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1. 发明专利

TWI684018B 矽晶圓的評價方法有权
简体标题：硅晶圆的评价方法
公开(公告)号：TWI684018B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW107128454
申请日：2018-08-15
申请人：日商環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：須藤治生 , SUDO, HARUO , 荒木延惠 , ARAKI, NOBUE , 岡部和樹 , OKABE, KAZUKI , 荒木浩司 , ARAKI, KOJI
IPC分类号： G01R31/26 , G01N23/083

2. 发明专利

TW201513224A 矽晶圓及其製造方法审中-公开
简体标题：硅晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TW201513224A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103126803
申请日：2014-08-05
申请人：環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：荒木浩司 , ARAKI, KOJI , 青木龍彥 , AOKI, TATSUHIKO , 須藤治生 , SUDO, HARUO , 仙田剛士 , SENDA, TAKESHI
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02008 , C30B15/206 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , H01L21/324 , Y10T428/24488 , Y10T428/31
摘要：本發明提供一種矽晶圓及其製造方法，該矽晶圓可抑制半導體元件形成步驟中之熱處理時之滑移位錯之產生，且降低元件形成區域中之COP或氧析出核等結晶缺陷，並且於面內直徑方向上均勻地控制表體部中之氧析出核。對自藉由切克勞斯基法生長之矽單晶錠切片所得的晶圓於含氧環境中實施在最高到達溫度1300~1380℃之範圍內保持5~60秒之急速升降溫熱處理後，將晶圓之元件形成面1除去由下述式(1)~(3)算出之X之值以上。 X[μm]=a[μm]+b[μm] (1) a[μm]=(0.0031×最高到達溫度[℃]-3.1)×6.4×降溫速度-0.4[℃/秒] (2) b[μm]=a/(氧固溶限[atoms/cm3]/基板氧濃度[atoms/cm3]) (3)
简体摘要：本发明提供一种硅晶圆及其制造方法，该硅晶圆可抑制半导体组件形成步骤中之热处理时之滑移位错之产生，且降低组件形成区域中之COP或氧析出核等结晶缺陷，并且于面内直径方向上均匀地控制表体部中之氧析出核。对自借由切克劳斯基法生长之硅单晶锭切片所得的晶圆于含氧环境中实施在最高到达温度1300~1380℃之范围内保持5~60秒之急速升降温热处理后，将晶圆之组件形成面1除去由下述式(1)~(3)算出之X之值以上。 X[μm]=a[μm]+b[μm] (1) a[μm]=(0.0031×最高到达温度[℃]-3.1)×6.4×降温速度-0.4[℃/秒] (2) b[μm]=a/(氧固溶限[atoms/cm3]/基板氧浓度[atoms/cm3]) (3)

3. 发明专利

TW201805494A 矽晶圓之熱處理方法审中-公开
简体标题：硅晶圆之热处理方法
公开(公告)号：TW201805494A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106112131
申请日：2017-04-12
申请人：環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：前田進 , MAEDA, SUSUMU , 番場博則 , BANBA, HIRONORI , 須藤治生 , SUDO, HARUO , 岡村秀幸 , OKAMURA, HIDEYUKI , 荒木浩司 , ARAKI, KOJI , 末剛浩治 , SUEOKA, KOJI , 中村浩三 , NAKAMURA, KOZO
IPC分类号： C30B33/02 , H01L21/26 , H01L21/322
CPC分类号： C30B33/02 , H01L21/26 , H01L21/322
摘要：本發明之快速升降溫熱處理裝置之處理溫度TS為1250℃以上且1350℃以下之範圍內，並且，自上述處理溫度之降溫速度Rd為20℃/秒以上且150℃/秒以下之範圍內，於熱處理氣氛氣體中之氧分壓P之上限P＝0.00207TS・Rd－2.52Rd＋13.3((A)式)、P之下限P＝0.000548TS・Rd－0.605Rd－0.511((B)式)之範圍內調節處理溫度TS、降溫速度Rd進行熱處理。
简体摘要：本发明之快速升降温热处理设备之处理温度TS为1250℃以上且1350℃以下之范围内，并且，自上述处理温度之降温速度Rd为20℃/秒以上且150℃/秒以下之范围内，于热处理气氛气体中之氧分压P之上限P＝0.00207TS・Rd－2.52Rd＋13.3((A)式)、P之下限P＝0.000548TS・Rd－0.605Rd－0.511((B)式)之范围内调节处理温度TS、降温速度Rd进行热处理。

