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1. 发明专利

TWI689634B 矽單晶的製造方法有权
简体标题：硅单晶的制造方法
公开(公告)号：TWI689634B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107141867
申请日：2018-11-23
申请人：日商環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：松村尚 , MATSUMURA, HISASHI , 坪田寛之 , TSUBOTA, HIROYUKI , 永井勇太 , NAGAI, YUTA , 安部吉亮 , ABE, YOSHIAKI
IPC分类号： C30B15/10 , C30B15/14 , C30B29/06

2. 发明专利

TW201842321A 校準曲線作成方法、碳濃度測定方法及矽晶圓製造方法审中-公开
简体标题：校准曲线作成方法、碳浓度测定方法及硅晶圆制造方法
公开(公告)号：TW201842321A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106141698
申请日：2017-11-29
申请人：日商環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBAL WAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：中川聰子 , NAKAGAWA, SATOKO , 永井勇太 , NAGAI, YUTA
IPC分类号： G01N21/64 , H01L21/66 , C30B29/06
摘要：關於包含高濃度氧的矽晶圓，能以少數的校準曲線進行碳濃度測定。校準曲線的作成方法包含以下步驟：準備氧濃度彼此不同的晶圓群，該晶圓群各包含氧濃度相同，碳濃度不同的矽晶圓（S11）；以不同照射量照射電子射線至各矽晶圓的複數區域（S12）；對各區域求得來自矽的第一發光強度與來自碳的第二發光強度的比（S13）；在此獲得的資料，分類成照射量及氧濃度的至少一者彼此不同的複數個資料集，在複數個資料集的各資料集中，照射量及氧濃度相同，對每一資料集作成第一校準曲線（S14）；選擇照射量相同且氧濃度不同的一對第一校準曲線，求得在繪成這些的雙對數坐標圖的情況下的斜率差（S15）；以及使用用於作成選擇的第一校準曲線的資料集所包含的所有資料，來作成第二校準曲線（S16）。
简体摘要：关于包含高浓度氧的硅晶圆，能以少数的校准曲线进行碳浓度测定。校准曲线的作成方法包含以下步骤：准备氧浓度彼此不同的晶圆群，该晶圆群各包含氧浓度相同，碳浓度不同的硅晶圆（S11）；以不同照射量照射电子射线至各硅晶圆的复数区域（S12）；对各区域求得来自硅的第一发光强度与来自碳的第二发光强度的比（S13）；在此获得的数据，分类成照射量及氧浓度的至少一者彼此不同的复数个数据集，在复数个数据集的各数据集中，照射量及氧浓度相同，对每一数据集作成第一校准曲线（S14）；选择照射量相同且氧浓度不同的一对第一校准曲线，求得在绘成这些的双对数坐标图的情况下的斜率差（S15）；以及使用用于作成选择的第一校准曲线的数据集所包含的所有数据，来作成第二校准曲线（S16）。

3. 发明专利

TWI647440B 校準曲線作成方法、碳濃度測定方法及矽晶圓製造方法有权
简体标题：校准曲线作成方法、碳浓度测定方法及硅晶圆制造方法
公开(公告)号：TWI647440B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106141698
申请日：2017-11-29
申请人：日商環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBAL WAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：中川聰子 , NAKAGAWA, SATOKO , 永井勇太 , NAGAI, YUTA
IPC分类号： G01N21/64 , H01L21/66 , C30B29/06

4. 发明专利

TWI522500B 矽單結晶及其製造方法有权
简体标题：硅单结晶及其制造方法
公开(公告)号：TWI522500B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW103122878
申请日：2014-07-02
申请人：環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：永井勇太 , NAGAI, YUTA , 中川聰子 , NAKAGAWA, SATOKO , 鹿島一日兒 , KASHIMA, KAZUHIKO
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/20 , C30B15/22 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L29/16 , H01L29/7393

5. 发明专利

TW201504486A 矽單結晶及其製造方法审中-公开
简体标题：硅单结晶及其制造方法
公开(公告)号：TW201504486A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103122878
申请日：2014-07-02
申请人：環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：永井勇太 , NAGAI, YUTA , 中川聰子 , NAKAGAWA, SATOKO , 鹿島一日兒 , KASHIMA, KAZUHIKO
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/20 , C30B15/22 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L29/16 , H01L29/7393
摘要：本發明係藉由CZ法，提供一種適合用於高耐壓型IGBT用矽基板之低碳濃度的矽單結晶及其製造方法。本發明係以碳濃度1.0×1015atoms/cm3以下的多晶矽作為原料，對原料熔液2施加橫向磁場，將石英坩堝3的轉速設定為5.0rpm以下，自距離原料熔液表面至下述Y的20%~50%之位置上以下述式(1)所表示之流速A[m/sec]流通惰性氣體， Q：惰性氣體的流量[L/min] P：爐內壓力[Torr] X：輻射罩的開口部直徑[mm] Y：自原料熔液表面至輻射罩下端為止之距離[mm] α：修正係數設定至結晶固化率30%之時間點為止，流速A為0.2/d[m/sec]~5000/d[m/sec](d：結晶直筒部直徑[mm])，且使側部加熱器4與底部加熱器5之合計功率的下降率為 3%~30%，側部加熱器4之功率的下降率為5%~45%。
简体摘要：本发明系借由CZ法，提供一种适合用于高耐压型IGBT用硅基板之低碳浓度的硅单结晶及其制造方法。本发明系以碳浓度1.0×1015atoms/cm3以下的多晶硅作为原料，对原料熔液2施加横向磁场，将石英坩埚3的转速设置为5.0rpm以下，自距离原料熔液表面至下述Y的20%~50%之位置上以下述式(1)所表示之流速A[m/sec]流通惰性气体， Q：惰性气体的流量[L/min] P：炉内压力[Torr] X：辐射罩的开口部直径[mm] Y：自原料熔液表面至辐射罩下端为止之距离[mm] α：修正系数设置至结晶固化率30%之时间点为止，流速A为0.2/d[m/sec]~5000/d[m/sec](d：结晶直筒部直径[mm])，且使侧部加热器4与底部加热器5之合计功率的下降率为 3%~30%，侧部加热器4之功率的下降率为5%~45%。

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