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1. 发明专利

TW201910762A 矽晶圓的電阻率測量方法审中-公开
简体标题：硅晶圆的电阻率测量方法
公开(公告)号：TW201910762A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107119841
申请日：2018-06-08
申请人：日商環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：斎藤広幸 , SAITO, HIROYUKI , 木村珠美 , KIMURA, TAMAMI , 松村尚 , MATSUMURA, HISASHI
IPC分类号： G01N27/14 , G01R31/26
摘要：本發明之矽晶圓的電阻率測量方法正確地求出僅摻雜劑的電阻率。本發明之矽晶圓的電阻率測量方法係包括以下步驟：求出矽晶圓W所具有之氧濃度與熱施體量之關係式；對被收容於縱型晶舟1之製造對象之矽晶圓W施予用以藉由以縱型熱處理爐2進行熱處理而將熱施體消去之施體消除處理，且將前述縱型晶舟自前述縱型熱處理爐以預定速度出爐後，測量矽晶圓的電阻率及氧濃度；根據已測量之前述矽晶圓的電阻率求出包含摻雜劑及熱施體之載體濃度；根據已測量之前述矽晶圓的氧濃度，藉由前述關係式求出前述矽晶圓所具有之熱施體量；求出從已求出之前述載體濃度減去已求出之前述熱施體量之摻雜劑量；以及將已求出之前述摻雜劑量轉換為電阻率。
简体摘要：本发明之硅晶圆的电阻率测量方法正确地求出仅掺杂剂的电阻率。本发明之硅晶圆的电阻率测量方法系包括以下步骤：求出硅晶圆W所具有之氧浓度与热施体量之关系式；对被收容于纵型晶舟1之制造对象之硅晶圆W施予用以借由以纵型热处理炉2进行热处理而将热施体消去之施体消除处理，且将前述纵型晶舟自前述纵型热处理炉以预定速度出炉后，测量硅晶圆的电阻率及氧浓度；根据已测量之前述硅晶圆的电阻率求出包含掺杂剂及热施体之载体浓度；根据已测量之前述硅晶圆的氧浓度，借由前述关系式求出前述硅晶圆所具有之热施体量；求出从已求出之前述载体浓度减去已求出之前述热施体量之掺杂剂量；以及将已求出之前述掺杂剂量转换为电阻率。

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