述摻雜劑量轉換為電阻率。
简体摘要：本发明之硅晶圆的电阻率测量方法正确地求出仅掺杂剂的电阻率。本发明之硅晶圆的电阻率测量方法系包括以下步骤：求出硅晶圆W所具有之氧浓度与热施体量之关系式；对被收容于纵型晶舟1之制造对象之硅晶圆W施予用以借由以纵型热处理炉2进行热处理而将热施体消去之施体消除处理，且将前述纵型晶舟自前述纵型热处理炉以预定速度出炉后，测量硅晶圆的电阻率及氧浓度；根据已测量之前述硅晶圆的电阻率求出包含掺杂剂及热施体之载体浓度；根据已测量之前述硅晶圆的氧浓度，借由前述关系式求出前述硅晶圆所具有之热施体量；求出从已求出之前述载体浓度减去已求出之前述热施体量之掺杂剂量；以及将已求出之前述掺杂剂量转换为电阻率。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式