4. 发明专利

TW201802305A 矽晶圓审中-公开
简体标题：硅晶圆
公开(公告)号：TW201802305A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106110310
申请日：2017-03-28
申请人：環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：前田進 , MAEDA, SUSUMU , 番場博則 , BANBA, HIRONORI , 須藤治生 , SUDO, HARUO , 岡村秀幸 , OKAMURA, HIDEYUKI , 荒木浩司 , ARAKI, KOJI , 末岡浩治 , SUEOKA, KOJI , 中村浩三 , NAKAMURA, KOZO
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02
CPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/322
摘要：本發明係構成一種矽晶圓，其具備：無缺陷區域(10)，其為作為空位與氧之複合體之空位氧複合體之濃度未達1.0×1012/cm3之最表層；中間層(11)，其鄰接於無缺陷區域(10)之晶圓深度方向內側而形成，上述空位氧複合體之濃度自無缺陷區域(10)側朝向厚度方向內側於1.0×1012/cm3以上且未達5.0×1012/cm3之範圍內逐漸增加，且對應於無缺陷區域(10)之寬度而確定寬度；及主體層(12)，其鄰接於中間層(11)之晶圓深度方向內側而形成，上述空位氧複合體之濃度為5.0×1012/cm3以上。
简体摘要：本发明系构成一种硅晶圆，其具备：无缺陷区域(10)，其为作为空位与氧之复合体之空位氧复合体之浓度未达1.0×1012/cm3之最表层；中间层(11)，其邻接于无缺陷区域(10)之晶圆深度方向内侧而形成，上述空位氧复合体之浓度自无缺陷区域(10)侧朝向厚度方向内侧于1.0×1012/cm3以上且未达5.0×1012/cm3之范围内逐渐增加，且对应于无缺陷区域(10)之宽度而确定宽度；及主体层(12)，其邻接于中间层(11)之晶圆深度方向内侧而形成，上述空位氧复合体之浓度为5.0×1012/cm3以上。

5. 发明专利

TW201709265A 矽晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：硅晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201709265A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105108987
申请日：2016-03-23
申请人：環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：須藤治生 , SUDO, HARUO , 荒木浩司 , ARAKI, KOJI , 青木龍彥 , AOKI, TATSUHIKO , 前田進 , MAEDA, SUSUMU
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3225
摘要：提供一種矽晶圓的製造方法，能減少半導體器件形成區域中的COP(晶體原生顆粒)及氧析出核等晶體缺陷，並抑制在器件形成步驟中熱處理時發生之滑移錯位。矽晶圓的製造方法係具備：第1步驟，係在氧化性氣體氛圍中將最高到達溫度設為1300℃以上1380℃以下，對藉由CZ法(丘克拉斯基法)所成長之單晶矽鑄錠切片後之原料矽晶圓進行熱處理；第2步驟，係對在第1步驟所得之熱處理矽晶圓進行剝離處理，將該熱處理矽晶圓表面的氧化膜剝離；以及第3步驟，在非氧化性氣體氛圍中將最高到達溫度設為1200℃以上1380℃以下，將昇溫速度設為1℃/sec以上150℃/sec以下，以從所得之矽晶圓的表面至深度7μm為止的區域之氧濃度的最大值成為1.3×1018atoms/cm3以下之方式對在第2步驟所得之被剝離矽晶圓進行熱處理。
简体摘要：提供一种硅晶圆的制造方法，能减少半导体器件形成区域中的COP(晶体原生颗粒)及氧析出核等晶体缺陷，并抑制在器件形成步骤中热处理时发生之滑移错位。硅晶圆的制造方法系具备：第1步骤，系在氧化性气体氛围中将最高到达温度设为1300℃以上1380℃以下，对借由CZ法(丘克拉布斯基法)所成长之单晶硅铸锭切片后之原料硅晶圆进行热处理；第2步骤，系对在第1步骤所得之热处理硅晶圆进行剥离处理，将该热处理硅晶圆表面的氧化膜剥离；以及第3步骤，在非氧化性气体氛围中将最高到达温度设为1200℃以上1380℃以下，将升温速度设为1℃/sec以上150℃/sec以下，以从所得之硅晶圆的表面至深度7μm为止的区域之氧浓度的最大值成为1.3×1018atoms/cm3以下之方式对在第2步骤所得之被剥离硅晶圆进行热处理。

6. 发明专利

TWI591726B 矽晶圓之熱處理方法、及矽晶圓有权
简体标题：硅晶圆之热处理方法、及硅晶圆
公开(公告)号：TWI591726B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW104111696
申请日：2015-04-10
申请人：環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：須藤治生 , SUDO, HARUO , 荒木浩司 , ARAKI, KOJI , 青木龍彥 , AOKI, TATSUHIKO , 前田進 , MAEDA, SUSUMU
IPC分类号： H01L21/322

7. 发明专利

TWI523107B 矽晶圓之熱處理方法有权
简体标题：硅晶圆之热处理方法
公开(公告)号：TWI523107B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101131359
申请日：2012-08-29
申请人：環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：仙田剛士 , SENDA, TAKESHI , 荒木浩司 , ARAKI, KOJI , 青木龍彥 , AOKI, TATSUHIKO , 須藤治生 , SUDO, HARUO , 前田進 , MAEDA, SUSUMU
IPC分类号： H01L21/324

9. 发明专利

TWI623018B 矽晶圓的製造方法有权
简体标题：硅晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI623018B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW105108987
申请日：2016-03-23
申请人：環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：須藤治生 , SUDO, HARUO , 荒木浩司 , ARAKI, KOJI , 青木龍彥 , AOKI, TATSUHIKO , 前田進 , MAEDA, SUSUMU
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/324

10. 发明专利

TWI556312B 矽晶圓及其製造方法有权
简体标题：硅晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TWI556312B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW103126803
申请日：2014-08-05
申请人：環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：荒木浩司 , ARAKI, KOJI , 青木龍彥 , AOKI, TATSUHIKO , 須藤治生 , SUDO, HARUO , 仙田剛士 , SENDA, TAKESHI
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02008 , C30B15/206 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , H01L21/324 , Y10T428/24488 , Y10T428/31

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