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2. 发明专利

TW201842321A 校準曲線作成方法、碳濃度測定方法及矽晶圓製造方法审中-公开
简体标题：校准曲线作成方法、碳浓度测定方法及硅晶圆制造方法
公开(公告)号：TW201842321A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106141698
申请日：2017-11-29
申请人：日商環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBAL WAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：中川聰子 , NAKAGAWA, SATOKO , 永井勇太 , NAGAI, YUTA
IPC分类号： G01N21/64 , H01L21/66 , C30B29/06
摘要：關於包含高濃度氧的矽晶圓，能以少數的校準曲線進行碳濃度測定。校準曲線的作成方法包含以下步驟：準備氧濃度彼此不同的晶圓群，該晶圓群各包含氧濃度相同，碳濃度不同的矽晶圓（S11）；以不同照射量照射電子射線至各矽晶圓的複數區域（S12）；對各區域求得來自矽的第一發光強度與來自碳的第二發光強度的比（S13）；在此獲得的資料，分類成照射量及氧濃度的至少一者彼此不同的複數個資料集，在複數個資料集的各資料集中，照射量及氧濃度相同，對每一資料集作成第一校準曲線（S14）；選擇照射量相同且氧濃度不同的一對第一校準曲線，求得在繪成這些的雙對數坐標圖的情況下的斜率差（S15）；以及使用用於作成選擇的第一校準曲線的資料集所包含的所有資料，來作成第二校準曲線（S16）。
简体摘要：关于包含高浓度氧的硅晶圆，能以少数的校准曲线进行碳浓度测定。校准曲线的作成方法包含以下步骤：准备氧浓度彼此不同的晶圆群，该晶圆群各包含氧浓度相同，碳浓度不同的硅晶圆（S11）；以不同照射量照射电子射线至各硅晶圆的复数区域（S12）；对各区域求得来自硅的第一发光强度与来自碳的第二发光强度的比（S13）；在此获得的数据，分类成照射量及氧浓度的至少一者彼此不同的复数个数据集，在复数个数据集的各数据集中，照射量及氧浓度相同，对每一数据集作成第一校准曲线（S14）；选择照射量相同且氧浓度不同的一对第一校准曲线，求得在绘成这些的双对数坐标图的情况下的斜率差（S15）；以及使用用于作成选择的第一校准曲线的数据集所包含的所有数据，来作成第二校准曲线（S16）。

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